คิวอาร์โค้ด
เกี่ยวกับเรา
สินค้า
ติดต่อเรา

โทรศัพท์

แฟกซ์
+86-579-87223657

อีเมล

ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
กราไฟท์ที่มีรูพรุนเป็นวัสดุคาร์บอนเชิงวิศวกรรมที่มีเครือข่ายของรูพรุนภายในโครงสร้างกราไฟท์ ลักษณะสำคัญ ได้แก่ ความพรุน การกระจายขนาดรูพรุน การซึมผ่าน ความหนาแน่นรวม และคุณสมบัติทางความร้อน ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ส่วนประกอบกราไฟท์ที่มีรูพรุนที่มีความบริสุทธิ์สูงที่เลือกสรรมาจะถูกใช้ในระบบการเติบโตของผลึกของการขนส่งไอทางกายภาพ (PVT) ของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เพื่อรองรับฟังก์ชันการขนส่งก๊าซและสนามความร้อนเฉพาะ ประสิทธิภาพของวัสดุขึ้นอยู่กับเกรดกราไฟท์ โครงสร้างรูพรุน ความบริสุทธิ์ และสภาวะการทำงาน
โครงสร้างรูพรุนของกราไฟท์
กราไฟท์ที่มีรูพรุนเป็นผลิตภัณฑ์ที่มีโครงสร้างเป็นรูพรุนที่ทำจากกราไฟท์เป็นวัสดุฐาน วัสดุทำจากกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง พารามิเตอร์ทางกายภาพของกราไฟท์ที่มีรูพรุนของ VeTek Semiconductor แตกต่างกันไปตามกระบวนการผลิตและการใช้งานเฉพาะ ต่อไปนี้เป็นพารามิเตอร์ทางกายภาพทั่วไป:
คุณสมบัติทางกายภาพโดยทั่วไปของกราไฟท์ที่มีรูพรุน
ไอเทม
พารามิเตอร์
ความหนาแน่นเป็นกลุ่ม
0.89 ก./ซม3
กำลังรับแรงอัด
8.27 เมกะปาสคาล
แรงดัดงอ
8.27 เมกะปาสคาล
ความต้านทานแรงดึง
1.72 เมกะปาสคาล
ความต้านทานจำเพาะ
130Ω-inX10-5
ความพรุน
50%
ขนาดรูขุมขนเฉลี่ย
70um
การนำความร้อน
12วัตต์/ม*เค
กราไฟท์ที่มีรูพรุนทำจากกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงและมีค่าการนำไฟฟ้า การนำความร้อน ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน ความเสถียรทางเคมี และคุณสมบัติอื่นๆ ที่ดีเยี่ยม มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมแปรรูปเซมิคอนดักเตอร์
ในกระบวนการแปรรูปเซมิคอนดักเตอร์ แกรไฟต์ที่มีรูพรุนถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในด้านต่อไปนี้:
เมื่อใช้ร่วมกับ Porous Graphite ที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูงและมีเสถียรภาพทางเคมีได้ดีเยี่ยม เช่น ทนต่อการกัดกร่อนที่ดีต่อสารเคมีส่วนใหญ่ เช่น กรด ด่าง และตัวทำละลาย Porous Graphite จึงมักใช้ในอุปกรณ์การเผาผนึกที่อุณหภูมิสูงและการบำบัดความร้อน ตัวอย่างเช่น กราไฟท์ที่มีรูพรุนสามารถใช้เป็นวัสดุซับใน วัสดุฉนวน หรือวัสดุรองรับสำหรับเตาเผาที่มีอุณหภูมิสูงได้
นอกจากนี้,
ส่วนประกอบกราไฟท์ที่มีรูพรุนของ SiC Crystalมีค่าการนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและความเสถียรทางความร้อนเพื่อให้สนามความร้อนสม่ำเสมอและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เสถียร ดังนั้นผลิตภัณฑ์นี้จึงมักใช้ในกระบวนการแพร่หรือออกซิเดชันของการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์เป็นแหล่งแพร่หรือวัสดุอิเล็กโทรด
โครงสร้างที่มีรูพรุนของ Porous Graphite สามารถกรองและทำให้ก๊าซที่ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์บริสุทธิ์ ลดการปนเปื้อนของอนุภาคที่อาจเกิดขึ้น และรับประกันความสะอาดสูงในระหว่างการประมวลผล ด้วยโครงสร้างที่มีรูพรุนและการซึมผ่านของอากาศที่ดี ชิ้นส่วนกราไฟท์ที่มีรูพรุนยังสามารถใช้เป็นฐานและฟิกซ์เจอร์ในระบบดูดซับสุญญากาศเพื่อยึดแผ่นเวเฟอร์หรือส่วนประกอบอื่น ๆ ผ่านการดูดซับสุญญากาศที่มีประสิทธิภาพ
ด้วยการปรับกระบวนการเผาผนึกของกราไฟท์ VeTek Semiconductor สามารถทำได้ปรับแต่งวัสดุกราไฟท์ที่มีรูพรุนด้วยขนาดรูพรุนและความพรุนที่แตกต่างกัน เพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดการใช้งานที่แตกต่างกัน.
กราไฟท์ที่มีรูพรุน SiC Crystal Growth กราไฟท์ที่มีรูพรุน เบ้าหลอมกราไฟท์สามกลีบ
ในความเป็นจริง VeTek Semiconductor เป็นผู้นำตลาดโดยสมบูรณ์ในตลาดตัวรับกราไฟท์เคลือบ sic ของจีน ตลาดเบ้าหลอมกราไฟท์เคลือบแทค และตลาดถาดกราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ VeTek Semiconductor เป็นผู้ผลิตมืออาชีพ ซัพพลายเออร์ โรงงานของผลิตภัณฑ์กราไฟท์พิเศษ เช่นSiC Crystal Growth กราไฟท์ที่มีรูพรุน, การเคลือบคาร์บอนไพโรไลติก, การเคลือบคาร์บอนแก้ว, ไอโซโทรปิกกราไฟท์, กราไฟท์ซิลิโคนและแผ่นกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง. เรามุ่งมั่นที่จะนำเสนอโซลูชั่นขั้นสูงสำหรับผลิตภัณฑ์กราไฟท์พิเศษต่างๆ สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
หากคุณมีข้อสงสัยหรือต้องการรายละเอียดเพิ่มเติม โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา
ม็อบ/WhatsAPP: +86-180 6922 0752
อีเมล์: anny@veteksemi.com
+86-579-87223657
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
ลิขสิทธิ์© 2024 WuYi TianYao ใหม่วัสดุ Tech.Co.,Ltd. สงวนลิขสิทธิ์.
Links | Sitemap | RSS | XML | นโยบายความเป็นส่วนตัว |