ตัวรับ RTP ที่เคลือบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์ CVD (SiC)

คุณสมบัติ

• เทอร์มา ความสม่ำเสมอ – วัสดุมีความร้อนสูง การแพร่กระจายช่วยให้สามารถถ่ายเทความร้อนได้อย่างรวดเร็วและสม่ำเสมอในเชิงพื้นที่ รองรับโปรไฟล์อุณหภูมิเวเฟอร์ที่ทำซ้ำได้
• ระดับความบริสุทธิ์สูง – การเคลือบ CVD SiC มีความบริสุทธิ์ 99.99995% ซึ่งช่วยลดความเสี่ยงของการปนเปื้อนของไอออนเคลื่อนที่และโลหะในขั้นตอนกระบวนการที่สำคัญได้อย่างมีประสิทธิภาพ
• ความทนทานต่อสารเคมี – สารเคลือบมีความทนทานต่อชนิดกัดกร่อน รวมถึงก๊าซที่มีฮาโลเจน ภายใต้อุณหภูมิที่สูงขึ้น l ขยายระยะเวลาการบริการ – ทนต่อการออกซิเดชั่นและการสึกหรอที่เพิ่มขึ้น ส่งผลให้ต้องเปลี่ยนน้อยลงและลดเวลาหยุดทำงานของเครื่องมือ
• ความยืดหยุ่นในการออกแบบ – ขนาดและการกำหนดค่าสามารถปรับให้เข้ากับรูปทรงห้อง RTP และขนาดเวเฟอร์เฉพาะได้

การใช้งาน

• การประมวลผลความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTP)
• การหลอมด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTA)
• การกระตุ้นสารเจือปน ขั้นตอนการออกซิเดชันและการหลอม
• การผลิตวงจรรวม (ไอซี)
• เทคนิคการผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้า
  
  

ข้อมูลจำเพาะ

เหตุใดจึงเลือก VeTek Semiconductor?

• กระบวนการเคลือบ CVD SiC ของบริษัทพัฒนาขึ้นโดยเฉพาะสำหรับข้อกำหนดเกรดเซมิคอนดักเตอร์
• ความสามารถแบบบูรณาการสำหรับการทำให้กราไฟท์บริสุทธิ์ การตัดเฉือนที่แม่นยำ และการควบคุมความหนาของชั้นเคลือบ
• การยึดเกาะของสารเคลือบที่ได้รับการพิสูจน์แล้วและความสม่ำเสมอของชั้นตลอดการผลิตเป็นชุด
• การสนับสนุนทางวิศวกรรมสำหรับการออกแบบ Susceptor แบบกำหนดเองที่เข้ากันได้กับแพลตฟอร์มเครื่องมือ RTP หลัก
• การตรวจสอบวัสดุขาเข้าอย่างเข้มงวด การตรวจสอบในกระบวนการ และการทดสอบคุณสมบัติขั้นสุดท้าย ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความสม่ำเสมอในแต่ละชุด