การควบคุมคุณภาพและโลจิสติกส์

เราได้สร้างระบบการตรวจสอบ Gatekeeper แบบเต็มกระบวนการ ซึ่งครอบคลุมถึงสินค้าขาเข้า → อยู่ระหว่างดำเนินการ → สินค้าสำเร็จรูป เพื่อให้มั่นใจว่าผลิตภัณฑ์ตรงตามข้อกำหนดเกรดเซมิคอนดักเตอร์ที่เข้มงวดในด้านขนาด ความบริสุทธิ์ สภาพพื้นผิว และความสม่ำเสมอ

ประตูควบคุมคุณภาพสามระดับ:

IQC (การควบคุมคุณภาพที่เข้ามา):การตรวจสอบกราไฟท์ SiC และซับสเตรตอื่นๆ ที่กำลังเข้ามา รวมถึงความหนาแน่น ปริมาณสิ่งเจือปน (การวิเคราะห์ GDMS) ขนาดเกรน และคุณสมบัติทางความร้อน วัตถุดิบที่ไม่เป็นไปตามข้อกำหนดจะถูกปฏิเสธอย่างเคร่งครัด
IPQC (การควบคุมคุณภาพในกระบวนการ):การตรวจสอบขนาดที่สำคัญระหว่างการตัดเฉือน CNC ด้วยความแม่นยำ 100% การติดตามพารามิเตอร์ที่สำคัญแบบเรียลไทม์ เช่น อุณหภูมิเตาเผา ความดัน และการไหลของก๊าซในระหว่างการสะสม CVD
OQC (การควบคุมคุณภาพขาออก):การตรวจสอบความแม่นยำมิติและเรขาคณิตขั้นสุดท้ายโดย CMM การสแกนความหนาของฟิล์มหลายจุดและการประเมินความสม่ำเสมอ ความบริสุทธิ์ของการเคลือบและการวิเคราะห์สัณฐานวิทยาระดับจุลภาคโดยใช้ SEM, XRD ฯลฯ การจัดส่งแต่ละครั้งจะมาพร้อมกับรายงาน CoA ฉบับเต็มซึ่งมีหมายเลขซีเรียลที่ไม่ซ้ำกัน

บรรจุภัณฑ์และโลจิสติกส์:

หลังจากการทำความสะอาดอย่างมืออาชีพและบำบัดน้ำบริสุทธิ์พิเศษแล้ว บรรจุภัณฑ์สูญญากาศ/ไนโตรเจนแบบสองชั้นจะดำเนินการในสภาพแวดล้อมที่สะอาดคลาส 100
กล่องด้านนอกกันกระแทกและกันความชื้นที่ออกแบบเป็นพิเศษ ช่วยให้มั่นใจได้ว่าไม่มีแรงกระแทกหรือความเสียหายจากความชื้นในระหว่างการขนส่งระหว่างประเทศทางไกล
ผลิตภัณฑ์แต่ละรายการเชื่อมโยงกับรหัสการตรวจสอบย้อนกลับที่ไม่ซ้ำกันซึ่งสนับสนุนการติดตามข้อมูลวงจรชีวิตเต็มรูปแบบตั้งแต่ชุดวัตถุดิบไปจนถึงการจัดส่งสินค้าสำเร็จรูป

การรับรองความน่าเชื่อถือของลูกค้า (Trustworthiness):

ระบบตรวจสอบย้อนกลับทุกกระบวนการของเราผ่านมาตรฐาน ISO 9001:2015 รวมถึงการตรวจสอบ ณ สถานที่อย่างเข้มงวดโดยผู้ผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีชื่อเสียงระดับโลก ขณะนี้เราจัดส่งส่วนประกอบเคลือบที่มีความแม่นยำสูงทุกเดือนให้กับลูกค้า [โปรดกรอกจำนวน] ทั่วโลก รวมเป็น [กรุณากรอกจำนวน] ชิ้น โดยไม่มีการร้องเรียนจากลูกค้าที่เกิดจากความเสียหายของบรรจุภัณฑ์หรือการขนส่ง

Semiconductor-Grade Vacuum Packaging SOP

SOP บรรจุภัณฑ์สูญญากาศเกรดเซมิคอนดักเตอร์และแผนภูมิผังกระบวนการผลิต

คำถามที่พบบ่อย

1. ถาม: ฉันควรเลือกระหว่างการเคลือบ CVD SiC และการเคลือบ CVD TaC อย่างไร

▼

ตอบ:ดูอุณหภูมิกระบวนการและความเข้มข้นของการกัดกร่อนในเฟสก๊าซของคุณ หากอุณหภูมิกระบวนการต่ำกว่า 1000 °C และส่วนใหญ่เกี่ยวข้องกับการกัดด้วย Cl₂/F₂ หรือการกัดผิวแบบธรรมดา ให้เลือกซีวีดี SiCเพื่อประสิทธิภาพด้านต้นทุนที่ดีที่สุด หากอุณหภูมิกระบวนการสูงกว่า 1200 °C และเกี่ยวข้องกับบรรยากาศที่มีการกัดกร่อนอย่างรุนแรง (เช่น การเติบโตของผลึกเดี่ยว SiC PVT) เราขอแนะนำCVD TaCซึ่งมีความทนทานต่ออุณหภูมิและการกัดกร่อนที่เหนือกว่า เราสามารถจัดทำรายงานคำแนะนำการเลือกฟรีตามพารามิเตอร์กระบวนการเฉพาะของคุณ

2. ถาม: คุณรองรับการสร้างต้นแบบชิ้นเดียว / ชุดเล็กหรือไม่? ระยะเวลารอคอยคืออะไร?

▼

ตอบ:ใช่! สำหรับต้นแบบวิศวกรรมย้อนกลับขั้นต่ำคือ 1 ชิ้น. สำหรับชิ้นส่วนธรรมดาทั่วไป ตั้งแต่การรับตัวอย่างไปจนถึงการส่งมอบชิ้นส่วนที่แมป ระยะเวลาดำเนินการที่เร็วที่สุดคือโดยประมาณ10–15 วันทำการ; สำหรับชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับกระบวนการเคลือบที่ซับซ้อนจะอยู่ที่ประมาณ20–25 วันทำการ. ติดต่อวิศวกรของเราเพื่อการประเมินที่รวดเร็ว

3. ถาม: อะไรเป็นสาเหตุให้เกิดการหลุดร่อนของการเคลือบ CVD บนชิ้นส่วนกราไฟท์ระหว่างการใช้งาน จะแก้ได้ไหม?

▼

ตอบ:90% ของการแยกชั้นเกิดจากการไม่ตรงกันระหว่างค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน (CTE) ของซับสเตรตกราไฟท์และการเคลือบ ซึ่งนำไปสู่การหลุดลอกเมื่อล้าภายใต้การให้ความร้อน/ความเย็นอย่างรวดเร็ว วิธีแก้ปัญหาของเรา: ขั้นแรกให้วัดเส้นโค้ง CTE ของชิ้นส่วนเดิมของคุณอย่างแม่นยำ จากนั้นจึงปรับความหนาแน่นของพื้นผิวและการไล่ระดับอุณหภูมิการสะสมเป็นพิเศษ เพื่อให้ CTE ทั้งสองเข้ากันได้สูง สามารถปรับปรุงความแข็งแรงของพันธะได้มากกว่า1.5 เท่าระดับทั่วไปของอุตสาหกรรม

4. ถาม: คุณสามารถให้ CoA (ใบรับรองการวิเคราะห์) สำหรับผลิตภัณฑ์ได้หรือไม่? ประกอบด้วยข้อมูลอะไรบ้าง?

▼

ตอบ:สินค้าที่จัดส่งทุกชิ้นมีมาตรฐานด้วยหมายเลขซีเรียลเฉพาะ + รายงาน CoA ฉบับเต็ม. รายงานประกอบด้วย: ข้อมูลการตรวจสอบ CMM มิติที่สำคัญ แผนที่การกระจายความหนาของชั้นเคลือบแบบหลายจุด ค่าความหยาบพื้นผิว (Ra) และข้อสรุปการวิเคราะห์ความบริสุทธิ์ของวัสดุ (GDMS)