เวเฟอร์อะลูมิเนียมไนไตรด์ (AlN)

1. คุณสมบัติและข้อดีที่สำคัญ

• แถบความถี่กว้างพิเศษ µ 6.2 eV — สูงที่สุดในบรรดาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์กระแสหลัก

• ค่าการนำความร้อนสูง 320 W/m·K เพื่อการกระจายความร้อนที่มีประสิทธิภาพ

• ความเป็นฉนวนไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม (>10¹³ Ω·cm) และสนามไฟฟ้าที่มีการแยกย่อยสูง (12–15 MV/cm)

• ตาข่ายที่ดีและการขยายตัวทางความร้อนเข้ากันได้ดีกับ GaN — เหมาะสำหรับโครงสร้างเฮเทอโรแบบ GaN-on-AlN

• ตัวเลือกความหนาแน่นของการเคลื่อนที่ต่ำพร้อมการควบคุมเส้นโค้งการโยก HR-XRD ที่แน่นหนา

• Al-face CMP (Ra ≤ 0.5 nm) และ N-face MP สำหรับพื้นผิวที่พร้อมสำหรับอีพี

• หลายขนาดและเกรดคุณภาพ (P / R / D) เพื่อให้ตรงกับข้อกำหนดการผลิตและการวิจัย

2. การใช้งานทั่วไป

• อุปกรณ์ RF กำลังสูงสำหรับเรดาร์และการสื่อสาร 6G

• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้าแรงสูงสำหรับโครงข่าย ศูนย์ข้อมูล และยานพาหนะไฟฟ้า

• ไฟ LED อัลตราไวโอเลตลึก (UVC) และไดโอดเลเซอร์

• การเจริญเติบโตของ epitaxial GaN-on-AlN และอุปกรณ์โครงสร้างเฮเทอโรโครงสร้างขั้นสูง

• ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ที่มีอุณหภูมิสูง ความถี่สูง และสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

3. ขนาดและเกรดคุณภาพที่มีจำหน่าย

VeTek นำเสนอเวเฟอร์ AlN ในรูปแบบมาตรฐานต่อไปนี้ ขนาดและข้อกำหนดที่กำหนดเองสามารถพูดคุยได้ตามคำขอ

• พื้นผิวสี่เหลี่ยมจัตุรัส 10 × 10 มม

• เวเฟอร์ขนาด 1 นิ้ว (25.4 มม.)

• เวเฟอร์ขนาด 2 นิ้ว (50.8 มม.)

เกรดคุณภาพ: เกรด P (ผลิตภัณฑ์), เกรด R (การวิจัย), เกรด D (ทดลอง) ซึ่งสร้างความแตกต่างโดยหลักคือ FWHM เส้นโค้งการโยก HR-XRD และคุณภาพคริสตัลโดยรวม

4. ข้อกำหนดทางเทคนิคที่สำคัญ

พารามิเตอร์ทั่วไปในขนาดต่างๆ (ค่าทั่วไป ขึ้นอยู่กับเกรดตามที่ระบุไว้):

ความคลาดเคลื่อนทางเรขาคณิตเฉพาะขนาด:

• 10×10 มม.: ความยาวด้านข้าง 10 มม. ± 0.5 มม.; TTV ≤ 15 ไมโครเมตร; ส่วนโค้ง ≤ 15 μm

• 1 นิ้ว: เส้นผ่านศูนย์กลาง 25.4 มม. ± 0.5 มม.; พื้นที่ใช้สอย ≥ 90%; TTV ≤ 20 ไมโครเมตร; ส่วนโค้ง ≤ 20 ไมโครเมตร; แผ่นเรียบปฐมภูมิ (10-10) ± 5°, ความยาว 8 มม. ± 1 มม

• 2 นิ้ว: เส้นผ่านศูนย์กลาง 50.8 มม. ± 0.5 มม.; พื้นที่ใช้สอย ≥ 90%; TTV ≤ 30 ไมโครเมตร; ส่วนโค้ง ≤ 30 ไมโครเมตร; ความยาวแบนหลัก 16 มม. ± 2 มม

5. เหตุใดจึงเลือกเวเฟอร์ VeTek AlN

ในฐานะซัพพลายเออร์เฉพาะด้านวัสดุและส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง VeTek Semiconductor มอบ:

• เวเฟอร์ผลึกเดี่ยว AlN คุณภาพสูงพร้อมการควบคุมคุณภาพคริสตัลและพื้นผิวที่พร้อมสำหรับ Epi

• มีหลายขนาดและเกรดให้เลือกเพื่อรองรับทั้งการผลิตอุปกรณ์และโครงการวิจัย

• โซลูชันเวเฟอร์และซับสเตรตเสริมภายใต้กลุ่มผลิตภัณฑ์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ VeTek

• การสนับสนุนด้านเทคนิคสำหรับการเลือกวัสดุและการจับคู่กระบวนการ

เวเฟอร์ AlN ของเราช่วยให้ลูกค้าเร่งการพัฒนาอุปกรณ์ RF กำลังสูง ไฟฟ้าแรงสูง และอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ที่มีรังสียูวีระดับลึก ที่ต้องการการผสมผสานเฉพาะตัวของแถบความถี่กว้างพิเศษ การนำความร้อนสูง และความเข้ากันได้กับ GaN ที่นำเสนอโดยอะลูมิเนียมไนไตรด์