ข่าว
สินค้า

กราไฟท์ที่มีรูพรุนคืออะไร? - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์

กราไฟท์ที่มีรูพรุนเป็นวัสดุคาร์บอนเชิงวิศวกรรมที่มีเครือข่ายของรูพรุนภายในโครงสร้างกราไฟท์ ลักษณะสำคัญ ได้แก่ ความพรุน การกระจายขนาดรูพรุน การซึมผ่าน ความหนาแน่นรวม และคุณสมบัติทางความร้อน ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ส่วนประกอบกราไฟท์ที่มีรูพรุนที่มีความบริสุทธิ์สูงที่เลือกสรรมาจะถูกใช้ในระบบการเติบโตของผลึกของการขนส่งไอทางกายภาพ (PVT) ของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เพื่อรองรับฟังก์ชันการขนส่งก๊าซและสนามความร้อนเฉพาะ ประสิทธิภาพของวัสดุขึ้นอยู่กับเกรดกราไฟท์ โครงสร้างรูพรุน ความบริสุทธิ์ และสภาวะการทำงาน


The porous structure of graphite

โครงสร้างรูพรุนของกราไฟท์


กราไฟท์ที่มีรูพรุนเป็นผลิตภัณฑ์ที่มีโครงสร้างเป็นรูพรุนที่ทำจากกราไฟท์เป็นวัสดุฐาน วัสดุทำจากกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง พารามิเตอร์ทางกายภาพของกราไฟท์ที่มีรูพรุนของ VeTek Semiconductor แตกต่างกันไปตามกระบวนการผลิตและการใช้งานเฉพาะ ต่อไปนี้เป็นพารามิเตอร์ทางกายภาพทั่วไป:


คุณสมบัติทางกายภาพโดยทั่วไปของกราไฟท์ที่มีรูพรุน
ไอเทม
พารามิเตอร์
ความหนาแน่นเป็นกลุ่ม
0.89 ก./ซม3
กำลังรับแรงอัด
8.27 เมกะปาสคาล
แรงดัดงอ
8.27 เมกะปาสคาล
ความต้านทานแรงดึง
1.72 เมกะปาสคาล
ความต้านทานจำเพาะ
130Ω-inX10-5
ความพรุน
50%
ขนาดรูขุมขนเฉลี่ย
70um
การนำความร้อน
12วัตต์/ม*เค


กราไฟท์ที่มีรูพรุนทำจากกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงและมีค่าการนำไฟฟ้า การนำความร้อน ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน ความเสถียรทางเคมี และคุณสมบัติอื่นๆ ที่ดีเยี่ยม มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมแปรรูปเซมิคอนดักเตอร์


ในกระบวนการแปรรูปเซมิคอนดักเตอร์ แกรไฟต์ที่มีรูพรุนถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในด้านต่อไปนี้:


เมื่อใช้ร่วมกับ Porous Graphite ที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูงและมีเสถียรภาพทางเคมีได้ดีเยี่ยม เช่น ทนต่อการกัดกร่อนที่ดีต่อสารเคมีส่วนใหญ่ เช่น กรด ด่าง และตัวทำละลาย Porous Graphite จึงมักใช้ในอุปกรณ์การเผาผนึกที่อุณหภูมิสูงและการบำบัดความร้อน ตัวอย่างเช่น กราไฟท์ที่มีรูพรุนสามารถใช้เป็นวัสดุซับใน วัสดุฉนวน หรือวัสดุรองรับสำหรับเตาเผาที่มีอุณหภูมิสูงได้


นอกจากนี้,

ส่วนประกอบกราไฟท์ที่มีรูพรุนของ SiC Crystalมีค่าการนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและความเสถียรทางความร้อนเพื่อให้สนามความร้อนสม่ำเสมอและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เสถียร ดังนั้นผลิตภัณฑ์นี้จึงมักใช้ในกระบวนการแพร่หรือออกซิเดชันของการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์เป็นแหล่งแพร่หรือวัสดุอิเล็กโทรด



โครงสร้างที่มีรูพรุนของ Porous Graphite สามารถกรองและทำให้ก๊าซที่ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์บริสุทธิ์ ลดการปนเปื้อนของอนุภาคที่อาจเกิดขึ้น และรับประกันความสะอาดสูงในระหว่างการประมวลผล ด้วยโครงสร้างที่มีรูพรุนและการซึมผ่านของอากาศที่ดี ชิ้นส่วนกราไฟท์ที่มีรูพรุนยังสามารถใช้เป็นฐานและฟิกซ์เจอร์ในระบบดูดซับสุญญากาศเพื่อยึดแผ่นเวเฟอร์หรือส่วนประกอบอื่น ๆ ผ่านการดูดซับสุญญากาศที่มีประสิทธิภาพ


ด้วยการปรับกระบวนการเผาผนึกของกราไฟท์ VeTek Semiconductor สามารถทำได้ปรับแต่งวัสดุกราไฟท์ที่มีรูพรุนด้วยขนาดรูพรุนและความพรุนที่แตกต่างกัน เพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดการใช้งานที่แตกต่างกัน.


VeTek Semiconductor Porous GraphiteVeTek Semiconductor SiC Crystal Growth Porous GraphiteThree-petal Graphite Crucible

                                                                                                  กราไฟท์ที่มีรูพรุน                 SiC Crystal Growth กราไฟท์ที่มีรูพรุน           เบ้าหลอมกราไฟท์สามกลีบ




ในความเป็นจริง VeTek Semiconductor เป็นผู้นำตลาดโดยสมบูรณ์ในตลาดตัวรับกราไฟท์เคลือบ sic ของจีน ตลาดเบ้าหลอมกราไฟท์เคลือบแทค และตลาดถาดกราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ VeTek Semiconductor เป็นผู้ผลิตมืออาชีพ ซัพพลายเออร์ โรงงานของผลิตภัณฑ์กราไฟท์พิเศษ เช่นSiC Crystal Growth กราไฟท์ที่มีรูพรุน, การเคลือบคาร์บอนไพโรไลติก, การเคลือบคาร์บอนแก้ว, ไอโซโทรปิกกราไฟท์, กราไฟท์ซิลิโคนและแผ่นกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง. เรามุ่งมั่นที่จะนำเสนอโซลูชั่นขั้นสูงสำหรับผลิตภัณฑ์กราไฟท์พิเศษต่างๆ สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์


หากคุณมีข้อสงสัยหรือต้องการรายละเอียดเพิ่มเติม โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา

ม็อบ/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

อีเมล์: anny@veteksemi.com

ข่าวที่เกี่ยวข้อง
ฝากข้อความถึงฉัน
X
เราใช้คุกกี้เพื่อมอบประสบการณ์การท่องเว็บที่ดีขึ้น วิเคราะห์การเข้าชมไซต์ และปรับแต่งเนื้อหาในแบบของคุณ การใช้ไซต์นี้แสดงว่าคุณยอมรับการใช้คุกกี้ของเรา นโยบายความเป็นส่วนตัว
ปฏิเสธยอมรับ