บริการด้านเทคนิค

บริการด้านเทคนิค

1.การทำให้บริสุทธิ์และการทำแผนที่

บริการทางเทคนิคของ VeTek Semiconductor ครอบคลุมการทำให้บริสุทธิ์และการทำแผนที่วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ต่างๆ โดยมีเป้าหมายเพื่อให้ลูกค้าได้รับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูงสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย เรามีเทคโนโลยีและอุปกรณ์การทำให้บริสุทธิ์ขั้นสูงเพื่อขจัดสิ่งสกปรกได้อย่างมีประสิทธิภาพ จึงเพิ่มความบริสุทธิ์ของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ กระบวนการทำให้บริสุทธิ์ของเราได้รับการออกแบบอย่างระมัดระวังเพื่อรวมหลายขั้นตอนและการควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวดเพื่อให้มั่นใจถึงความบริสุทธิ์และความเสถียรที่ยอดเยี่ยมของวัสดุที่ให้มา

ในเวลาเดียวกัน เรามุ่งมั่นที่จะให้บริการลูกค้าด้วยบริการแผนที่ที่แม่นยำและเชื่อถือได้ เรามีอุปกรณ์และเครื่องมือทดสอบขั้นสูง และอาศัยทีมงานมืออาชีพที่มีประสบการณ์ สามารถทำการวัดและวิเคราะห์คุณลักษณะของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ได้อย่างครอบคลุม งานทำแผนที่ของเราประกอบด้วยการทดสอบคุณสมบัติทางไฟฟ้า ส่วนประกอบ ความบริสุทธิ์ คุณสมบัติทางกายภาพ ฯลฯ รวมถึงการศึกษาเชิงลึกเกี่ยวกับโครงสร้างและองค์ประกอบของวัสดุ การทำแผนที่ทำให้เราสามารถรับข้อมูลโดยละเอียดเพื่อให้ลูกค้าประเมินคุณลักษณะของวัสดุและคำแนะนำที่เกี่ยวข้องได้อย่างแม่นยำ

จีดีเอ็มเอส ดี-ซิมส์ เครื่องวัดพิกัด

2.ความสามารถของเครื่องจักร

VeTek Semiconductor มีความสามารถในการตัดเฉือนชั้นนำและประสบการณ์สำหรับกราไฟท์ ซิลิคอนคาร์ไบด์ และผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ ซึ่งสามารถตอบสนองความแม่นยำสูงและความบริสุทธิ์สูงของลูกค้า

ข้อกำหนดด้านคุณภาพและการประมวลผลอื่นๆ เครื่องมือที่เราใช้ กระบวนการตัด และการเลือกใช้วัสดุได้รับการปรับปรุงอย่างระมัดระวังเพื่อให้เกิดการควบคุมขนาดไมโครมิเตอร์และการควบคุมผลิตภัณฑ์

คุณภาพพื้นผิวสูง เราใส่ใจกับการควบคุมคุณภาพและการเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการในกระบวนการประมวลผล และดำเนินการตรวจสอบและควบคุมพารามิเตอร์หลักแบบเรียลไทม์ในกระบวนการประมวลผลเพื่อให้มั่นใจในคุณภาพของผลิตภัณฑ์

ความสม่ำเสมอและความมั่นคง นอกจากนี้เรายังใช้ระบบการจัดการคุณภาพที่เข้มงวดเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ได้รับการประมวลผลตามความต้องการของลูกค้าและมาตรฐานอุตสาหกรรม และดำเนินการตรวจสอบคุณภาพอย่างครอบคลุม

เราจะลงทุนอย่างต่อเนื่องในการปรับปรุงอุปกรณ์และนวัตกรรมทางเทคโนโลยีเพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของลูกค้าของเรา และมอบโซลูชั่นและการสนับสนุนที่เหนือกว่าให้พวกเขา

3. แนวทางการแก้ไขสนามความร้อน

ในแง่ของการออกแบบและการเปลี่ยนแปลงสนามแม่เหล็ก บริษัทของเราสามารถดำเนินการออกแบบและจัดหาชุดให้กับผลึกเดี่ยวของ Czochra, โพลีคริสตัลแบบหล่อ, แกลลิลัมอาร์เซไนด์, ซิงค์เซเลไนด์, แซฟไฟร์, ซิลิคอนคาร์ไบด์ และอุปกรณ์อุตสาหกรรมอื่นๆ ในเวลาเดียวกัน สำหรับการคำนวณความร้อนเชิงกลของโครงสร้าง ส่วนประกอบ และบรรยากาศต่างๆ ภายใต้สภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงที่แตกต่างกัน เรายังมีความสามารถในการคำนวณแบบจำลองและการจำลองแบบมืออาชีพ ซึ่งสามารถมอบโปรแกรมและข้อเสนอแนะการเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบระดับมืออาชีพให้กับลูกค้าได้

Technical Service

คุณสมบัติที่สำคัญ

การทำให้บริสุทธิ์และการทำแผนที่วัสดุ: การทำให้บริสุทธิ์หลายขั้นตอนและการระบุลักษณะเฉพาะที่ครอบคลุม (ทางไฟฟ้า ส่วนประกอบ ความบริสุทธิ์ โครงสร้าง) สำหรับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูง
การตัดเฉือนที่แม่นยำ: ความสามารถชั้นนำสำหรับกราไฟท์ ซิลิคอนคาร์ไบด์ และชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ ด้วยการควบคุมมิติระดับไมโครมิเตอร์และคุณภาพพื้นผิวสูง
การออกแบบและดัดแปลงสนามความร้อน: การออกแบบและจัดหาสำหรับ Czochralski, การหล่อ, GaAs, ZnSe, แซฟไฟร์, SiC และระบบอื่นๆ รวมถึงการจำลองและการเพิ่มประสิทธิภาพความร้อน
การทำความสะอาดชิ้นส่วนที่เคลือบ CVD SiC: การทำความสะอาดเฉพาะสำหรับตัวรับ MOCVD และส่วนประกอบกราไฟท์ โดยสูญเสียความหนาของชั้นเคลือบเป็นศูนย์ และไม่มีเศษโลหะเหลืออยู่
โซลูชันด้านอุปกรณ์: เตาเร่งการเติบโตของคริสตัล SiC ที่ให้ความร้อนด้วยความต้านทานขนาดใหญ่ รองรับการเติบโตของคริสตัลขนาด 6-12 นิ้ว พร้อมการควบคุมกระบวนการที่แม่นยำ

การใช้งาน

เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของลูกค้าวัสดุและอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ VeTek นำเสนอบริการด้านเทคนิคที่ตรงเป้าหมาย ตารางต่อไปนี้จำแนกตามพื้นที่ให้บริการหลัก:

พื้นที่ให้บริการ	บริการ/ผลิตภัณฑ์ทั่วไป	คำอธิบายแอปพลิเคชัน
การทำให้บริสุทธิ์และการทำแผนที่วัสดุ	กระบวนการทำให้บริสุทธิ์ การทดสอบและวิเคราะห์ทางไฟฟ้า / ส่วนประกอบ / ความบริสุทธิ์ / โครงสร้าง	ขจัดสิ่งเจือปนและกำหนดลักษณะเฉพาะของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อย่างเต็มที่เพื่อให้มั่นใจในความบริสุทธิ์ ความเสถียรสูง และการประเมินคุณสมบัติที่แม่นยำสำหรับการใช้งานต่างๆ
เครื่องจักรกลที่มีความแม่นยำ	การตัดเฉือนกราไฟท์ ซิลิคอนคาร์ไบด์ และผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ	การตัดเฉือนที่มีความแม่นยำสูงและมีความบริสุทธิ์สูงด้วยการควบคุมระดับไมโครมิเตอร์และคุณภาพพื้นผิวสูงสำหรับส่วนประกอบกราไฟท์และ SiC ที่ใช้ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
การออกแบบและดัดแปลงสนามความร้อน	การออกแบบสนามความร้อนและการจ่ายแบทช์ การจำลองความร้อนและการเพิ่มประสิทธิภาพ	การออกแบบและจัดหาสนามระบายความร้อนสำหรับ Czochralski การหล่อ GaAs ZnSe แซฟไฟร์ SiC และระบบอื่นๆ การคำนวณทางกล-ความร้อนและการเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบภายใต้สภาวะที่มีอุณหภูมิสูง
การทำความสะอาดชิ้นส่วน (CVD SiC)	บริการทำความสะอาดชิ้นส่วนกราไฟท์เคลือบ CVD SiC	การทำความสะอาดแบบพิเศษสำหรับตัวรับ Aixtron/Veeco MOCVD และชิ้นส่วนกราไฟท์ใน GaN/AlN/AlGaN epi; ลบเอฟเฟกต์หน่วยความจำ ปกป้องการเคลือบ CVD SiC (การสูญเสียความหนาเป็นศูนย์ ไม่มีสารตกค้างของโลหะ)
อุปกรณ์การเติบโตของคริสตัล	เตาเติบโตคริสตัล SiC ให้ความร้อนด้วยความต้านทานขนาดใหญ่	เตาทำความร้อนแบบต้านทานแบบ PVT เพื่อการเติบโตของคริสตัล SiC ขนาด 6–12 นิ้วที่เสถียร ควบคุมอุณหภูมิ ความดัน และพลังงานได้อย่างแม่นยำ เพื่อลดข้อบกพร่องและสนับสนุนการผลิตภาคอุตสาหกรรม

สำหรับวัสดุและวิธีแก้ปัญหากระบวนการที่เกี่ยวข้อง โปรดดูที่การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์, กราไฟท์พิเศษและซิลิคอนคาร์ไบด์ Epitaxyหน้า

ในฐานะผู้ผลิตและผู้จำหน่ายบริการด้านเทคนิคระดับมืออาชีพในประเทศจีน เรามีโรงงานของเราเอง ไม่ว่าคุณจะต้องการบริการที่ปรับแต่งตามความต้องการเฉพาะของภูมิภาคของคุณ หรือต้องการซื้อบริการด้านเทคนิคขั้นสูงและทนทานที่ผลิตในจีน คุณก็สามารถทำได้ฝากข้อความถึงเรา.

บริการทำความสะอาดชิ้นส่วนกราไฟท์เคลือบ CVD SiC

บริการทำความสะอาดระดับมืออาชีพของ VETEK สำหรับชิ้นส่วนกราไฟท์เคลือบ SiC เคลือบ CVD เป็นบริการด้านเทคนิคเฉพาะทางที่ออกแบบมาสำหรับตัวรับอุปกรณ์ Aixtron / Veeco MOCVD และส่วนประกอบกราไฟท์ที่ใช้ในกระบวนการ epitaxial ของ GaN / AlN / AlGaN กระบวนการทำความสะอาดที่เป็นเอกสิทธิ์ของเราขจัดผลกระทบจากหน่วยความจำพื้นผิวอย่างทั่วถึง คืนการไหลของก๊าซที่เสถียรในเครื่องปฏิกรณ์ และปกป้องการเคลือบ CVD SiC ขนาด 100 µm อย่างเคร่งครัดด้วยการสูญเสียความหนาเป็นศูนย์แน่นอนและไม่มีเศษโลหะเหลืออยู่

เตาเจริญเติบโตของคริสตัล SiC ที่มีความต้านทานความร้อนขนาดใหญ่

การเติบโตของผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นกระบวนการหลักในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง ความเสถียร ความแม่นยำ และความเข้ากันได้ของอุปกรณ์การเติบโตของคริสตัลเป็นตัวกำหนดคุณภาพและผลผลิตของแท่งซิลิคอนคาร์ไบด์โดยตรง ตามคุณลักษณะของเทคโนโลยีการขนส่งไอทางกายภาพ (PVT) Veteksemi ได้พัฒนาเตาให้ความร้อนแบบต้านทานสำหรับการเจริญเติบโตของผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งช่วยให้การเติบโตอย่างมั่นคงของผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 6 นิ้ว 8 นิ้ว และ 12 นิ้ว พร้อมความเข้ากันได้เต็มรูปแบบกับระบบวัสดุนำไฟฟ้า กึ่งฉนวน และระบบวัสดุประเภท N ด้วยการควบคุมอุณหภูมิ ความดัน และพลังงานที่แม่นยำ จึงสามารถลดข้อบกพร่องของผลึก เช่น EPD (Etch Pit Density) และ BPD (Basal Plane Dislocation) ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ขณะเดียวกันก็ใช้พลังงานต่ำและการออกแบบที่กะทัดรัดเพื่อให้เป็นไปตามมาตรฐานระดับสูงของการผลิตขนาดใหญ่ทางอุตสาหกรรม