แหวนขอบ sic

ในด้านการผลิตเซมิคอนดักเตอร์แหวน SIC Edge ซึ่งเป็นส่วนประกอบหลักของอุปกรณ์แปรรูปเวเฟอร์กำลังปฏิวัติภูมิทัศน์อุตสาหกรรมด้วยคุณสมบัติของวัสดุ มูลค่าขององค์ประกอบที่แม่นยำนี้ที่ทำจากผลึกเดี่ยวซิลิกอนคาร์ไบด์ไม่เพียง แต่อยู่ในเนื้อหาไฮเทคเท่านั้น แต่ยังรวมถึงการปรับปรุงที่สำคัญในผลผลิตและการเพิ่มประสิทธิภาพของต้นทุนการดำเนินงานที่สามารถนำไปสู่ผู้ผลิตชิป

ลักษณะโครงสร้างวงแหวนขอบ sic

วงแหวนขอบซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นส่วนประกอบที่สำคัญในอุปกรณ์การแกะสลักเซมิคอนดักเตอร์และทำจากวัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูงซึ่งจัดทำโดยวิธีการสะสมไอสารเคมี (CVD) เส้นผ่านศูนย์กลางของโครงสร้างวงแหวนมักจะเป็น 200-450 มม. และความหนาจะถูกควบคุมภายใน 5-15 มม. ซึ่งมีลักษณะดังต่อไปนี้:

1. ความทนทานต่อ Extreme: สามารถทนต่อสภาพแวดล้อมที่อุณหภูมิสูงถึง 1,500 ℃

2. ความเสถียรของพลาสมา: ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก 9.7, แรงดันไฟฟ้าสลาย 3MV/ซม.

3. ความแม่นยำทางเรขาคณิต: ข้อผิดพลาดความกลม≤0.05มม

ความก้าวหน้าในกระบวนการผลิต

กระบวนการเตรียมการที่ทันสมัยใช้วิธีการสามขั้นตอน:

1. การขึ้นรูปเมทริก

2. การเผาที่อุณหภูมิสูง: การรักษาความหนาแน่นในบรรยากาศเฉื่อยที่ 2100 ℃

3. การปรับเปลี่ยนพื้นผิว: ชั้นป้องกันระดับนาโนเกิดขึ้นผ่านการกัดไอออนไอออนปฏิกิริยา (RIE) การวิจัยล่าสุดแสดงให้เห็นว่าอายุการใช้งานของแหวนขอบซิลิกอนคาร์ไบด์ที่เจือด้วยโบรอน 3% เพิ่มขึ้น 40% และอัตราการปนเปื้อนของแผ่นเวเฟอร์จะลดลงเป็นระดับ 0.01ppm

สถานการณ์แอปพลิเคชัน

มันแสดงให้เห็นถึงความไม่แน่นอนในกระบวนการที่ต่ำกว่า 5nm:

2. ความสม่ำเสมอของการแกะสลัก: สามารถรักษาอัตราการเบี่ยงเบนอัตราการแกะสลักได้ที่± 1.5% ที่ขอบเวเฟอร์

3. การควบคุมมลพิษ: ลดมลพิษทางโลหะ 92% เมื่อเทียบกับวัสดุควอตซ์แบบดั้งเดิม

4. รอบการบำรุงรักษา: สามารถทำงานได้อย่างต่อเนื่องเป็นเวลา 1500 ชั่วโมงในพลาสมา CF4/O2

Veteksemicon ประสบความสำเร็จในการผลิตในประเทศของ Sic Edge Rings ซึ่งสามารถประหยัดค่าใช้จ่ายได้มาก ยินดีต้อนรับสู่การติดต่อเราได้ตลอดเวลา!