ตัวรับกราไฟท์เคลือบ CVD SiC สำหรับตัวพาเวเฟอร์

1. ข้อดีของผลิตภัณฑ์

• วัสดุที่มีความบริสุทธิ์สูง:วัสดุกราไฟท์เกรดเซมิคอนดักเตอร์และโครงสร้างการเคลือบ SiC ที่หนาแน่นช่วยลดความเสี่ยงในการปนเปื้อนและปรับปรุงความน่าเชื่อถือของตัวรับกราไฟท์ที่เคลือบ CVD SiC
• ความสม่ำเสมอทางความร้อนที่ดีเยี่ยม:โครงสร้างกราไฟท์ที่ได้รับการปรับปรุงและการเคลือบ SiC ให้การถ่ายเทความร้อนที่เสถียรและการควบคุมอุณหภูมิของแผ่นเวเฟอร์ที่สม่ำเสมอ
• ทนต่อสารเคมีที่เหนือกว่า:การเคลือบ SiC ที่มีความหนาแน่นสูงมีความทนทานต่อก๊าซในกระบวนการและสภาพแวดล้อมที่มีฤทธิ์กัดกร่อนได้ดี
• อายุการใช้งานยาวนาน:ความแข็งสูงและความต้านทานการสึกหรอช่วยเพิ่มความทนทานภายใต้สภาวะ epitaxy ที่อุณหภูมิสูง
• การสร้างอนุภาคต่ำ:พื้นผิว CVD SiC ที่หนาแน่นช่วยลดการปล่อยอนุภาคและปรับปรุงความน่าเชื่อถือของกระบวนการเวเฟอร์
• ความสามารถในการออกแบบที่กำหนดเอง:มีจำหน่ายในขนาด โครงสร้าง และการกำหนดค่าต่างๆ ตามความต้องการของอุปกรณ์

2. ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

3. การใช้งาน

• กระบวนการ Epitaxy SiC:ตัวรับกราไฟต์ถูกใช้เป็นพาหะเวเฟอร์ในอุปกรณ์เอพิแทกซี SiC ซึ่งรองรับซับสเตรต SiC ในระหว่างการเจริญเติบโตของอีพิแทกเซียลที่อุณหภูมิสูง
• กระบวนการซิลิคอน Epitaxy:ใช้ในเครื่องปฏิกรณ์ซิลิคอนอีพิเทกเซียลเพื่อรองรับเวเฟอร์และรักษาสภาวะความร้อนให้คงที่
• MOCVD เอพิแทกซี:ตัวรับกราไฟท์ VETEK เหมาะสำหรับ MOCVD, LED epitaxy, GaN epitaxy, Silicon Epitaxy และกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ ที่ต้องการความสม่ำเสมอทางความร้อนที่ดีเยี่ยมและความเสถียรทางเคมี
• อุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์:เข้ากันได้กับแพลตฟอร์ม epitaxy ต่างๆ รวมถึงเตาเผาแนวนอน LPE, Aixtron, NuFlare และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่เกี่ยวข้อง

4. ทำไมต้องเลือก VETEK

VETEK นำเสนอโซลูชันตัวรับกราไฟท์เคลือบ CVD SiC ที่ปรับแต่งได้ ซึ่งผสานรวมการทำให้กราไฟท์บริสุทธิ์ การตัดเฉือนที่มีความแม่นยำ การเคลือบ CVD และความสามารถในการตรวจสอบ ผลิตภัณฑ์ตัวรับกราไฟท์เกรดเซมิคอนดักเตอร์ของเรามีความบริสุทธิ์สูง ความหนาของการเคลือบสม่ำเสมอ ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดีเยี่ยม และอายุการใช้งานที่ยาวนานสำหรับการใช้งานตัวพาเวเฟอร์ที่มีความต้องการสูง