CVD ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เคลือบกราไฟท์ RTP RTA Carrier

คุณสมบัติผลิตภัณฑ์

· อุปกรณ์หลัก:ออกแบบมาสำหรับระบบการอบอ่อนด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTA) และระบบการประมวลผลด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTP)

· พรีม่ารี Aใบสมัคร: ปรับให้เหมาะสมสำหรับกระบวนการอบอ่อนแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

· ปฏิบัติการeเรตติ้งเตอุณหภูมิ:การทำงานที่มั่นคงตั้งแต่ 200°C ถึง 700°C

· Excเอเลนท์ เธอความสม่ำเสมอ: รับประกันการกระจายความร้อนที่สม่ำเสมอเพื่อการแปรรูปแผ่นเวเฟอร์ที่สม่ำเสมอ

· อนุภาคต่ำGพลังงาน: การเคลือบ CVD SiC ที่หนาแน่นช่วยลดการปนเปื้อนและเพิ่มผลผลิต

· ทนต่อสารเคมีที่เหนือกว่า:ทนทานต่อการเกิดออกซิเดชันและก๊าซในกระบวนการที่มีฤทธิ์กัดกร่อนระหว่างกระบวนการใช้ความร้อน

· โดดเด่นก. เทอร์โมอัลทนต่อแรงกระแทก: รักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างด้วยวงจรการให้ความร้อนและความเย็นอย่างรวดเร็วซ้ำๆ

· อายุการใช้งานยาวนาน:การเคลือบ SiC ที่ทนทานต่อการสึกหรอช่วยยืดอายุการใช้งานของส่วนประกอบได้อย่างมาก และลดต้นทุนการบำรุงรักษา

· กำหนดเองการผลิต:มีจำหน่ายในขนาดและการกำหนดค่าต่างๆ เพื่อให้เข้ากับอุปกรณ์ RTP/RTA ที่แตกต่างกัน

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

การใช้งาน

·การหลอมด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTA)

· การประมวลผลความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTP)

· การหลอมเวเฟอร์ซิลิคอน

· การเปิดใช้งานสารเจือปน

· ออกซิเดชัน

· การแพร่กระจาย

·การผลิตสารกึ่งตัวนำแบบผสม

·การผลิต MEMS

·การประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์กำลัง

คำถามที่พบบ่อย

1. ผู้ให้บริการ RTP/RTA คืออะไร

ตัวพา RTP/RTA เป็นส่วนประกอบรองรับเวเฟอร์ที่ใช้ภายในการประมวลผลด้วยความร้อนอย่างรวดเร็วและระบบอบอ่อนด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว ยึดเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ไว้อย่างแน่นหนา ในขณะเดียวกันก็ถ่ายเทความร้อนสม่ำเสมอตลอดวงจรความร้อน

2. เหตุใดจึงเลือกใช้การเคลือบ CVD SiC

เมื่อเปรียบเทียบกับกราไฟท์เปลือย การเคลือบ CVD SiC ให้ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่เหนือกว่า การสร้างอนุภาคต่ำกว่า ความเสถียรทางเคมีที่ดีกว่า และอายุการใช้งานที่ยาวนานกว่าอย่างเห็นได้ชัด

3. VETEK สามารถจัดหาผู้ให้บริการ RTP/RTA ที่ปรับแต่งเองได้หรือไม่

ใช่. VETEK นำเสนอผู้ให้บริการ RTP/RTA ที่ปรับแต่งตามแบบของลูกค้า