คิวอาร์โค้ด
เกี่ยวกับเรา
สินค้า
ติดต่อเรา

โทรศัพท์

แฟกซ์
+86-579-87223657

อีเมล

ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
ในกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง การจัดการ การรองรับ และการบำบัดความร้อนของเวเฟอร์จะขึ้นอยู่กับส่วนประกอบรองรับพิเศษ นั่นก็คือ เรือเวเฟอร์ เมื่ออุณหภูมิกระบวนการสูงขึ้น และความต้องการด้านความสะอาดและการควบคุมอนุภาคเพิ่มขึ้น เรือเวเฟอร์ควอทซ์แบบดั้งเดิมจะค่อยๆ เผยให้เห็นปัญหาต่างๆ เช่น อายุการใช้งานสั้น อัตราการเสียรูปสูง และความต้านทานการกัดกร่อนต่ำเรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)ปรากฏในบริบทนี้และกลายเป็นผู้ให้บริการหลักในอุปกรณ์การประมวลผลความร้อนระดับไฮเอนด์
![]()
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นวัสดุเซรามิกเชิงวิศวกรรมที่ผสมผสานความแข็งสูง การนำความร้อนสูง และความเสถียรทางเคมีที่ดีเยี่ยมเซรามิก SiCซึ่งเกิดขึ้นจากการเผาผนึกที่อุณหภูมิสูง ไม่เพียงแต่มีความทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันเท่านั้น แต่ยังรักษาโครงสร้างและขนาดที่มั่นคงในสภาพแวดล้อมออกซิไดซ์และการกัดกร่อน ด้วยเหตุนี้ เมื่อประดิษฐ์เป็นรูปเรือเวเฟอร์ จึงสามารถรองรับกระบวนการที่มีอุณหภูมิสูง เช่น การแพร่กระจาย การหลอม และออกซิเดชันได้อย่างน่าเชื่อถือ ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับกระบวนการทางความร้อนที่ทำงานที่อุณหภูมิสูงกว่า 1100°C
โครงสร้างของเรือเวเฟอร์มักได้รับการออกแบบให้มีการกำหนดค่ากริดแบบขนานหลายชั้น ซึ่งสามารถบรรจุเวเฟอร์ได้หลายสิบหรือหลายร้อยแผ่นพร้อมกัน ข้อดีของเซรามิก SiC ในการควบคุมค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน ทำให้เซรามิกมีโอกาสน้อยที่จะเกิดการเสียรูปจากความร้อนหรือการแตกร้าวขนาดเล็กในระหว่างกระบวนการขึ้นและลงที่อุณหภูมิสูง นอกจากนี้ ยังสามารถควบคุมปริมาณสิ่งเจือปนของโลหะได้อย่างเข้มงวด ซึ่งช่วยลดความเสี่ยงในการปนเปื้อนที่อุณหภูมิสูงได้อย่างมาก ทำให้เหมาะสมอย่างยิ่งสำหรับกระบวนการที่ไวต่อความสะอาดอย่างยิ่ง เช่น การผลิตอุปกรณ์กำลัง, SiC MOSFET, MEMS และผลิตภัณฑ์อื่นๆ
เมื่อเปรียบเทียบกับเรือเวเฟอร์ควอทซ์แบบดั้งเดิม เรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์มักจะมีอายุการใช้งานนานกว่า 3-5 เท่าภายใต้สภาวะการหมุนเวียนด้วยความร้อนบ่อยครั้งและอุณหภูมิสูง ความแข็งแกร่งและความต้านทานต่อการเสียรูปที่สูงขึ้นช่วยให้การจัดวางเวเฟอร์มีความเสถียรมากขึ้น ซึ่งช่วยเพิ่มผลผลิต ที่สำคัญกว่านั้น วัสดุ SiC จะรักษาการเปลี่ยนแปลงขนาดให้น้อยที่สุดในระหว่างรอบการให้ความร้อนและความเย็นบ่อยครั้ง ซึ่งช่วยลดการบิ่นที่ขอบแผ่นเวเฟอร์หรือการไหลของอนุภาคที่เกิดจากการเสียรูปของแผ่นเวเฟอร์
|
การเปรียบเทียบ |
เรือควอทซ์เวเฟอร์ |
เรือเวเฟอร์เซรามิก SiC |
ตัวพาเวเฟอร์ที่ใช้กราไฟต์ |
|
วัสดุฐาน |
ซิลิกาผสมที่มีความบริสุทธิ์สูง (SiO₂) |
เซรามิก SiC ที่ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรม |
กราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง อาจจะเคลือบก็ได้ |
|
การนำความร้อน |
ค่อนข้างต่ำ |
โดยทั่วไปจะสูงกว่า ขึ้นอยู่กับเกรด |
มักจะสูง ขึ้นอยู่กับเกรดและทิศทาง |
|
การขยายตัวทางความร้อน |
ต่ำมาก |
สูงกว่าควอตซ์หลอม |
ขึ้นอยู่กับเกรดและการวางแนว |
|
ประสิทธิภาพการทำงานที่อุณหภูมิสูง |
ก่อตั้งขึ้นในกระบวนการเตาเผาที่ผ่านการรับรอง การทำให้นิ่มลงและการทำลายล้างอาจจำกัดการให้บริการ |
ศักยภาพที่แข็งแกร่งสำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูง ขึ้นอยู่กับเกรด |
เหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมเฉื่อย/สุญญากาศที่เลือก กราไฟท์เปลือยไม่เหมาะสำหรับกระบวนการออกซิไดซ์หลายๆ กระบวนการ |
|
ลักษณะทางกล |
เปราะ; การคืบคลานและการเสียรูปต้องได้รับการประเมิน |
ความแข็งและความแข็งแกร่งสูง ยังเปราะอยู่ |
กลึงได้ง่าย; ความแข็งแรงแตกต่างกันไปตามเกรดและอุณหภูมิ |
|
การควบคุมการปนเปื้อน |
เกรดที่มีความบริสุทธิ์สูงใช้กันอย่างแพร่หลายในกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ที่สะอาด |
ต้องการสิ่งเจือปน ความพรุน และคุณสมบัติสภาพพื้นผิว |
กราไฟท์เปลือยอาจทำให้เกิดการปนเปื้อนที่เกี่ยวข้องกับคาร์บอน การเคลือบต้องมีการควบคุมความสมบูรณ์ |
|
การออกแบบมิติ |
สร้างการกำหนดค่าตัวพาเตาเผา |
การออกแบบเซรามิกที่มีความแม่นยำ |
การตัดเฉือนแบบยืดหยุ่น การเคลือบอาจส่งผลต่อความคลาดเคลื่อนขั้นสุดท้าย |
|
การใช้งานทั่วไป |
การแพร่กระจาย, ออกซิเดชัน, LPCVD |
การแพร่กระจายที่อุณหภูมิสูง ออกซิเดชัน การหลอม และ CVD ที่ผ่านการรับรอง |
เลือกการใช้งานที่มีอุณหภูมิสูง บรรยากาศเฉื่อย หรือตัวพาแบบเคลือบ |
เรือเวเฟอร์ SiC บางรุ่นไม่ได้ผลิตจากเกรดเซรามิกเดียวกัน เส้นทางการผลิตที่แตกต่างกันทำให้เกิดโครงสร้างจุลภาคและคุณลักษณะด้านประสิทธิภาพที่แตกต่างกัน
SiC ที่ตกผลึกซ้ำใช้ในส่วนประกอบเซรามิกอุณหภูมิสูงที่ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรม อาจมีความพรุนแบบเปิดอย่างมีนัยสำคัญ ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับเกรด ซึ่งจะต้องพิจารณาเมื่อประเมินการปนเปื้อน การทำความสะอาด และความเข้ากันได้ของกระบวนการ
SiC เผาผนึกแบบไร้แรงดันสามารถให้โครงสร้างเซรามิกหนาแน่นที่มีความแข็งสูง ความแข็งแรงเชิงกล และประสิทธิภาพเชิงความร้อนที่ดี คุณสมบัติที่แท้จริงขึ้นอยู่กับสูตร กระบวนการเผาผนึก และเกรดวัสดุ
โดยทั่วไป SiC ที่เกิดพันธะกับปฏิกิริยาจะมีเฟสซิลิคอนตกค้าง สิ่งนี้สามารถส่งผลต่ออุณหภูมิการบริการสูงสุดและความเข้ากันได้ของสารเคมี ดังนั้นจึงไม่ควรถือว่าขีดจำกัดการทำงานของมันเหมือนกับขีดจำกัดของ RSiC หรือ SSiC
ตัวพาเวเฟอร์กราไฟท์เคลือบ SiC มีโครงสร้างที่แตกต่างจากเรือเวเฟอร์เซรามิก SiC แบบเสาหิน
ใช้ซับสเตรตกราไฟต์ที่ได้รับการปกป้องโดยการเคลือบ SiC ที่สะสมอยู่ การออกแบบดังกล่าวอาจมีข้อได้เปรียบในสภาพแวดล้อมการประมวลผลด้วยความร้อนเฉพาะ แต่ต้องประเมินความสมบูรณ์ของการเคลือบ ขอบที่สัมผัส และการปนเปื้อนที่อาจเกิดขึ้น
ในการใช้งานทางอุตสาหกรรม เรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์กำลังค่อยๆ กลายเป็นตัวเลือกที่ต้องการสำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์ระดับไฮเอนด์ในกระบวนการแปรรูปด้วยความร้อน ตั้งแต่อุปกรณ์ซิลิกอนแบบดั้งเดิมไปจนถึงวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม ไม่เพียงแต่เหมาะสำหรับอุปกรณ์การประมวลผลด้วยความร้อนหลายชนิด เช่น เตาหลอมท่อแนวตั้งและเตาออกซิเดชันแนวนอน แต่ประสิทธิภาพที่มั่นคงในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีฤทธิ์กัดกร่อนสูงยังรับประกันความสม่ำเสมอของกระบวนการและความจุของอุปกรณ์ที่แข็งแกร่งยิ่งขึ้นอีกด้วย
การได้รับความนิยมอย่างค่อยเป็นค่อยไปของเรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์ทำเครื่องหมายการเร่งความเร็วของวัสดุเซรามิกขั้นสูงที่เจาะเข้าไปในส่วนประกอบรองรับหลักของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุควอตซ์แบบดั้งเดิม ข้อดีของพวกมันในด้านความเสถียรที่อุณหภูมิสูง ความแข็งแกร่งของโครงสร้าง และความต้านทานความล้าจากความร้อน มอบรากฐานวัสดุที่เชื่อถือได้สำหรับการพัฒนาอย่างต่อเนื่องของอุณหภูมิที่สูงขึ้นและหน้าต่างกระบวนการที่เข้มงวดมากขึ้น ปัจจุบัน เรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 6 นิ้วและ 8 นิ้วถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในกระบวนการบำบัดความร้อนในการผลิตจำนวนมากของอุปกรณ์ไฟฟ้าในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
ข้อมูลจำเพาะขนาด 12 นิ้วกำลังค่อยๆ ถูกนำมาใช้ในกระบวนการผลิตระดับไฮเอนด์และสายการผลิตขั้นสูง ซึ่งกลายเป็นทิศทางสำคัญสำหรับระยะต่อไปของความร่วมมือด้านอุปกรณ์และวัสดุ ในเวลาเดียวกัน เรือเวเฟอร์ขนาด 2-4 นิ้วยังคงมีบทบาทในแพลตฟอร์มการวิจัยและสถานการณ์กระบวนการเฉพาะ เช่น การประมวลผลซับสเตรต LED และการตรวจสอบกระบวนการ เรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์จะแสดงให้เห็นถึงข้อได้เปรียบที่มากขึ้นในด้านความเสถียร การควบคุมขนาด และความจุของเวเฟอร์ ซึ่งขับเคลื่อนการพัฒนาอย่างต่อเนื่องของเทคโนโลยีวัสดุเซรามิกที่เกี่ยวข้อง
เรือเวเฟอร์จะเก็บเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ไว้ในตำแหน่งที่มีระยะห่างที่แม่นยำในระหว่างการประมวลผลของเตาเผา หน้าที่หลักคือการรองรับทางกล การวางแนวแผ่นเวเฟอร์ และความเข้ากันได้กับสภาพแวดล้อมกระบวนการทางความร้อนและเคมี
โดยทั่วไปแล้ว เรือเวเฟอร์เซรามิก SiC จะมีการนำความร้อนสูงกว่าและมีความสามารถทางกลที่อุณหภูมิสูงมากกว่าสำหรับเกรดที่เหมาะสม เรือเวเฟอร์ควอตซ์มีการขยายตัวทางความร้อนต่ำกว่ามากและมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในกระบวนการเตาเซมิคอนดักเตอร์ที่สะอาด วัสดุที่ต้องการขึ้นอยู่กับสภาพการใช้งาน
ไม่มีการจำกัดอุณหภูมิเดียวสำหรับเรือเวเฟอร์เซรามิก SiC ทั้งหมด อุณหภูมิการทำงานสูงสุดขึ้นอยู่กับเกรด SiC บรรยากาศเตาเผา ภาระทางกล ระยะเวลาการสัมผัส และวงจรความร้อน ส่วนประกอบที่เสร็จแล้วต้องมีคุณสมบัติตามเงื่อนไขของกระบวนการที่ต้องการ
ได้ เรือเวเฟอร์เซรามิก SiC ที่ผ่านการคัดเลือกและผ่านการรับรองอย่างเหมาะสม สามารถใช้ในการใช้งานการแพร่กระจายและออกซิเดชันได้ เคมีของวัสดุ ความสะอาดพื้นผิว การออกแบบทางกล และความเข้ากันได้กับก๊าซในกระบวนการต้องได้รับการตรวจสอบ
เรือเวเฟอร์สามารถออกแบบสำหรับการกำหนดค่าเตาเผาที่แตกต่างกัน ขนาดเวเฟอร์ จำนวนช่อง ระยะพิทช์ และรูปทรงรองรับ ขึ้นอยู่กับความเป็นไปได้ในการผลิตและการตรวจสอบการออกแบบ
เรือเวเฟอร์เซรามิก SiC แบบแข็งใช้ตัวเครื่องเซรามิก ในขณะที่ตัวพากราไฟท์ที่เคลือบด้วย SiC ใช้ซับสเตรตกราไฟท์ที่มีชั้น SiC ที่ป้องกัน การตอบสนองต่อความร้อน กลไกความล้มเหลว ความเสี่ยงในการปนเปื้อน และขีดจำกัดในการให้บริการแตกต่างกัน
สาเหตุที่เป็นไปได้ ได้แก่ การเสียดสีทางกล รูปทรงหน้าสัมผัสแผ่นเวเฟอร์ที่ไม่เหมาะสม การสะสมของฟิล์ม ความเสียหายจากความร้อน ข้อบกพร่องที่พื้นผิว และการปนเปื้อนระหว่างการจัดการหรือการทำความสะอาด การวิเคราะห์สาเหตุที่แท้จริงควรพิจารณาถึงวัสดุพาหะและกระบวนการเตาเผาจริง
+86-579-87223657
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
ลิขสิทธิ์© 2024 WuYi TianYao ใหม่วัสดุ Tech.Co.,Ltd. สงวนลิขสิทธิ์.
Links | Sitemap | RSS | XML | นโยบายความเป็นส่วนตัว |