แหวนนำกราไฟท์ที่มีรูพรุน

ข้อดีของผลิตภัณฑ์หลัก

1. รับประกันความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษและมีข้อบกพร่องต่ำ

ใช้กระบวนการทำให้บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิสูงแบบสุญญากาศ 3000°C เพื่อขจัดสิ่งเจือปนที่ไม่ใช่โลหะอย่างล้ำลึก เช่น ออกซิเจนและไนโตรเจน เพิ่มความบริสุทธิ์ของผลิตภัณฑ์เป็น ≥99.9995% ช่วยขจัดข้อบกพร่องของคริสตัลที่เกิดจากการเจือปน (เช่น ไมโครทูบูล การเคลื่อนตัว) จากแหล่งกำเนิด ทำให้มั่นใจในความสม่ำเสมอและความเสถียรของคุณสมบัติทางไฟฟ้าของผลึกเดี่ยว SiC และวางรากฐานที่มั่นคงสำหรับการเติบโตของคริสตัลคุณภาพสูง

2. ความเสถียรของอุณหภูมิที่สูงเป็นพิเศษและการควบคุมสนามความร้อนที่แม่นยำ

สามารถทนต่ออุณหภูมิที่สูงมากถึง 2200°C ในสภาพแวดล้อมแบบอาร์กอนหรือสุญญากาศ ทำงานอย่างต่อเนื่องและเสถียรได้นานกว่า 1000 ชั่วโมง โดยไม่มีการอ่อนตัวหรือเสียรูป ผลิตภัณฑ์มีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวจากความร้อนต่ำ ซึ่งสามารถหลีกเลี่ยงการแตกร้าวของวัสดุที่เกิดจากความเครียดจากความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ รองรับการออกแบบการกระจายไล่ระดับของความพรุน (15-30%) และปรับขนาดรูพรุนให้เหมาะสม (10-200μm) รวมกับเทคโนโลยีการจำลอง CFD (Computational Fluid Dynamics) ควบคุมความผันผวนของไล่ระดับอุณหภูมิภายใน ±3°C และปรับปรุงความสม่ำเสมอของสนามความร้อนและความสม่ำเสมอในการเติบโตของคริสตัลอย่างมีนัยสำคัญ

3. การปรับแต่งที่ปรับแต่งได้และความพึงพอใจในทุกสถานการณ์

• การปรับรูปทรงเรขาคณิต: สามารถประมวลผลรูปร่างที่ซับซ้อน เช่น ถังรูปวงแหวนและโครงสร้างโล่หลายชั้นได้อย่างแม่นยำ ตามโครงสร้างเตาเผาของลูกค้า เพื่อให้ได้การจับคู่และการติดตั้งที่สมบูรณ์แบบ
• การปรับแต่งกระบวนการพื้นผิว: ให้บริการการรักษาพื้นผิวส่วนบุคคล เช่น การขัดเงาที่มีความแม่นยำสูงและการเคลือบแบบพิเศษ ซึ่งช่วยเพิ่มความต้านทานการกัดกร่อนและอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์ได้อย่างมาก

4. การตรวจสอบประสิทธิภาพและการอัพเกรดประสิทธิภาพ

• เมื่อใช้เป็นส่วนประกอบสนามความร้อนหลักในกระบวนการตกผลึก PVT SiC จะได้รับการตรวจสอบในสถานการณ์จริง:
• อัตราการเติบโตของผลึกเพิ่มขึ้น 15%-20% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์กราไฟท์แบบเดิม ส่งผลให้วงจรการผลิตสั้นลงอย่างมาก
• ผลผลิตของเวเฟอร์ผลึกเดี่ยว SiC ขนาด 4 นิ้วเกิน 90% ซึ่งช่วยลดต้นทุนการผลิตได้อย่างมีประสิทธิภาพ
• วงจรการบำรุงรักษาอุปกรณ์ขยายจากปกติ 3 เดือนเป็น 6 เดือน ช่วยลดความถี่ในการบำรุงรักษาการปิดเครื่องและปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิต
  
  

สถานการณ์การใช้งาน

• PVT Growth Furnace Assembly: ทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบหลักสำหรับการระเหิดของวัสดุ SiC และการเติบโตของคริสตัล โดยให้การกระจายสนามความร้อนที่เสถียรและสม่ำเสมอ เพื่อให้มั่นใจว่ากระบวนการตกผลึกดำเนินไปอย่างราบรื่น
• ส่วนประกอบป้องกันสนามความร้อน: โครงสร้างที่มีรูพรุนที่เป็นเอกลักษณ์สามารถบัฟเฟอร์ความเครียดจากความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ลดการสึกหรอของอุปกรณ์ และยืดอายุการใช้งานโดยรวมของอุปกรณ์
• อุปกรณ์เสริมสนับสนุนคริสตัลเมล็ดพันธุ์: มีความแข็งแรงเชิงกลสูงเพื่อรองรับคริสตัลของเมล็ดพืชอย่างเสถียร ทำให้มั่นใจในความแม่นยำของการเติบโตของคริสตัลในทิศทาง
• ชั้นการแพร่กระจายของก๊าซ: ปรับประสิทธิภาพการถ่ายโอนเฟสก๊าซให้เหมาะสม ส่งเสริมการระเหิดและการสะสมตัวของวัตถุดิบที่สม่ำเสมอ และปรับปรุงคุณภาพผลึกเดี่ยวและอัตราการเติบโตเพิ่มเติม

พารามิเตอร์ทางเทคนิค

ไฮไลท์การแข่งขันหลัก

• ประสิทธิภาพที่อุณหภูมิสูงเป็นพิเศษ: รักษาเสถียรภาพของโครงสร้างที่ 2200°C โดยไม่ทำให้อ่อนตัวหรือเสียรูป รองรับการทำงานต่อเนื่องนานกว่า 1,000 ชั่วโมงเพื่อตอบสนองความต้องการของกระบวนการขั้นรุนแรง
• โซลูชันสนามความร้อนแบบกำหนดเอง: ใช้เทคโนโลยีการจำลอง CFD เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบการไล่ระดับรูพรุน จับคู่ความต้องการของกระบวนการของลูกค้าอย่างแม่นยำ และปรับปรุงความสม่ำเสมอของคริสตัลและผลผลิตของผลิตภัณฑ์
• บริการตอบสนองอย่างรวดเร็ว: ให้บริการทดสอบการจับคู่พารามิเตอร์กระบวนการและส่งมอบโซลูชันต้นแบบภายใน 72 ชั่วโมง ช่วยให้ลูกค้าเร่งกระบวนการ R&D และกระบวนการผลิต