ผู้ให้บริการเวเฟอร์ที่เคลือบด้วย sic สำหรับการแกะสลัก

แอปพลิเคชันหลักของผู้ให้บริการเวเฟอร์เคลือบ SIC สำหรับกระบวนการแกะสลัก

1. การเจริญเติบโตของฟิล์มและการแกะสลักในการผลิต LED

ผู้ให้บริการเคลือบ SIC (เช่น PSS Etching Carrier) ใช้เพื่อรองรับพื้นผิวแซฟไฟร์ (พื้นผิวแซฟไฟร์ที่มีลวดลาย, PSS) ในการผลิต LED และดำเนินการสะสมไอสารเคมี (MOCVD) ของภาพยนตร์แกลเลียมไนไตรด์ (GAN) ที่อุณหภูมิสูง จากนั้นผู้ให้บริการจะถูกลบออกโดยกระบวนการแกะสลักแบบเปียกเพื่อสร้างโครงสร้างจุลภาคพื้นผิวเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการสกัดด้วยแสง

Key role: ผู้ให้บริการเวเฟอร์ต้องทนต่ออุณหภูมิสูงถึง 1600 ° C และการกัดกร่อนทางเคมีในสภาพแวดล้อมการแกะสลักพลาสมา ความบริสุทธิ์สูง (99.99995%) และความหนาแน่นของการเคลือบ SIC ป้องกันการปนเปื้อนของโลหะและตรวจสอบความสม่ำเสมอของฟิล์ม GAN

2. เซมิคอนดักเตอร์พลาสม่า/กระบวนการแกะสลักแห้ง

ในการแกะสลัก ICP (พลาสมาคู่แบบเหนี่ยวนำ)ผู้ให้บริการที่เคลือบด้วย SIC ได้รับการกระจายความร้อนอย่างสม่ำเสมอผ่านการออกแบบการไหลของอากาศที่ดีที่สุด (เช่นโหมดการไหลแบบราบเรียบ) หลีกเลี่ยงการแพร่กระจายของสิ่งเจือปนและปรับปรุงความแม่นยำในการแกะสลัก ตัวอย่างเช่นผู้ให้บริการการแกะสลัก ICP ที่เคลือบด้วย SIC ของ Veteksemicon สามารถทนต่ออุณหภูมิระเหิดได้ 2700 ° C และเหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมพลาสมาพลังงานสูง

3. การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์และอุปกรณ์ไฟฟ้า

ผู้ให้บริการ SIC ทำงานได้ดีในการแพร่กระจายอุณหภูมิสูงและการแกะสลักของเวเฟอร์ซิลิคอนในสนามเซลล์แสงอาทิตย์ ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำของพวกเขา (4.5 ×10⁻⁶/K) ลดการเสียรูปที่เกิดจากความเครียดจากความร้อนและยืดอายุการใช้งาน

คุณสมบัติทางกายภาพและข้อดีของผู้ให้บริการเวเฟอร์เคลือบ SIC สำหรับการแกะสลัก

1. ความอดทนต่อสภาพแวดล้อมที่รุนแรง:

ความเสถียรของอุณหภูมิสูง:CVD SICสามารถทำงานในอากาศ 1600 ° C หรือสภาพแวดล้อมสูญญากาศ 2200 ° C เป็นเวลานานซึ่งสูงกว่าผู้ให้บริการควอตซ์หรือกราไฟท์แบบดั้งเดิม

ความต้านทานการกัดกร่อน: SIC มีความต้านทานต่อกรดอัลคาลิสเกลือและตัวทำละลายอินทรีย์และเหมาะสำหรับสายการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ด้วยการทำความสะอาดสารเคมีบ่อยครั้ง

2. คุณสมบัติทางความร้อนและเชิงกล:

การนำความร้อนสูง (300 W/MK): การกระจายความร้อนอย่างรวดเร็วช่วยลดการไล่ระดับสีด้วยความร้อนทำให้มั่นใจได้ถึงความสม่ำเสมอของอุณหภูมิเวเฟอร์และหลีกเลี่ยงการเบี่ยงเบนความหนาของฟิล์ม

ความแข็งแรงเชิงกลสูง: ความแข็งแรงของการดัดงอถึง 415 MPa (อุณหภูมิห้อง) และยังคงรักษาความแข็งแรงมากกว่า 90% ที่อุณหภูมิสูงหลีกเลี่ยงการแตกของผู้ให้บริการหรือการ delamination

พื้นผิวเสร็จสิ้น: SSIC (ความดันซิลิกอนคาร์ไบด์) มีความขรุขระพื้นผิวต่ำ (<0.1μm) ลดการปนเปื้อนของอนุภาคและปรับปรุงผลผลิตเวเฟอร์

3. การเพิ่มประสิทธิภาพการจับคู่วัสดุ:

ความแตกต่างของการขยายตัวทางความร้อนต่ำระหว่างสารตั้งต้นกราไฟท์และการเคลือบ SIC: โดยการปรับกระบวนการเคลือบ (เช่นการสะสมการไล่ระดับสี) ความเครียดส่วนต่อประสานจะลดลงและการเคลือบจะถูกป้องกันไม่ให้ลอกออก

ความบริสุทธิ์สูงและข้อบกพร่องต่ำ: กระบวนการ CVD ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความบริสุทธิ์ของการเคลือบ> 99.9999%, หลีกเลี่ยงการปนเปื้อนไอออนของโลหะของกระบวนการที่มีความละเอียดอ่อน (เช่นการผลิตอุปกรณ์พลังงาน SIC)

แล้วC คุณสมบัติทางกายภาพของ CVD SIC

โครงสร้างผลึกฟิล์มเคลือบ CVD sic

ร้านค้าสัตว์แพทย์ sexemicon