• เซรามิก AlN ความบริสุทธิ์สูงที่มีค่าการนำความร้อนสูงถึง ~180 W/m·K เพื่อการถ่ายเทความร้อนที่มีประสิทธิภาพและความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ
• ฉนวนไฟฟ้าที่แข็งแกร่งและความต้านทานปริมาตรสูง รองรับการจับยึดที่เสถียรที่ 1–3 kV (มีแรงดันไฟฟ้าสูงกว่า)
• วัสดุชั้นอิเล็กทริกแบบกำหนดเองและโครงร่างอิเล็กโทรด: คูลอมบ์หรือ Johnsen–Rahbek (JR); เดี่ยวหรือหลายโซน
• ประสิทธิภาพการแคลมป์และดีแคลมป์ที่รวดเร็ว โดยทั่วไปจะใช้เวลาไม่ถึง 0.1 วินาที
• โครงสร้างจุลภาคของรอยบุ๋มของพื้นผิวมีเส้นผ่านศูนย์กลาง ~300 μm ช่วยลดพื้นที่สัมผัสให้เหลือเพียง ~1%
• ความสามารถด้านความเรียบสูง ความเรียบโดยรวมทั่วไปตามลำดับ 0.5–3 μm PV สำหรับแพลตฟอร์มคลาส 300 มม
• โครงสร้างจุลภาคหนาแน่นพร้อมการดูดซึมน้ำเกือบเป็นศูนย์ และทนทานต่อสารเคมีที่ดีสำหรับสภาพแวดล้อมกระบวนการ
หัวจับไฟฟ้าสถิตเซรามิกอะลูมิเนียมไนไตรด์ใช้ในขั้นตอนกระบวนการที่ต้องใช้ทั้งการยึดเวเฟอร์ที่ปลอดภัยและพฤติกรรมทางความร้อนที่ควบคุม:
• การกัดกรดพลาสมาแบบแห้ง (ICP / RIE) และกระบวนการในห้องที่เกี่ยวข้อง
• CVD, PEALD, ALD ความร้อน และขั้นตอนการสะสมของฟิล์มบางอื่นๆ
• โมดูลกระบวนการหลอมและความร้อนที่ต้องการอุณหภูมิเวเฟอร์สม่ำเสมอ
• ขั้นตอนการตรวจสอบ มาตรวิทยา และความแม่นยำ ซึ่งอนุภาคต่ำและการจับยึดที่มั่นคงถือเป็นสิ่งสำคัญ
VeTek นำเสนอเกรดอะลูมิเนียมไนไตรด์หลายเกรดเพื่อปรับสมดุลการนำความร้อน ความแข็งแรงเชิงกล และต้นทุนสำหรับการออกแบบ ESC:
คุณสมบัติ
ไอเอ็น-HC95
ไอน์-HP95
ไอน์99
ไอน์999
ไอน์-HP999
ไอน์-HP999LR
สี
สีเทา
ความบริสุทธิ์
≥95%
≥99%
≥99.9%
ความหนาแน่น (ก./ซม.)
3.3
3.2
การดูดซึมน้ำ (%)
0
ความแข็ง HV (GPa)
10
กำลังรับแรงดัดงอ (MPa)
380
400
350
310
360
โมดูลัสยืดหยุ่น (GPa)
320
300
ความเหนียวแตกหัก
3
3.4
2.8
2.3
ซีทีอี (×10⁻⁶/°C)
4.6
5.7
5.2
5.5
5.4
การนำความร้อน
180
100
90
ช็อกความร้อน (°C)
500
—
ความเป็นฉนวน
16
ความต้านทานต่อปริมาตร
1×10¹⁴
1×10¹⁵
ปรับได้
ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก
8.6
8.5
หน่วย: การนำความร้อนในหน่วย W/(m·K); ความเป็นฉนวนในหน่วย kV/mm; ความต้านทานต่อปริมาตรเป็น Ω·cm (25 °C); ค่าคงที่ไดอิเล็กทริกที่ 1 MHz ค่าเป็นเรื่องปกติและอาจแตกต่างกันไปตามกระบวนการและรูปทรงของชิ้นส่วน
พารามิเตอร์
ค่าทั่วไป / ช่วง
วัสดุเซรามิก
อะลูมิเนียมไนไตรด์ (AlN)
ประเภท ESC
คูลอมบ์ / จอห์นเซ่น–ราห์เบค (เจอาร์)
เค้าโครงอิเล็กโทรด
โซนเดียวหรือหลายโซน
เส้นทางการผลิต
การรีดร้อน (แนะนำให้ใช้ AlN สำหรับเกรด TC สูง)
เวลาหนีบ / คลายแคลมป์
< 0.1 วินาที (ทั่วไป)
เส้นผ่านศูนย์กลางลักยิ้ม (นาที)
~300 ไมโครเมตร
บริเวณหน้าสัมผัส (มีลักยิ้ม)
สามารถลดลงเหลือ ~1%
ความเรียบโดยรวม (คลาส 300 มม.)
~0.5–3 μm PV (ทั่วไป)
แรงดันไฟฟ้าในการหนีบ
มาตรฐาน 1–3 กิโลโวลต์; การออกแบบ > 15 kV เป็นไปได้
VeTek Semiconductor ผสานรวมเซรามิก AlN ขั้นสูงเข้ากับการผลิต ESC ที่มีความแม่นยำสำหรับลูกค้าเซมิคอนดักเตอร์ที่ต้องการทั้งประสิทธิภาพการระบายความร้อนและการหนีบที่เชื่อถือได้:
• เกรด AlN หลายเกรดที่มีค่าการนำความร้อนตั้งแต่ ~90 ถึง ~180 W/m·K เพื่อให้ตรงกับงบประมาณการระบายความร้อนของกระบวนการ
• การออกแบบอิเล็กโทรดและอิเล็กทริกที่ยืดหยุ่นสำหรับลักษณะการจับยึดของคูลอมบ์หรือ JR
• การควบคุมความเรียบ โครงสร้างจุลภาคของพื้นผิว และประสิทธิภาพของฉนวนไฟฟ้าอย่างเข้มงวด
• การสนับสนุนตลอดอายุการใช้งานเต็มรูปแบบ: การออกแบบ การสร้างใหม่ และการตกแต่งใหม่หลายระดับ
สำหรับเครื่องมือกัดกรด การสะสม และความร้อนที่ต้องอาศัยอุณหภูมิเวเฟอร์สม่ำเสมอและการจับยึดที่สะอาดและทำซ้ำได้ หัวจับไฟฟ้าสถิตเซรามิกอะลูมิเนียมไนไตรด์ VeTek มอบแพลตฟอร์มเซรามิกประสิทธิภาพสูงที่ได้รับการสนับสนุนโดยการสนับสนุนทางวิศวกรรมที่เน้นการใช้งาน
ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
โทร
+86-18069220752
อีเมล
anny@veteksemi.com
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek