การทำแผนที่ตัวอย่าง

จากตัวอย่างทางกายภาพที่ลูกค้าให้มา (แม้ว่าจะเป็นชิ้นส่วนที่ใช้แล้วที่สึกหรอหรือแตกหักก็ตาม) เรานำเสนอบริการเต็มรูปแบบตั้งแต่วิศวกรรมย้อนกลับโครงสร้างทางกายภาพไปจนถึงการระบุลักษณะเฉพาะทางเคมีกายภาพในระดับวัสดุ ด้วยการใช้ประโยชน์จากอุปกรณ์ตรวจสอบที่มีความแม่นยำสูงเกรดเซมิคอนดักเตอร์ เราจึงสามารถวัดปริมาณโครงสร้างเรขาคณิต 3 มิติที่ซับซ้อน คุณสมบัติส่วนต่อประสานการเคลือบ/สารตั้งต้น และพารามิเตอร์ทางกายภาพของวัสดุได้อย่างแม่นยำ เพื่อให้มั่นใจว่าผลิตภัณฑ์ที่ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมย้อนกลับตรงตามหรือ เกินมาตรฐาน OEM ในด้านความเหมาะสมทางกายภาพ ความเข้ากันได้ของกระบวนการ และอายุการใช้งาน (การเปลี่ยนแบบฟอร์ม-พอดี-ฟังก์ชัน)

สิ่งที่เราวัด (ผลลัพธ์ทางเทคนิค):

• ความคลาดเคลื่อนมิติและเรขาคณิต:ด้วยการใช้เครื่องวัดพิกัด (CMM) ที่มีความแม่นยำสูงและเครื่องสแกน 3 มิติแบบออปติคอล เราจึงทำการสร้างแบบจำลองพอยต์คลาวด์ขนาดเต็มและสร้างโครงสร้างโพรงที่ซับซ้อนขึ้นใหม่ รวมถึงการติดตั้ง/ระบุตำแหน่งรู เพื่อให้ได้ความแม่นยำระดับไมครอน
• สัณฐานวิทยาจุลภาคของพื้นผิวและความเรียบ:การใช้อินเทอร์เฟอโรมิเตอร์แสงสีขาวและโปรฟิโลมิเตอร์แบบออปติคัลเพื่อประเมินความหยาบของพื้นผิวระดับนาโนเมตร (Ra) และความเรียบในพื้นที่ขนาดใหญ่ ตรงตามข้อกำหนดในการจัดการแผ่นเวเฟอร์และการปิดผนึกแบบห้อง
• คุณสมบัติ Edge Micro:การทำแผนที่กำลังขยายสูงของขอบรัศมี R และไมโครโปรไฟล์การลบมุมเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพสัณฐานวิทยาของการปีนเคลือบ และหลีกเลี่ยงความเข้มข้นของความเครียดที่มุมแหลมคมซึ่งอาจทำให้เกิดการแยกตัวที่อุณหภูมิสูงได้
• การวิเคราะห์พื้นผิวกราไฟท์และการจับคู่ความร้อน:การประเมินความหนาแน่นของซับสเตรตกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง ขนาดเกรน และสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน (CTE) เพื่อให้แน่ใจว่าการจับคู่ความเค้นความร้อนระหว่างซับสเตรตและการเคลือบ CVD
• การเคลือบผิวหน้าตัดและคุณภาพการยึดเกาะของส่วนต่อประสาน:การวิเคราะห์ XRF แบบไม่ทำลายและการวิเคราะห์ SEM หน้าตัดทางโลหะวิทยาเพื่อวัดความหนาสัมบูรณ์ ความสม่ำเสมอในแนวรัศมีของการเคลือบ CVD และความลึกของการเจาะส่วนต่อประสาน
• โครงสร้างเฟสและการวิเคราะห์ไมโครคริสตัล:การประเมิน XRD ของความบริสุทธิ์ลูกบาศก์เฟส (β-SiC) ของ CVD SiC; การประเมินเชิงคุณภาพปริมาณสัมพันธ์เคมีและคุณลักษณะโครงสร้างผลึกของ CVD TaC

กรณีจริงและผลประโยชน์ของลูกค้า (ประสบการณ์):

ลูกค้าชิ้นส่วนแกะสลักเซมิคอนดักเตอร์ขนาด 12 นิ้ว:อุปทาน OEM ถูกยกเลิก; มีชิ้นส่วนมือสองที่สึกหรอเพียงชิ้นเดียวเท่านั้น ด้วยการสร้างแบบจำลองย้อนกลับของ CMM + การวิเคราะห์ภาคตัดขวางของการเคลือบ SEM เราจึงเสร็จสิ้นการพัฒนาชิ้นส่วนทดแทนและการทดสอบเครื่องมือภายใน 2 เดือนโดยไม่ต้องเขียนแบบต้นฉบับใดๆ ทำให้สามารถติดตั้งได้พอดี 100% ในที่สุด วงจรการจัดซื้อส่วนประกอบก็ลดลงจากระยะเวลารอคอยการนำเข้า 6 เดือนเดิมเหลือ 2 เดือน ต้นทุนการจัดซื้อต่อหน่วยลดลง 42% และโมเดลนี้ได้รับการจัดหาอย่างเสถียรสำหรับชุดงานมากกว่า 30 ชุด

การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) บนหน้าตัดการเคลือบ SEM

คำถามที่พบบ่อย

เริ่มบริการพิเศษของคุณตอนนี้