เทคโนโลยีและโซลูชั่น

คอขวดด้านความร้อนของชิปและโมดูลกำลังสูงมักไม่เพียงแต่ "มีค่าการนำไฟฟ้าสูงเพียงพอ" เท่านั้น แต่ยังรวมถึงค่าการนำไฟฟ้าและการขยายตัวทางความร้อนที่เข้าคู่กันหรือไม่ คอมโพสิตเพชรจะเพิ่มการนำความร้อนและลด CTE ลงด้วยเศษส่วนที่มีปริมาตรเพชรสูง ทำให้เกิดเส้นทางทั่วไปสามเส้นทาง: เพชร-ทองแดง เพชร-อะลูมิเนียม และเพชร-SiC บทความนี้จะอธิบายขอบเขตการเลือก สถานการณ์การใช้งาน และจุดตรวจสอบเบื้องต้น โดยพิจารณาจากช่วงประสิทธิภาพโดยทั่วไป

คำถามที่แท้จริงในการเลือกชิ้นส่วนในห้องเพาะเลี้ยงมักไม่ใช่ "เซรามิกหรือควอตซ์" แต่เป็น: ภายใต้อุณหภูมิปัจจุบัน การกัดกร่อน ข้อจำกัดทางไฟฟ้าและทางกล ซึ่งวัสดุสามารถควบคุมอนุภาค อายุการใช้งาน และต้นทุนร่วมกันได้ บทความนี้สร้างกรอบการคัดเลือกแบบรวมสำหรับเซรามิกและควอตซ์ขั้นสูงของเซมิคอนดักเตอร์ อธิบายการแบ่งบทบาท วิธีการประเมินสี่มิติ และเส้นทางการอ่านสำหรับความล้มเหลว การปรับแต่ง และการจัดซื้อจัดจ้าง และวาดเส้นแบ่งที่ชัดเจนระหว่างซิลิคอนคาร์ไบด์จำนวนมากและกราไฟท์ + การเคลือบ CVD SiC

Solid SiC ไม่ใช่ "สารทดแทนการเคลือบที่มีราคาแพงกว่า" แต่เป็นอีกเส้นทางทางเทคนิคสำหรับสถานการณ์ที่ไม่มีอินเทอร์เฟซ ทนต่อพลาสมา และมีอายุการใช้งานยาวนานเป็นพิเศษ บทความนี้จะอธิบายขอบเขตการใช้งานในการกัดกรดและการใช้ที่มีความบริสุทธิ์สูง การเปรียบเทียบ TCO กับกราไฟท์ที่เคลือบ และจุดตรวจสอบสำหรับการแนะนำ เมื่อสายการผลิตมองเห็นการหลุดล่อนของชั้นเคลือบหรืออนุภาคไต่ขึ้นไปบนวงแหวนโฟกัสและตำแหน่งที่คล้ายกันซ้ำๆ ปัญหามักจะไม่เพียงแต่ “การทำความสะอาดไม่เพียงพอ” หรือ “ล็อตที่ไม่ดี” เท่านั้น แต่ยังรวมถึงรูปแบบของวัสดุที่ตรงกับสภาพแวดล้อมของพลาสมาด้วยหรือไม่

ชิ้นส่วนที่เคลือบไม่จำเป็นต้องถูกทิ้งจนหมดในทุกโหนดอายุการใช้งาน บทความนี้จะอธิบายว่าเมื่อใดชิ้นส่วนกราไฟท์เคลือบ CVD SiC เหมาะสำหรับการทำความสะอาดและการฟื้นฟู วิธียอมรับชิ้นส่วนเหล่านั้นในภายหลัง และวิธีการจัดการจังหวะการเปลี่ยนด้วยกรอบความคิดแบบครบวงจร ช่วยให้ผลผลิตและต้นทุนต่อการวิ่งสมดุลกันอย่างน่าเชื่อถือมากขึ้น ต้นทุนที่แท้จริงของตัวรับ แหวนอุ่นก่อน และชิ้นส่วนที่คล้ายกันในสายการผลิตไม่ได้เป็นเพียงราคาซื้อเท่านั้น แต่ยังรวมถึงความถี่ในการเปลี่ยน ระยะเวลาหยุดทำงาน และความเสี่ยงของอนุภาคด้วย