แผ่นเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์

Vetek Semiconductor Aluminum NiTride Plate เป็นผลิตภัณฑ์เซรามิกฉนวนในอุดมคติที่มีค่าการนำความร้อนสูงสัมประสิทธิ์การขยายตัวต่ำความแข็งแรงสูงความต้านทานอุณหภูมิสูงความต้านทานการกัดกร่อนทางเคมีความต้านทานสูงและการสูญเสียอิเล็กทริกต่ำ เซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์สามารถแทนที่เซรามิกเบริลเลียมออกไซด์ที่เป็นพิษและใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพ:

เมื่อเปรียบเทียบกับอลูมินาเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์มีค่าการนำความร้อนสูงที่ 100 องศาเซลเซียสค่าการนำความร้อนสูงกว่า 170W/ m.k และการนำความร้อนของอลูมิเนียมออกไซด์ออกไซด์ประมาณ 15-35 W/ (M · K)

ความแข็งของวัสดุเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์โดยทั่วไปคือ 9 Mohs Hardness ซึ่งหมายความว่าความแข็งของอลูมิเนียมไนไตรด์เซรามิกส์สูงมากรองจากเพชรในกระบวนการบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์

ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเชิงเส้นของเซรามิกชนิดนี้มักจะอยู่ในช่วง 4 ถึง 5 × 10^^-6/℃ซึ่งทำให้เข้ากันได้มากขึ้นกับค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวของวัสดุโลหะช่วยลดการสร้างความเครียดและ THความเครียดจาก Ermal ที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ

ในเวลาเดียวกันความแข็งแรงของการดัดงอของอลูมิเนียมไนไตรด์เซรามิกมักจะอยู่ระหว่าง 300 และ 700 MPa ซึ่งสูงกว่าวัสดุเซรามิกอื่น ๆ เช่นเซอร์โคเนียและอลูมินา

ในแง่ของอุณหภูมิเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์สามารถทำงานได้อย่างเสถียรในสภาพแวดล้อมที่อุณหภูมิสูงและอุณหภูมิการใช้งานสามารถเข้าถึงได้มากกว่า 1,500 ℃ซึ่งเหมาะสำหรับกระบวนการอุณหภูมิสูงและการใช้งาน

นอกเหนือจากความต้านทานต่อก๊าซเฉื่อยแล้วอลูมิเนียมไนไตรด์เซรามิกดิสก์ยังมีความเสถียรทางเคมีที่ยอดเยี่ยมและความต้านทานสูงต่อสื่อการกัดกร่อนเช่นกรดและอัลคาลิสทำให้พวกเขาใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมเคมี

แผ่นเซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์มีความต้านทานสูงมักจะอยู่ระหว่าง 10^¹⁴และ 10^¹⁵Ω·ซม. ซึ่งเหมาะสำหรับโอกาสที่จำเป็นต้องใช้คุณสมบัติฉนวนไฟฟ้า เซรามิกอลูมิเนียมไนไตรด์มีการสูญเสียอิเล็กทริกต่ำมากซึ่งหมายความว่าการสูญเสียพลังงานสามารถลดลงในการใช้งานอิเล็กทริก

พื้นที่แอปพลิเคชัน:

บรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์: สำหรับโมดูลพลังงาน (เช่น IGBTs), ผู้ให้บริการชิปพลังงานสูง, รีเลย์โซลิดสเตต ฯลฯ เพื่อให้การจัดการความร้อนที่มีประสิทธิภาพ 3410

พื้นผิวอิเล็กทรอนิกส์: เป็นแผงวงจรฟิล์มฟิล์มบาง ๆ รองรับการตัดเฉือนที่มีความแม่นยำสูง (เช่นการขัดกับความขรุขระของพื้นผิว RA 0.3μm) 410

อุปกรณ์ RF/ไมโครเวฟ: การสูญเสียอิเล็กทริกต่ำ (TanΔ≤3×10⁻⁴, 1MHz) ลักษณะที่เหมาะสำหรับแผงวงจรความถี่สูง 1018

สถานการณ์อุตสาหกรรมอื่น ๆ : เช่นชิ้นส่วนอุปกรณ์เคลือบสูญญากาศ, HIG

บริการประมวลผลและการปรับแต่ง

การตัดเฉือนที่แม่นยำ: รองรับการตัด, การขุดเจาะ, การบด, การขัด (ความขรุขระพื้นผิว RA สูงถึง0.3μm) และโครงสร้างรูปทรงพิเศษที่กำหนดเอง 410

การรักษาพื้นผิว: สารตั้งต้นที่ถูกเผาสามารถประมวลผลใหม่เพื่อปรับปรุงความเรียบของพื้นผิว (เช่นจาก 30 microinch RA ถึง 1 microinch RA) 4

มันเป็นเซมิคอนดักเตอร์อลูมิเนียมไนไตรด์ผลิตภัณฑ์เซรามิกผลิตภัณฑ์ร้านค้า: ร้านค้า: