TAC Coating Subser

Vetek Semiconductor ของ TAC Coated Wensceptor และเคลือบ TACแหวนทำงานร่วมกันใน LPE Silicon Carbide Epitaxial Growth Reactor:

●ความต้านทานอุณหภูมิสูง:การเคลือบ TACผู้ไวมีความต้านทานอุณหภูมิสูงที่ยอดเยี่ยมสามารถทนต่ออุณหภูมิที่สูงถึง 1,500 ° C ในเครื่องปฏิกรณ์ LPE- สิ่งนี้ทำให้มั่นใจได้ว่าอุปกรณ์และส่วนประกอบจะไม่เปลี่ยนรูปหรือได้รับความเสียหายในระหว่างการดำเนินงานระยะยาว

●เสถียรภาพทางเคมี: TAC Coating Wexceptor ทำงานได้ดีเป็นพิเศษในสภาพแวดล้อมการเจริญเติบโตของซิลิกอนคาร์ไบด์

●เสถียรภาพทางความร้อน: ไวต่อการเคลือบ TAC มีความเสถียรทางความร้อนที่ดีการรักษาสัณฐานวิทยาของพื้นผิวและความขรุขระเพื่อให้แน่ใจว่าความสม่ำเสมอของสนามอุณหภูมิในเครื่องปฏิกรณ์ซึ่งเป็นประโยชน์ต่อการเจริญเติบโตที่มีคุณภาพสูงของชั้นซิลิกอนคาร์ไบด์ epitaxial

●ต่อต้านการปนเปื้อน: พื้นผิวที่เคลือบด้วย TAC เรียบและประสิทธิภาพ TPD ที่เหนือกว่า (อุณหภูมิโปรแกรม desorption) สามารถลดการสะสมและการดูดซับอนุภาคและสิ่งสกปรกภายในเครื่องปฏิกรณ์ป้องกันการปนเปื้อนของชั้น epitaxial

โดยสรุปแล้ว TAC Coated Wensceptor และ Ring มีบทบาทในการป้องกันที่สำคัญในเครื่องปฏิกรณ์การเจริญเติบโตของ LPE Silicon Carbide epitaxial เพื่อให้มั่นใจว่าการทำงานที่มั่นคงในระยะยาวของอุปกรณ์และการเติบโตที่มีคุณภาพสูงของชั้น epitaxial