เทคโนโลยีและโซลูชั่น

การเลือก CVD SiC, การเคลือบ TaC หรือ Solid SiC ที่เหมาะสมจะกำหนดระดับอนุภาคและอายุการใช้งานของส่วนประกอบโดยตรงบนเส้นเอพิแทกซี/การกัดกรด บทความนี้จะให้ขอบเขตการเลือกที่ชัดเจนตามอุณหภูมิ บรรยากาศ และกระบวนการ ซึ่งสอดคล้องกับโซลูชันการเปลี่ยนอุปกรณ์หลักและเกณฑ์ชี้วัดหลัก เพื่อช่วยให้คุณตัดสินใจได้อย่างรวดเร็วและลดความเสี่ยง

ค้นพบว่าเทคโนโลยีเลเซอร์นำวิถีน้ำของ VeTek มอบรูทะลุ Φ0.15 มม. ที่สม่ำเสมอในซับสเตรต SiC 2 มม. โดยไม่มีเทเปอร์ HAZ น้อยที่สุด และให้ผลตอบแทนสูงสำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ได้อย่างไร

ปัญหาทางเทคนิคที่ท้าทายที่สุดสำหรับหมุดยกแบบกลวงของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ไม่ใช่การเคลือบพื้นผิวด้านนอก แต่เป็นการเคลือบ CVD ที่เสถียรและสม่ำเสมอบนผนังด้านในของโครงสร้างกลวง ตั้งแต่การควบคุมความสม่ำเสมอของการเคลือบผนังด้านในไปจนถึงการรับประกันความสะอาดของรูภายใน ทุกขั้นตอนกระบวนการส่งผลโดยตรงต่อผลผลิตของเวเฟอร์ บทความนี้วิเคราะห์ความท้าทายหลักของการเคลือบผนังด้านในของหมุดยกแบบกลวงและเส้นทางทางเทคนิคที่สำคัญ