Wafer Substrate เป็นเวเฟอร์ที่ทำจากวัสดุผลึกเดี่ยวแบบเซมิคอนดักเตอร์ วัสดุพิมพ์สามารถเข้าสู่กระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์ได้โดยตรงเพื่อผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ หรือสามารถประมวลผลโดยกระบวนการเอพิแทกเซียลเพื่อผลิตเวเฟอร์เอพิแทกเซียลได้
พื้นผิวเวเฟอร์ซึ่งเป็นโครงสร้างรองรับพื้นฐานของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ส่งผลโดยตรงต่อประสิทธิภาพและความเสถียรของอุปกรณ์ เนื่องจากเป็น "รากฐาน" สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ กระบวนการผลิตต่างๆ เช่น การเติบโตของฟิล์มบางและการพิมพ์หินจึงจำเป็นต้องดำเนินการบนซับสเตรต
สรุปประเภทของวัสดุพิมพ์
- เวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยว: ปัจจุบันเป็นวัสดุพื้นผิวที่พบมากที่สุด ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตวงจรรวม (IC) ไมโครโปรเซสเซอร์ หน่วยความจำ อุปกรณ์ MEMS อุปกรณ์ไฟฟ้า ฯลฯ
- พื้นผิวซอย: ใช้สำหรับวงจรรวมประสิทธิภาพสูงและพลังงานต่ำ เช่น วงจรแอนะล็อกและดิจิทัลความถี่สูง อุปกรณ์ RF และชิปการจัดการพลังงาน
- สารตั้งต้นเซมิคอนดักเตอร์แบบผสม: สารตั้งต้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs): อุปกรณ์สื่อสารคลื่นไมโครเวฟและคลื่นมิลลิเมตร ฯลฯ สารตั้งต้นแกลเลียมไนไตรด์ (GaN): ใช้สำหรับเครื่องขยายสัญญาณ RF, HEMT ฯลฯ สารตั้งต้นซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC): ใช้สำหรับยานพาหนะไฟฟ้า ตัวแปลงพลังงาน และอุปกรณ์พลังงานอื่นๆ สารตั้งต้นอินเดียมฟอสไฟด์ (InP): ใช้สำหรับเลเซอร์ เครื่องตรวจจับแสง ฯลฯ
- พื้นผิวแซฟไฟร์:ใช้สำหรับการผลิต LED, RFIC (วงจรรวมความถี่วิทยุ) ฯลฯ
Vetek Semiconductor คือผู้จำหน่ายพื้นผิว SiC และซับสเตรต SOI ระดับมืออาชีพในประเทศจีน พื้นผิว SiC ชนิดกึ่งฉนวน 4H ของเราและพื้นผิว SiC ชนิดกึ่งฉนวน 4H ของเราถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในส่วนประกอบสำคัญของอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์
Vetek Semiconductor มุ่งมั่นที่จะนำเสนอผลิตภัณฑ์ Wafer Substrate ขั้นสูงและปรับแต่งได้ รวมถึงโซลูชันทางเทคนิคตามข้อกำหนดต่างๆ สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นซัพพลายเออร์ของคุณในประเทศจีน
คุณสมบัติที่สำคัญ
- ซัพพลายเออร์ระดับมืออาชีพของซับสเตรต SiC (ชนิด 4H N และกึ่งฉนวน) และซับสเตรต SOI สำหรับการใช้งานด้านพลังงาน, RF และ IC ขั้นสูง
- กลุ่มผลิตภัณฑ์ซับสเตรตที่หลากหลายครอบคลุมซิลิคอน เซมิคอนดักเตอร์แบบผสม (SiC, GaN, GaAs, InP), แซฟไฟร์ และเวเฟอร์เฉพาะทาง (PZT, SiN, เวเฟอร์จำลอง)
- คุณภาพวัสดุสูงและความสม่ำเสมอของกระบวนการเหมาะสำหรับการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว การผลิตอุปกรณ์ และการควบคุมกระบวนการของอุปกรณ์
- ข้อมูลจำเพาะที่ปรับแต่งได้และโซลูชันทางเทคนิคที่ปรับให้เหมาะกับความต้องการในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่แตกต่างกัน
- การจัดหาที่เชื่อถือได้จากจีนพร้อมการสนับสนุนด้านวิศวกรรมการประยุกต์ใช้งานสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้า, MEMS, LED, RF และเครื่องมือกระบวนการระบายความร้อน
หมวดหมู่สินค้า
- พื้นผิว SiC:เวเฟอร์ SiC ชนิด N 4H และกึ่งฉนวนสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าและแอปพลิเคชัน RF
- พื้นผิวซอย:เวเฟอร์ซิลิคอนบนฉนวนสำหรับ IC และอุปกรณ์ RF ประสิทธิภาพสูงที่ใช้พลังงานต่ำ
- เวเฟอร์ชนิดพิเศษ / กระบวนการ:เวเฟอร์จำลองเคลือบ CVD SiC, สารตั้งต้น SiN, เวเฟอร์เพียโซอิเล็กทริก PZT บน Si/SOI
- พื้นผิวสารประกอบ/แซฟไฟร์อื่นๆ: รองรับการใช้งาน LED, RF และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ (ดังที่อ้างอิงในภาพรวม)
การใช้งาน
เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ VeTek นำเสนอผลิตภัณฑ์พื้นผิว Wafer ที่ตรงเป้าหมาย ตารางต่อไปนี้จำแนกตามพื้นที่การใช้งานหลัก:
| ฟิลด์แอปพลิเคชัน |
ผลิตภัณฑ์ทั่วไป |
คำอธิบายแอปพลิเคชัน |
| อุปกรณ์ไฟฟ้าและ EV |
วัสดุซับสเตรต 4H-SiC (ชนิด N / กึ่งฉนวน) |
สารตั้งต้นซิลิคอนคาร์ไบด์สำหรับตัวแปลงพลังงาน ยานพาหนะไฟฟ้า และอุปกรณ์ไฟฟ้าแรงสูงที่ต้องการอุณหภูมิสูงและประสิทธิภาพสูง |
| ไอซี RF / ความถี่สูง |
วัสดุพิมพ์ในซอย, วัสดุพิมพ์ที่เกี่ยวข้องกับ GaN / GaAs, SiC กึ่งฉนวน |
วัสดุซับสเตรตประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์ RF, เครื่องขยายกำลัง, HEMT และวงจรแอนะล็อก/ดิจิทัลความถี่สูง |
| เมมส์และเซนเซอร์ |
เวเฟอร์เพียโซอิเล็กทริก PZT (PZT บน Si/SOI), สารตั้งต้น SiN |
วัสดุเพียโซอิเล็กทริกและพื้นผิวที่มีความแข็งแรงสูงสำหรับทรานสดิวเซอร์ MEMS เซ็นเซอร์ 5G อุปกรณ์ทางการแพทย์และอุปกรณ์สวมใส่ที่ต้องมีการแปลงระบบเครื่องกลไฟฟ้า |
| การควบคุมและการทดสอบกระบวนการ |
การเคลือบ CVD SiC เวเฟอร์จำลอง |
เวเฟอร์จำลองและเวเฟอร์ทดสอบสำหรับคุณสมบัติของอุปกรณ์ การตรวจสอบกระบวนการ และการควบคุมการปนเปื้อนในสายการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ |
| LED / ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ |
พื้นผิวแซฟไฟร์, พื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ผสม (InP ฯลฯ) |
พื้นผิวสำหรับการผลิต LED, เลเซอร์, เครื่องตรวจจับแสง และการใช้งาน RFIC ที่ต้องการประสิทธิภาพด้านแสงและความถี่สูง |
| IC ขั้นสูง / ลอจิกและหน่วยความจำ |
เวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยว, สารตั้งต้นซอย |
วัสดุพิมพ์กระแสหลักและขั้นสูงสำหรับวงจรรวม ไมโครโปรเซสเซอร์ หน่วยความจำ และชิปการจัดการพลังงาน |
สำหรับโซลูชันการจับคู่กระบวนการโดยละเอียด โปรดดูที่ซิลิคอนคาร์ไบด์ Epitaxyและซิลิคอน เอพิแทกซีหน้าที่เกี่ยวข้อง
ในฐานะผู้ผลิตเวเฟอร์มืออาชีพและซัพพลายเออร์ในประเทศจีน เรามีโรงงานของเราเอง ไม่ว่าคุณจะต้องการบริการที่ปรับแต่งตามความต้องการเฉพาะของภูมิภาคของคุณ หรือต้องการซื้อเวเฟอร์ขั้นสูงและทนทานที่ผลิตในจีน คุณก็สามารถทำได้ฝากข้อความถึงเรา.
