บ้าน
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับบริษัท
คำถามที่พบบ่อย
ผู้เชี่ยวชาญด้านเทคนิค
อุปกรณ์การผลิต
ใบรับรองของเรา
บริการของเรา
สินค้า
การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์
ชิ้นส่วนอะไหล่การเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว
กระบวนการ Epitaxy SiC
ตัวรับยูวีแอลอีดี
การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์
ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่เป็นของแข็ง
epitaxy ซิลิคอน
epitaxy ซิลิคอนคาร์ไบด์
เทคโนโลยีเอ็มโอซีวีดี
กระบวนการ RTA/RTP
กระบวนการแกะสลัก ICP/PSS
กระบวนการอื่น ๆ
เอแอลดี
เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์
ผง SIC ที่บริสุทธิ์สูง
ออกซิเดชั่นและเตาหลอม
แอดวานซ์ เซรามิค
ควอตซ์เซมิคอนดักเตอร์
เซรามิกอลูมิเนียมออกไซด์
ซิลิกอนไนไตรด์
sic ที่มีรูพรุน
วัสดุคอมโพสิตเพชร
อลูมิเนียมไนไตรด์
อิตเทรียมออกไซด์
เซอร์โคเนียมออกไซด์
กราไฟท์พิเศษ
การเคลือบคาร์บอนไพโรลิติก
การเคลือบคาร์บอนน้ำเลี้ยง
กราไฟท์ที่มีรูพรุน
กราไฟท์ isotropic
กราไฟท์ซิลิโคน
แผ่นกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง
คาร์บอนไฟเบอร์
คอมโพสิต C/C
รู้สึกเข้มงวด
อ่อนนุ่ม
บริการสนับสนุน
เวเฟอร์
เทคโนโลยีการรักษาพื้นผิว
บริการด้านเทคนิค
เทคโนโลยีและโซลูชั่น
เทคโนโลยีและเทรนด์
โซลูชั่น
คู่มือการเลือก
กรณีศึกษา
บริการและทรัพยากร
การทำแผนที่ตัวอย่าง
วัสดุและการออกแบบ
การเพิ่มประสิทธิภาพและการผลิตจำนวนมาก
การควบคุมคุณภาพและโลจิสติกส์
ข่าว
ข่าว บริษัท
ข่าวอุตสาหกรรม
ติดต่อเรา
ดาวน์โหลด
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
เมนูเว็บ
บ้าน
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับบริษัท
คำถามที่พบบ่อย
ผู้เชี่ยวชาญด้านเทคนิค
อุปกรณ์การผลิต
ใบรับรองของเรา
บริการของเรา
สินค้า
การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์
ชิ้นส่วนอะไหล่การเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว
กระบวนการ Epitaxy SiC
ตัวรับยูวีแอลอีดี
การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์
ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่เป็นของแข็ง
epitaxy ซิลิคอน
epitaxy ซิลิคอนคาร์ไบด์
เทคโนโลยีเอ็มโอซีวีดี
กระบวนการ RTA/RTP
กระบวนการแกะสลัก ICP/PSS
กระบวนการอื่น ๆ
เอแอลดี
เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์
ผง SIC ที่บริสุทธิ์สูง
ออกซิเดชั่นและเตาหลอม
แอดวานซ์ เซรามิค
ควอตซ์เซมิคอนดักเตอร์
เซรามิกอลูมิเนียมออกไซด์
ซิลิกอนไนไตรด์
sic ที่มีรูพรุน
วัสดุคอมโพสิตเพชร
อลูมิเนียมไนไตรด์
อิตเทรียมออกไซด์
เซอร์โคเนียมออกไซด์
กราไฟท์พิเศษ
การเคลือบคาร์บอนไพโรลิติก
การเคลือบคาร์บอนน้ำเลี้ยง
กราไฟท์ที่มีรูพรุน
กราไฟท์ isotropic
กราไฟท์ซิลิโคน
แผ่นกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง
คาร์บอนไฟเบอร์
คอมโพสิต C/C
รู้สึกเข้มงวด
อ่อนนุ่ม
บริการสนับสนุน
เวเฟอร์
เทคโนโลยีการรักษาพื้นผิว
บริการด้านเทคนิค
เทคโนโลยีและโซลูชั่น
เทคโนโลยีและเทรนด์
โซลูชั่น
คู่มือการเลือก
กรณีศึกษา
บริการและทรัพยากร
การทำแผนที่ตัวอย่าง
วัสดุและการออกแบบ
การเพิ่มประสิทธิภาพและการผลิตจำนวนมาก
การควบคุมคุณภาพและโลจิสติกส์
ข่าว
ข่าว บริษัท
ข่าวอุตสาหกรรม
ติดต่อเรา
ดาวน์โหลด
ค้นหาผลิตภัณฑ์
ภาษา
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
เมนูออก
บ้าน
เทคโนโลยีและโซลูชั่น
คู่มือการเลือก
คู่มือการเลือก
เทคโนโลยีและเทรนด์
โซลูชั่น
คู่มือการเลือก
กรณีศึกษา
05
01-03 เวเทค | หน่วยเมตริกหลักสำหรับความสม่ำเสมอของความหนาของผิวเคลือบ CVD SiC และการควบคุมอนุภาค
หลังจากเลือกวัสดุแล้ว สิ่งที่มักตัดสินประสิทธิภาพของเครื่องมือคือหน่วยเมตริกเชิงปริมาณ เช่น ความสม่ำเสมอของความหนา ระดับอนุภาค และความบริสุทธิ์ บทความนี้จะจัดมิติคุณภาพที่สำคัญของการเคลือบ CVD SiC ในการยอมรับและการใช้งาน ซึ่งช่วยเปลี่ยนจาก "ข้อกำหนดที่ตรงกัน" เป็น "สามารถตรวจสอบรายงานและคาดการณ์ความเสี่ยงได้
ดูเพิ่มเติม
06
01-02 เวเทค | วิธีการเลือกการเคลือบ SiC, การเคลือบ TaC หรือ SiC ของแข็งตามเงื่อนไขของกระบวนการ
บทความนี้จะสรุปขอบเขตการใช้งานและสถานการณ์ทั่วไปของการเคลือบ CVD SiC, การเคลือบ TaC และ Solid SiC ตามอุณหภูมิ บรรยากาศ และประเภทของกระบวนการ ช่วยให้วิศวกรด้านเอพิแทกซีและการกัดกรดจัดแนวหน้าต่างกระบวนการในระหว่างการเลือกได้อย่างรวดเร็ว และหลีกเลี่ยงความเสี่ยงของอนุภาคและอายุการใช้งานจากความไม่ตรงกันของวัสดุและสภาพ
ดูเพิ่มเติม
07
01-01 VTEEK | ความเข้ากันได้ของตัวรับกราไฟท์และโซลูชันการเปลี่ยนแบบกำหนดเองในอัตราส่วน 1:1
โซลูชันความเข้ากันได้และการเปลี่ยนทดแทนสำหรับตัวรับ Aixtron G10, Veeco, ASM และวงแหวนอุ่น รองรับการปรับแต่งตามการวาดแบบ 1:1 การจัดส่งที่รวดเร็วสำหรับชิ้นส่วนมาตรฐาน 3-6 สัปดาห์สำหรับชิ้นส่วนแบบกำหนดเอง พร้อมรายงานการตรวจสอบและการประเมินตัวอย่าง
ดูเพิ่มเติม
08
01 ขอบเขตประสิทธิภาพของ CVD SiC, TaC และ Solid SiC ในกระบวนการเอพิแทกซีและการกัด
การเลือก CVD SiC, การเคลือบ TaC หรือ Solid SiC ที่เหมาะสมจะกำหนดระดับอนุภาคและอายุการใช้งานของส่วนประกอบโดยตรงบนเส้นเอพิแทกซี/การกัดกรด บทความนี้จะให้ขอบเขตการเลือกที่ชัดเจนตามอุณหภูมิ บรรยากาศ และกระบวนการ ซึ่งสอดคล้องกับโซลูชันการเปลี่ยนอุปกรณ์หลักและเกณฑ์ชี้วัดหลัก เพื่อช่วยให้คุณตัดสินใจได้อย่างรวดเร็วและลดความเสี่ยง
ดูเพิ่มเติม
«
1
2
»
คำแนะนำข่าวสาร
PVT ทำงานภายใน SiC Crystal Growth Furnace อย่างไร
ดูเพิ่มเติม >>
วัสดุหลักสำหรับการเติบโตของ SIC คืออะไร?
ดูเพิ่มเติม >>
อุปกรณ์ควอตซ์ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์
ดูเพิ่มเติม >>
จะเลือกถาดกราไฟท์ MOCVD ได้อย่างไร?
ดูเพิ่มเติม >>
การเคลือบ CVD SiC สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ Epitaxy: ประโยชน์ โหมดความล้มเหลว และการเลือกทางวิศวกรรม
ดูเพิ่มเติม >>
การใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่เป็นของแข็ง
ดูเพิ่มเติม >>
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek
X
เราใช้คุกกี้เพื่อมอบประสบการณ์การท่องเว็บที่ดีขึ้น วิเคราะห์การเข้าชมไซต์ และปรับแต่งเนื้อหาในแบบของคุณ การใช้ไซต์นี้แสดงว่าคุณยอมรับการใช้คุกกี้ของเรา
นโยบายความเป็นส่วนตัว
ปฏิเสธ
ยอมรับ