<![CDATA[WuYi TianYao ใหม่วัสดุ Tech.Co.,Ltd.]]>thMon, 12 Oct 2026 18:22:43 GMTMon, 12 Oct 2026 18:22:43 GMT<![CDATA[ภายในเวิร์คช็อป VETEK CNC Precision Machining: การสร้างรากฐานของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความบริสุทธิ์สูง]]>news-8917<![CDATA[Vetek Semiconductor ที่ CSEAC 2026: การพัฒนาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ ส่วนประกอบหลัก และการทำงานร่วมกันทั่วโลก]]>news-8676<![CDATA[VETEK เซมิคอนดักเตอร์ | ผู้ผลิตการเคลือบ CVD SiC/TaC, Solid SiC และวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่สำคัญ]]>news-8111<![CDATA[ฐานการผลิตเซมิคอนดักเตอร์แห่งใหม่ของ VETEK เข้าสู่ขั้นตอนการก่อสร้างห้องคลีนรูม]]>news-7589<![CDATA[VeTek Semiconductor ที่ SNEC 2026 เซี่ยงไฮ้: วัสดุที่ล้ำหน้าสำหรับการผลิตพลังงานแสงอาทิตย์รุ่นต่อไป]]>news-7355<![CDATA[VETEK เฉลิมฉลองพิธีปิดฐานการผลิตเซมิคอนดักเตอร์แห่งใหม่]]>news-7351<![CDATA[ยินดีต้อนรับลูกค้าเข้าเยี่ยมชมการเคลือบ SIC/ TAC ของ Veteksemicon และโรงงานกระบวนการ epitaxy]]>news-1057<![CDATA[ยินดีต้อนรับลูกค้าเข้าเยี่ยมชมโรงงานผลิตภัณฑ์คาร์บอนไฟเบอร์ของ Veteksemicon]]>news-5172<![CDATA[ตัวพาเวเฟอร์เคลือบ SiC สำหรับ MOCVD: ความสม่ำเสมอทางความร้อน ผลผลิต และอายุการใช้งาน]]>news-8967<![CDATA[เหตุใดกราไฟท์จึงเคลือบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ Epitaxy]]>news-8829<![CDATA[ตัวรับกราไฟท์ที่เคลือบด้วย SiC: มันส่งผลต่อความสม่ำเสมอของ Epitaxy และคุณภาพของเวเฟอร์อย่างไร？]]>news-8823<![CDATA[การเคลือบ CVD ซิลิคอนคาร์ไบด์สะสมบนกราไฟท์อย่างไร]]>news-8727<![CDATA[การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์คืออะไร? กระบวนการ CVD คุณสมบัติ และการใช้เซมิคอนดักเตอร์]]>news-8720<![CDATA[การเคลือบ CVD ใน Epitaxy ของเซมิคอนดักเตอร์: พารามิเตอร์ทางวิศวกรรม การเลือก SiC/TaC และการควบคุมความล้มเหลว]]>news-8680<![CDATA[การเคลือบ TaC: ผู้รักษาประตูแห่งผลผลิตสำหรับซิลิคอนคาร์ไบด์ PVT Epitaxy ขนาด 8 นิ้ว]]>news-8567<![CDATA[วัสดุพิมพ์กับ Epitaxy: บทบาทสำคัญในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์]]>news-8469<![CDATA[การแก้ไขขอบเคลือบ SiC สีเหลืองเพื่อเพิ่มผลผลิต CVD จาก 50% เป็น 90%]]>news-8319<![CDATA[วิธีแก้ปัญหาความผันแปรแบบ Pocket-to-Pocket ในตัวรับกราไฟท์แบบ Multi-Pocket Silicon Epitaxy Graphite]]>news-8230<![CDATA[MOCVD SiC การวิเคราะห์การแตกร้าวของตัวรับกราไฟท์เคลือบและกรณีศึกษาการเพิ่มประสิทธิภาพความเครียดจากความร้อน]]>news-8221<![CDATA[จาก 4 นิ้วเป็น 8 นิ้ว: ทศวรรษแห่งการเติบโตของ SiC Semiconductor]]>news-8166<![CDATA[เหตุใดตัวรับกราไฟท์เคลือบ SiC จึงจำเป็นสำหรับเอพิแทกซีของเซมิคอนดักเตอร์]]>news-7945<![CDATA[เหตุใดเครื่องทำความร้อนกราไฟท์เคลือบ TaC จึงกลายเป็นอนาคตของ GaN MOCVD Epitaxy]]>news-7941<![CDATA[การเคลือบ TaC ช่วยเพิ่มการเติบโตของคริสตัล SiC ในการใช้งาน PVT ได้อย่างไร]]>news-7789<![CDATA[เหตุใดการเคลือบ TaC จึงกลายเป็นตัวเลือกที่ต้องการสำหรับส่วนประกอบกราไฟท์แบบเซมิคอนดักเตอร์]]>news-7783<![CDATA[วงแหวนกราไฟท์เคลือบไพโรไลติกคาร์บอน (PyC): การปรับปรุงความน่าเชื่อถือในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง]]>news-7590<![CDATA[เหตุใด CVD TaC จึงเคลือบ "เกราะอุณหภูมิสูง" ในเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม]]>news-7347<![CDATA[ส่วนประกอบ Aixtron G10: ชิ้นส่วนสำคัญสำหรับ SiC Epitaxy ประสิทธิภาพสูง]]>news-7344<![CDATA[ฮาล์ฟมูนในห้องปฏิกิริยา LPE คืออะไร?]]>news-7221<![CDATA[เพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของ MicroLED ด้วยพื้นผิว SiC และการเคลือบขั้นสูง]]>news-7089<![CDATA[การเคลือบ CVD SiC: กระบวนการ คุณประโยชน์ และการใช้งาน]]>news-7079<![CDATA[การเพิ่มผลผลิต Fab สูงสุด: เพราะเหตุใด CVD Solid SiC จึงเป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับชิ้นส่วนในห้องวิกฤต]]>news-6927<![CDATA[วิวัฒนาการของ CVD-SiC จากการเคลือบฟิล์มบางไปจนถึงวัสดุเทกอง]]>news-6828<![CDATA[คอขวดที่มองไม่เห็นในการเติบโตของ SiC: เหตุใดวัตถุดิบ SiC CVD จำนวนมาก 7N จึงเข้ามาแทนที่ผงแบบดั้งเดิม]]>news-6826<![CDATA[PZT เวเฟอร์เพียโซอิเล็กทริก: โซลูชันประสิทธิภาพสูงสำหรับ MEMS ยุคถัดไป]]>news-6689<![CDATA[ตัวรับที่มีความบริสุทธิ์สูง: กุญแจสำคัญสู่ผลผลิตเวเฟอร์เซมิคอนที่ปรับแต่งได้ในปี 2569]]>news-6684<![CDATA[การเคลือบ SiC กับ TaC: สุดยอดเกราะสำหรับตัวรับกราไฟท์ในการประมวลผลแบบกึ่งกำลังอุณหภูมิสูง]]>news-6678<![CDATA[ค่าวิกฤตของการวางแผนเชิงกลเคมี (CMP) ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม]]>news-6484<![CDATA[กุญแจสู่ประสิทธิภาพและการเพิ่มประสิทธิภาพต้นทุน: การวิเคราะห์การควบคุมเสถียรภาพของสารละลาย CMP และกลยุทธ์การคัดเลือก]]>news-6477<![CDATA[เนื้อหาภายในการผลิตวงแหวนโฟกัส CVD SiC แบบแข็ง: ตั้งแต่กราไฟต์ไปจนถึงชิ้นส่วนที่มีความแม่นยำสูง]]>news-6416<![CDATA[การใช้งานควอตซ์ที่หลากหลายในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มีอะไรบ้าง]]>news-6289<![CDATA[วิธีแก้ปัญหาข้อบกพร่องในการห่อหุ้มคาร์บอนในพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์]]>news-6281<![CDATA[เรือเวเฟอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) คืออะไร?]]>news-6142<![CDATA[เหตุใดการเติบโตของคริสตัล SiC PVT จึงมีเสถียรภาพในการผลิตจำนวนมาก]]>news-6131<![CDATA[การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บรรลุการบริการระยะยาวได้อย่างไรภายใต้การหมุนเวียนความร้อนที่รุนแรง]]>news-5955<![CDATA[การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ทำให้สนามความร้อน PVT มีความเสถียรได้อย่างไร]]>news-5937<![CDATA[เหตุใดการเติบโตของคริสตัล PVT ของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ไม่สามารถทำได้หากไม่มีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC)]]>news-5925<![CDATA[วิธีการตัดเฉือนและการแปรรูปสำหรับเซรามิกอะลูมิเนียมออกไซด์มีอะไรบ้าง]]>news-5716<![CDATA[เหตุใดจึงมีการใช้ CO₂ ในระหว่างกระบวนการหั่นเวเฟอร์]]>news-5710<![CDATA[Notch on Wafers คืออะไร?]]>news-5700<![CDATA[การล้างจานและการกัดเซาะในกระบวนการ CMP คืออะไร]]>news-5688<![CDATA[VETEK จะเข้าร่วมงาน SEMICON Europa 2025 ที่เมืองมิวนิก ประเทศเยอรมนี]]>news-5678<![CDATA[Silicon Wafer CMP Polishing Slurry คืออะไร]]>news-5447<![CDATA[กระบวนการเตรียมสารละลายขัดเงา CMP คืออะไร]]>news-5434<![CDATA[Wafer CMP Polishing Slurry คืออะไร?]]>news-5422<![CDATA[สรุปกระบวนการผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)]]>news-5206<![CDATA[เทคโนโลยี CMP เปลี่ยนโฉมภูมิทัศน์ของการผลิตชิปอย่างไร]]>news-5194<![CDATA[ถังเก็บความร้อนแบบควอตซ์คืออะไร?]]>news-5182<![CDATA[การประยุกต์ใช้ส่วนประกอบควอตซ์ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์]]>news-4775<![CDATA[ความท้าทายของเตาหลอมการเจริญเติบโตของซิลิกอนคาร์ไบด์]]>news-4756<![CDATA[เทคโนโลยีการตัดอัจฉริยะสำหรับเวเฟอร์ซิลิคอนลูกบาศก์]]>news-4745<![CDATA[วัสดุหลักสำหรับการเติบโตของ SIC คืออะไร?]]>news-4725 2000 ℃) และลักษณะการจับคู่ขัดแตะช่วยเพิ่มคุณภาพของเวเฟอร์ epitaxial sic อย่างมีนัยสำคัญลดความหนาแน่นของข้อบกพร่องมากกว่า 40%ซึ่งเป็นโซลูชันพื้นผิวที่เหมาะสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์พลังงาน]]><![CDATA[เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามคืออะไร?]]>news-4716<![CDATA[ชัคไฟฟ้าสถิต (ESC) คืออะไร?]]>news-4704<![CDATA[งานวิจัยเกี่ยวกับเทคโนโลยีผู้ให้บริการ SIC WAFER]]>news-4685<![CDATA[วัสดุอะไรที่ใช้ในส่วนประกอบเซรามิกเซมิคอนดักเตอร์?]]>news-4677<![CDATA[อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามคืออะไร?]]>news-4432<![CDATA[อุปกรณ์ควอตซ์ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์]]>news-4431<![CDATA[‌ การเปลี่ยนข้อบกพร่องและความบริสุทธิ์ในผลึก SIC โดยการเคลือบ TAC]]>news-4430การเติบโต 2,600 ° C)]]><![CDATA[Sic Ceramic คืออะไร?]]>news-4429<![CDATA[ชัคไฟฟ้าสถิต (ESC) คืออะไร?]]>news-4428<![CDATA[จากกระบวนการผลิตถ้วยดูดไฟฟ้าสถิตไปจนถึงผู้ผลิตจำนวนมาก]]>news-4322<![CDATA[คาร์บอนแก้วคืออะไร - Veteksemicon]]>news-4208<![CDATA[เซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์คืออะไร?]]>news-4207<![CDATA[Tantalum Carbide (TAC)？ คืออะไร]]>news-4206<![CDATA[แผ่นเซรามิกซิลิคอนที่มีรูพรุน (SIC): วัสดุประสิทธิภาพสูงในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์]]>news-3912<![CDATA[เรือควอตซ์คืออะไร?]]>news-3911<![CDATA[เรือกราไฟท์ Pecvd คืออะไร?]]>news-3910<![CDATA[จะเลือกถาดกราไฟท์ MOCVD ได้อย่างไร?]]>news-3909<![CDATA[อะไรคือความแตกต่างระหว่างกราไฟท์ isotropic และกราไฟท์ซิลิโคน]]>news-3908<![CDATA[ซิลิคอนคาร์ไบด์เซรามิกคืออะไร?]]>news-3907<![CDATA[กราไฟท์ที่มีรูพรุนช่วยเพิ่มการเจริญเติบโตของคริสตัลซิลิกอนคาร์ไบด์ได้อย่างไร?]]>news-3230<![CDATA[นวัตกรรมเทคโนโลยี CVD ที่อยู่เบื้องหลังรางวัลโนเบล]]>news-3224<![CDATA[ไวยากรณ์กราไฟท์ที่เคลือบด้วย SIC คืออะไร?]]>news-3217<![CDATA[กราไฟท์ที่มีรูพรุนที่มีความบริสุทธิ์สูงคืออะไร?]]>news-3208<![CDATA[ซัพพลายเออร์วัสดุควอตซ์ 3 อันดับแรกของโลก]]>news-3202<![CDATA[การเติบโตของคริสตัลซิลิกอนคาร์ไบด์คืออะไร?]]>news-3195<![CDATA[กระบวนการ epitaxial คืออะไร?]]>news-3182<![CDATA[จะบรรลุการเติบโตของคริสตัลคุณภาพสูงได้อย่างไร? - เตาหลอมการเจริญเติบโตของคริสตัล]]>news-3167<![CDATA[ผู้ผลิตกราไฟท์ที่ทรงพลังที่สุดสี่รายในโลก - Vetek]]>news-3143<![CDATA[การเคลือบ SIC ช่วยปรับปรุงความต้านทานออกซิเดชันของคาร์บอนรู้สึกอย่างไร？]]>news-3141<![CDATA[เทคโนโลยีการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวสามแบบ SIC]]>news-3126<![CDATA[แอปพลิเคชันและการวิจัยของเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์ในสาขาโซลาร์เซลล์ - Vetek Semiconductor]]>news-3117<![CDATA[กระบวนการเคลือบ CVD TaC สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว SiC เผชิญกับความท้าทายอะไรบ้างในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์]]>news-3110<![CDATA[เหตุใดการเคลือบ Tantalum Carbide (TAC) จึงเหนือกว่าการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ในการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC? - Vetek Semiconductor]]>news-3104<![CDATA[มีอุปกรณ์วัดอะไรบ้างในโรงงาน Fab? - Vetek Semiconductor]]>news-3100<![CDATA[การเคลือบ TaC ช่วยยืดอายุการใช้งานของส่วนประกอบกราไฟท์ได้อย่างไร - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์]]>news-3096<![CDATA[แอพพลิเคชั่นที่เฉพาะเจาะจงของชิ้นส่วนที่เคลือบด้วย TAC ในฟิลด์เซมิคอนดักเตอร์คืออะไร]]>news-3093<![CDATA[เหตุใดตัวรับกราไฟท์ที่เคลือบด้วย SiC จึงล้มเหลว - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์]]>news-2674<![CDATA[อะไรคือความแตกต่างระหว่างเทคโนโลยี MBE และ MOCVD?]]>news-2673<![CDATA[แทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุน: วัสดุเจเนอเรชั่นใหม่สำหรับการเติบโตของคริสตัล SiC]]>news-2672<![CDATA[Epi epitaxial Furnace คืออะไร? - Vetek Semiconductor]]>news-2671<![CDATA[กระบวนการเซมิคอนดักเตอร์: การสะสมไอสารเคมี (CVD)]]>news-2549<![CDATA[วิธีแก้ปัญหาการเผารอยแตกในเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์? - Vetek Semiconductor]]>news-2548<![CDATA[การเจริญเติบโตของ epitaxial ที่ควบคุมขั้นตอนคืออะไร？]]>news-2312<![CDATA[ปัญหาในกระบวนการแกะสลัก]]>news-2311<![CDATA[เซรามิก Sic ที่กดร้อนคืออะไร?]]>news-2310<![CDATA[การประยุกต์วัสดุสนามความร้อนที่มีคาร์บอนเป็นส่วนประกอบหลักในการเจริญเติบโตของผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์]]>news-2309<![CDATA[เหตุใดการเคลือบ SiC จึงได้รับความสนใจอย่างมาก - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์]]>news-2308<![CDATA[เหตุใด 3C-SIC จึงโดดเด่นในหมู่ polymorphs SIC มากมาย? - Vetek Semiconductor]]>news-2307<![CDATA[Diamond - ดาวดวงอนาคตของเซมิคอนดักเตอร์]]>news-2170<![CDATA[การใช้งานซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) แตกต่างกันอย่างไร - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์]]>news-2109<![CDATA[หลักการและเทคโนโลยีการเคลือบไอน้ำ (PVD) (2/2) - Vetek Semiconductor (PVD)]]>news-1985<![CDATA[หลักการและเทคโนโลยีของการเคลือบด้วยการสะสมไอทางกายภาพ (1/2) - Vetek Semiconductor]]>news-1984<![CDATA[กราไฟท์ที่มีรูพรุนคืออะไร? - Vetek Semiconductor]]>news-1983<![CDATA[ความแตกต่างระหว่างการเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์และการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์คืออะไร?]]>news-1982<![CDATA[คำอธิบายที่สมบูรณ์ของกระบวนการผลิตชิป (2/2): จากเวเฟอร์ไปจนถึงบรรจุภัณฑ์และการทดสอบ]]>news-1827<![CDATA[คำอธิบายที่สมบูรณ์ของกระบวนการผลิตชิป (1/2): จากเวเฟอร์ไปจนถึงบรรจุภัณฑ์และการทดสอบ]]>news-1826<![CDATA[คุณรู้เรื่องแซฟไฟร์มากแค่ไหน?]]>news-1724<![CDATA[อุณหภูมิการไล่ระดับสีของสนามความร้อนของเตาหลอมคริสตัลเดี่ยวคืออะไร?]]>news-1717<![CDATA[กระบวนการไทโกะสามารถสร้างเวเฟอร์ซิลิคอนบาง ๆ ได้อย่างไร?]]>news-1053<![CDATA[เตาแบบ epitaxial sic ขนาด 8 นิ้วและการวิจัยกระบวนการ homoepitaxial]]>news-1050<![CDATA[เวเฟอร์ซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์: คุณสมบัติของวัสดุของซิลิคอน, GaAs, SiC และ GaN]]>news-1045<![CDATA[เทคโนโลยี epitaxy อุณหภูมิต่ำที่ใช้ GAN]]>news-1040<![CDATA[ความแตกต่างระหว่าง CVD TAC และ TAC ที่ถูกเผาคืออะไร?]]>news-1036<![CDATA[วิธีเตรียมการเคลือบ CVD TAC? - Veteksemicon]]>news-1034<![CDATA[การเคลือบ Tantalum Carbide TAC คืออะไร? - Veteksemicon]]>news-1029<![CDATA[เหตุใดการเคลือบ SIC จึงเป็นวัสดุหลักสำคัญสำหรับการเติบโตของ sic epitaxial?]]>news-1025<![CDATA[วัสดุนาโนซิลิกอนคาร์ไบด์]]>news-1020<![CDATA[คุณรู้มากแค่ไหนเกี่ยวกับ CVD SIC? - Vetek Semiconductor]]>news-1011<![CDATA[การเคลือบ TAC คืออะไร? - Vetek Semiconductor]]>news-1001<![CDATA[คุณรู้เกี่ยวกับ MOCVD venceptor หรือไม่?]]>news-1006<![CDATA[PVT ทำงานภายใน SiC Crystal Growth Furnace อย่างไร]]>news-9018<![CDATA[เหตุใดแหวนกราไฟท์เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) ที่มีรูพรุนจึงมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการเติบโตของคริสตัล SiC ที่เชื่อถือได้]]>news-8467<![CDATA[การปรับแต่งฟิกซ์เจอร์กราไฟท์พิเศษ GTMS/CTMS: โซลูชันการตัดเฉือนลึกระดับไมโคร]]>news-8416<![CDATA[เหตุใดเรือเวเฟอร์ควอตซ์ที่มีความบริสุทธิ์สูงสำหรับ TEL จึงกลายเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง]]>news-8327<![CDATA[เบ้าหลอมกราไฟท์เคลือบคาร์บอนแบบแก้วสามารถปรับปรุงกระบวนการแปรรูปวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อุณหภูมิสูงได้อย่างไร]]>news-8067<![CDATA[เหตุใดผ้าสักหลาดแข็งกราไฟท์ไฮเปอร์เพียวจึงจำเป็นสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง]]>news-7934<![CDATA[ท่อ SiC Diffusion Furnace เป็นทางออกที่ดีที่สุดสำหรับการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูงหรือไม่]]>news-7787<![CDATA[เหตุใดเบ้าหลอมกราไฟท์เคลือบคาร์บอนแบบแก้วจึงเป็นตัวเลือกที่ต้องการสำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความบริสุทธิ์สูงและการเติบโตของคริสตัล]]>news-7716<![CDATA[เหตุใดวงแหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์จึงจำเป็นสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง]]>news-7591<![CDATA[เหตุใดเตาเร่งการเจริญเติบโต SiC Crystal ที่ให้ความร้อนด้วยความต้านทานขนาดใหญ่จึงเป็นกุญแจสำคัญในการผลิตเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์คุณภาพสูง]]>news-7363<![CDATA[อะไรทำให้ตัวรับกราไฟท์เคลือบ SiC สำหรับ ASM จำเป็นต่อผลลัพธ์ Epitaxy ที่เสถียร]]>news-7232<![CDATA[อะไรทำให้การเคลือบ CVD TaC เชื่อถือได้สำหรับการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง]]>news-7093<![CDATA[เหตุใดเรือกราไฟท์สำหรับ PECVD จึงมีความสำคัญอย่างมากต่อคุณภาพฟิล์มและความเสถียรในการผลิต]]>news-7016<![CDATA[ประสิทธิภาพของเบ้าหลอมควอตซ์ของเซมิคอนดักเตอร์ส่งผลต่อเสถียรภาพการเติบโตของคริสตัลอย่างไร]]>news-6931<![CDATA[อะไรทำให้ผงกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงจำเป็นต่อการใช้งานด้านเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงและอุตสาหกรรม]]>news-6617<![CDATA[วงแหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์คืออะไร และเหตุใดจึงมีความสำคัญในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์]]>news-6491<![CDATA[อะไรทำให้เรือเวเฟอร์เซรามิก SiC จำเป็นสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์สมัยใหม่]]>news-6295<![CDATA[ข้อดีของวงแหวนเคลือบ TaC ในการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์คืออะไร]]>news-6137<![CDATA[อะไรทำให้อ่างควอตซ์มีความบริสุทธิ์สูงจำเป็นต่อกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง]]>news-5949<![CDATA[เหตุใดผง SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงควรเป็นหัวใจของระบบไฟฟ้า EV ถัดไปของคุณ]]>news-5464<![CDATA[‌VETEK จะเข้าร่วมในนิทรรศการ SEMICON Europa ปี 2025 ที่เมืองมิวนิก ประเทศเยอรมนี]]>news-5457<![CDATA[เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์สามารถทนต่อสภาพแวดล้อมทางอุตสาหกรรมที่รุนแรงได้หรือไม่]]>news-5219<![CDATA[กราไฟท์ที่มีรูพรุนเป็นกุญแจสำคัญในการชาร์จแบตเตอรี่ที่เร็วขึ้น]]>news-4765<![CDATA[กราไฟท์ isotropic สามารถทนต่อความร้อนสูงในเตาเผาอุณหภูมิสูง]]>news-4733<![CDATA[ยังคงกังวลเกี่ยวกับประสิทธิภาพของวัสดุในสภาพแวดล้อมที่อุณหภูมิสูงหรือไม่?]]>news-4694<![CDATA[Veteksemicon โดดเด่นที่งานแสดงสินค้านานาชาติ Shanghai SEMICON ปี 2025]]>news-4122<![CDATA[การผลิตชิป: การสะสมชั้นอะตอม (ALD)]]>news-1014<![CDATA[กระบวนการ epitaxy ของเซมิคอนดักเตอร์คืออะไร?]]>news-994<![CDATA[ความแตกต่างระหว่าง epitaxy และ ALD คืออะไร?]]>news-992<![CDATA[การเคลือบ CVD TAC คืออะไร? - Veteksemi]]>news-991<![CDATA[ม้วน ผู้ผลิตรายใหญ่สองรายกำลังจะผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 8 นิ้ว]]>news-619<![CDATA[ความก้าวหน้าของเทคโนโลยี epitaxis SiC ขนาด 200 มม. ของอิตาลี]]>news-618<![CDATA[การออกแบบสนามความร้อนสำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC]]>news-617<![CDATA[ประวัติการพัฒนาของ 3c sic]]>news-615<![CDATA[สูตรการสะสมชั้นอะตอมของ ALD]]>news-614<![CDATA[การพัฒนาเทคโนโลยี Tantalum Carbide, มลพิษ epitaxial sic ลดลง 75%?]]>news-613<![CDATA[การประยุกต์ใช้เทคโนโลยีการพิมพ์ 3 มิติในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์]]>news-276<![CDATA[เทคโนโลยีการเตรียม epitaxy ซิลิคอน (SI)]]>news-275<![CDATA[ใช้เทคโนโลยีเตาหลอมการเจริญเติบโตของซิลิคอนขนาด 8 นิ้วคาร์ไบด์เดี่ยว]]>news-274<![CDATA[มีรายงานว่าบริษัทจีนกำลังพัฒนาชิป 5 นาโนเมตรร่วมกับ Broadcom!]]>news-273<![CDATA[Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: คาดชิป SiC ขนาด 8 นิ้ว เริ่มผลิตเดือนธันวาคม!]]>news-272<![CDATA[การใช้ชิ้นส่วนกราไฟท์เคลือบ TaC ในเตาหลอมคริสตัลเดี่ยว]]>news-271<![CDATA[เส้นทางทางเทคนิคที่แตกต่างกันของเตาหลอมการเจริญเติบโตของ sic epitaxial]]>news-270<![CDATA[วัสดุของ silicon carbide epitaxy]]>news-54<![CDATA[ลักษณะของซิลิคอน epitaxy]]>news-53<![CDATA[การใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่เป็นของแข็ง]]>news-52