ข้อมูลผลิตภัณฑ์ทั่วไป
สถานที่กำเนิด: จีน ชื่อแบรนด์: คู่แข่งของฉัน หมายเลขรุ่น: แหวนกราไฟท์เคลือบ CVD TaC-01 การรับรอง: ISO9001
เงื่อนไขทางธุรกิจผลิตภัณฑ์
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: ขึ้นอยู่กับการเจรจา ราคา: ติดต่อเพื่อขอใบเสนอราคาที่กำหนดเอง รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: แพคเกจการส่งออกมาตรฐาน เวลาจัดส่ง: เวลาจัดส่ง: 30-45 วันหลังจากยืนยันการสั่งซื้อ เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที ความสามารถในการจัดหา: 200 หน่วย/เดือน
แอปพลิเคชัน: Veteksemicon CVD TaC Coated Ring ได้รับการพัฒนาเป็นพิเศษสำหรับกระบวนการเติบโตของผลึก SiC- ในฐานะส่วนประกอบสำคัญในการรับน้ำหนักภายในห้องปฏิกิริยาอุณหภูมิสูง การเคลือบ TaC ที่เป็นเอกลักษณ์ของมันจะแยกการกัดกร่อนของไอซิลิคอนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ป้องกันการปนเปื้อนของสิ่งเจือปน และรับประกันความเสถียรของโครงสร้างในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงในระยะยาว ให้การรับประกันที่เชื่อถือได้สำหรับการได้รับคริสตัลคุณภาพสูง บริการที่สามารถให้ได้: การวิเคราะห์สถานการณ์การใช้งานของลูกค้า การจับคู่วัสดุ การแก้ปัญหาทางเทคนิค ประวัติบริษัทe:Veteksemicon มีห้องปฏิบัติการ 2 แห่ง ซึ่งเป็นทีมผู้เชี่ยวชาญที่มีประสบการณ์ด้านวัสดุมาเป็นเวลา 20 ปี พร้อมด้วยความสามารถในการวิจัยและพัฒนา การผลิต การทดสอบ และการตรวจสอบ
แอปพลิเคชัน: Veteksemicon CVD TaC Coated Ring ได้รับการพัฒนาเป็นพิเศษสำหรับกระบวนการเติบโตของผลึก SiC- ในฐานะส่วนประกอบสำคัญในการรับน้ำหนักภายในห้องปฏิกิริยาอุณหภูมิสูง การเคลือบ TaC ที่เป็นเอกลักษณ์ของมันจะแยกการกัดกร่อนของไอซิลิคอนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ป้องกันการปนเปื้อนของสิ่งเจือปน และรับประกันความเสถียรของโครงสร้างในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงในระยะยาว ให้การรับประกันที่เชื่อถือได้สำหรับการได้รับคริสตัลคุณภาพสูง
บริการที่สามารถให้ได้: การวิเคราะห์สถานการณ์การใช้งานของลูกค้า การจับคู่วัสดุ การแก้ปัญหาทางเทคนิค
ประวัติบริษัทe:Veteksemicon มีห้องปฏิบัติการ 2 แห่ง ซึ่งเป็นทีมผู้เชี่ยวชาญที่มีประสบการณ์ด้านวัสดุมาเป็นเวลา 20 ปี พร้อมด้วยความสามารถในการวิจัยและพัฒนา การผลิต การทดสอบ และการตรวจสอบ
คู่แข่งของฉัน CVD TaC Coated Ring เป็นวัสดุสิ้นเปลืองหลักที่ออกแบบมาสำหรับการสะสมไอสารเคมีที่อุณหภูมิสูงและการเจริญเติบโตของผลึกของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยเฉพาะซิลิคอนคาร์ไบด์ เราใช้เทคโนโลยีการตกสะสมไอสารเคมีที่มีเอกลักษณ์และเหมาะสมที่สุดเพื่อสร้างความหนาแน่นและสม่ำเสมอการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์บนพื้นผิวกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง ด้วยความต้านทานต่ออุณหภูมิสูงเป็นพิเศษ ความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเยี่ยม และอายุการใช้งานที่ยาวนานมาก ผลิตภัณฑ์นี้ปกป้องคุณภาพของคริสตัลได้อย่างมีประสิทธิภาพและลดต้นทุนการผลิตโดยรวมของคุณอย่างมาก ทำให้เป็นตัวเลือกที่จำเป็นสำหรับกระบวนการที่ต้องการความเสถียรของกระบวนการและผลผลิตสูงสุด
พารามิเตอร์ทางเทคนิค:
ความบริสุทธิ์และความมั่นคงที่ไม่มีใครเทียบได้
ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรงของการเติบโตของคริสตัล SiC ซึ่งมีอุณหภูมิสูงกว่า 2000°C แม้แต่สิ่งเจือปนเล็กน้อยก็สามารถทำลายคุณสมบัติทางไฟฟ้าของคริสตัลทั้งหมดได้ ของเราการเคลือบ CVD TaCด้วยความบริสุทธิ์เป็นพิเศษ ช่วยขจัดสิ่งปนเปื้อนออกจากวงแหวนโดยพื้นฐาน นอกจากนี้ ความเสถียรที่อุณหภูมิสูงที่ยอดเยี่ยมยังช่วยให้แน่ใจว่าการเคลือบจะไม่สลายตัว ระเหย หรือทำปฏิกิริยากับก๊าซในกระบวนการในระหว่างการหมุนเวียนที่อุณหภูมิสูงและด้วยความร้อนเป็นเวลานาน ทำให้เกิดสภาพแวดล้อมเฟสไอที่บริสุทธิ์และเสถียรสำหรับการเจริญเติบโตของผลึก
การกัดกร่อนได้ดีเยี่ยมและความต้านทานการกัดกร่อน
การกัดกร่อนของกราไฟท์โดยไอซิลิคอนเป็นสาเหตุหลักของความล้มเหลวและการปนเปื้อนของอนุภาคในวงแหวนกราไฟท์แบบดั้งเดิม การเคลือบ TaC ของเราซึ่งมีปฏิกิริยาทางเคมีกับซิลิคอนต่ำมาก สามารถปิดกั้นไอซิลิคอนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ปกป้องซับสเตรตของกราไฟท์ที่อยู่ด้านล่างจากการกัดเซาะ ซึ่งไม่เพียงแต่ช่วยยืดอายุการใช้งานของวงแหวนได้อย่างมาก แต่ที่สำคัญกว่านั้น ยังช่วยลดอนุภาคที่เกิดจากการกัดกร่อนของสารตั้งต้นและการหลุดร่อนได้อย่างมาก ซึ่งช่วยเพิ่มผลผลิตการเติบโตของคริสตัลและคุณภาพภายในได้โดยตรง
สมรรถนะทางกลและอายุการใช้งานที่ยอดเยี่ยม
การเคลือบ TaC ที่เกิดจากกระบวนการ CVD มีความหนาแน่นสูงมากและมีความแข็งแบบ Vickers ทำให้ทนทานต่อการสึกหรอและแรงกระแทกทางกายภาพได้อย่างมาก ในการใช้งานจริง ผลิตภัณฑ์ของเราสามารถยืดอายุการใช้งานได้ 3 ถึง 8 เท่า เมื่อเทียบกับวงแหวนกราไฟท์แบบดั้งเดิมหรือวงแหวนเคลือบไพโรไลติกคาร์บอน/ซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งหมายความว่าเวลาหยุดทำงานน้อยลงสำหรับการเปลี่ยนและการใช้อุปกรณ์ที่สูงขึ้น ซึ่งช่วยลดต้นทุนโดยรวมของการผลิตผลึกเดี่ยวได้อย่างมาก
คุณภาพการเคลือบที่ดีเยี่ยม
ประสิทธิภาพของสารเคลือบขึ้นอยู่กับความสม่ำเสมอและความแข็งแรงในการยึดเกาะเป็นอย่างมาก กระบวนการ CVD ที่ได้รับการปรับปรุงของเราช่วยให้เราสามารถบรรลุความหนาของการเคลือบที่สม่ำเสมอสูง แม้แต่รูปทรงวงแหวนที่ซับซ้อนที่สุด ที่สำคัญกว่านั้น การเคลือบจะสร้างพันธะโลหะที่แข็งแกร่งกับซับสเตรตกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งป้องกันการหลุดลอก การแตกร้าว หรือการหลุดล่อนอย่างมีประสิทธิภาพซึ่งเกิดจากความแตกต่างของค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนในระหว่างรอบการให้ความร้อนและความเย็นอย่างรวดเร็ว ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้อย่างต่อเนื่องตลอดวงจรชีวิตของผลิตภัณฑ์
การรับรองการตรวจสอบห่วงโซ่ทางนิเวศวิทยา
การตรวจสอบห่วงโซ่ทางนิเวศของ Veteksemicon CVD TaC Coated Ring ครอบคลุมถึงวัตถุดิบจนถึงการผลิต ผ่านการรับรองมาตรฐานสากล และมีเทคโนโลยีที่ได้รับการจดสิทธิบัตรมากมายเพื่อให้มั่นใจในความน่าเชื่อถือและความยั่งยืนในสาขาเซมิคอนดักเตอร์และพลังงานใหม่
หากต้องการทราบข้อกำหนดทางเทคนิคโดยละเอียด เอกสารไวท์เปเปอร์ หรือการเตรียมการทดสอบตัวอย่าง โปรดติดต่อทีมสนับสนุนด้านเทคนิคของเราเพื่อสำรวจว่า Veteksemicon สามารถเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการของคุณได้อย่างไร
ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
โทร
+86-18069220752
อีเมล
anny@veteksemi.com
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek