ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์การเจริญเติบโตของ epitaxial และการสะสมไอสารเคมีเป็นขั้นตอนกระบวนการทั่วไปที่ใช้ในการเติบโตเวเฟอร์คุณภาพสูงและฟิล์มบาง เรือ SIC ที่มีความบริสุทธิ์สูงมีบทบาทสำคัญในฐานะผู้ให้บริการซึ่งสามารถทนต่ออิทธิพลของอุณหภูมิและสารเคมีสูงเพื่อให้แน่ใจว่าการเติบโตและกระบวนการสะสมที่แม่นยำ
นอกเหนือจากการออกแบบที่ทนทานแล้วเรือ SIC ที่มีความบริสุทธิ์สูงยังไม่ทำปฏิกิริยาเช่นกัน ซึ่งหมายความว่าจะไม่ตอบสนองต่อการประมวลผลสารเคมีซึ่งจะรักษาความสมบูรณ์และประสิทธิภาพของเรือ สิ่งนี้ช่วยให้ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์มีเครื่องมือที่เชื่อถือได้เพื่อให้แน่ใจว่ามีความสอดคล้องและการทำซ้ำในกระบวนการผลิต
คุณสมบัติทางกายภาพของซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ตกผลึกใหม่
คุณสมบัติทางกายภาพของซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ตกผลึกใหม่
คุณสมบัติ
ค่าทั่วไป
อุณหภูมิในการทำงาน (° C)
1600 ° C (พร้อมออกซิเจน), 1700 ° C (ลดสภาพแวดล้อม)
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.