sic -coated barrel barrel

มันเป็นเซมิคอนดักเตอร์คือผู้ผลิต ผู้จัดจำหน่าย และผู้ส่งออกการเคลือบ SiC และการเคลือบ TaC ชั้นนำของจีน ยึดมั่นในการแสวงหาคุณภาพที่สมบูรณ์แบบของผลิตภัณฑ์ เพื่อให้ SiC Coated Barrel Susceptor ของเราได้รับความพึงพอใจจากลูกค้าจำนวนมาก การออกแบบที่รุนแรงวัตถุดิบที่มีคุณภาพประสิทธิภาพสูงและราคาที่แข่งขันได้คือสิ่งที่ลูกค้าทุกคนต้องการและนั่นคือสิ่งที่เราสามารถให้คุณได้ แน่นอนว่าสิ่งสำคัญคือบริการหลังการขายที่สมบูรณ์แบบของเรา หากคุณมีความสนใจในบริการ SIC Coated Barrel Barrel Wensceptor ของเราคุณสามารถปรึกษาเราได้ตอนนี้เราจะตอบกลับคุณทันเวลา!

มันเป็นเซมิคอนดักเตอร์SiC Coated Barrel Susceptor ส่วนใหญ่ใช้สำหรับเครื่องปฏิกรณ์ LPE Si EPI

LPE (epitaxy เฟสของเหลว) silicon epitaxy เป็นเทคนิคการเจริญเติบโต epitaxial เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปสำหรับการสะสมชั้นบาง ๆ ของซิลิกอนผลึกเดี่ยวบนพื้นผิวซิลิกอน มันเป็นวิธีการเจริญเติบโตเฟสของเหลวบนพื้นฐานของปฏิกิริยาทางเคมีในสารละลายเพื่อให้เกิดการเจริญเติบโตของคริสตัล

หลักการพื้นฐานของ LPE Silicon epitaxy เกี่ยวข้องกับการแช่สารตั้งต้นลงในสารละลายที่มีวัสดุที่ต้องการการควบคุมอุณหภูมิและองค์ประกอบการแก้ปัญหาทำให้วัสดุในการแก้ปัญหาเติบโตเป็นชั้นซิลิกอนผลึกเดี่ยว บนพื้นผิวพื้นผิว โดยการปรับสภาพการเจริญเติบโตและองค์ประกอบของสารละลายในระหว่างการเจริญเติบโตของ epitaxial คุณภาพคริสตัลที่ต้องการความหนาและความเข้มข้นของยาสลบสามารถทำได้

LPE Silicon Epitaxy มีลักษณะและข้อดีหลายประการ ประการแรก สามารถทำได้ที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ ซึ่งช่วยลดความเครียดจากความร้อนและการแพร่กระจายของสิ่งเจือปนในวัสดุ ประการที่สอง LPE Silicon Epitaxy ให้ความสม่ำเสมอสูงและคุณภาพคริสตัลที่ดีเยี่ยม เหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง นอกจากนี้ เทคโนโลยี LPE ยังช่วยให้โครงสร้างที่ซับซ้อนเติบโตขึ้น เช่น โครงสร้างหลายชั้นและโครงสร้างเฮเทอโร

ใน LPE Silicon epitaxy, sic -coated barrel barrel sensceptor เป็นองค์ประกอบที่สำคัญ epitaxial โดยทั่วไปแล้วจะใช้ในการเก็บและรองรับพื้นผิวซิลิกอนที่จำเป็นสำหรับการเจริญเติบโตของ epitaxial ในขณะที่ให้อุณหภูมิและการควบคุมบรรยากาศ การเคลือบ SIC ช่วยเพิ่มความทนทานและความเสถียรทางเคมีของผู้ป่วยที่มีอุณหภูมิสูงตามข้อกำหนดของกระบวนการเจริญเติบโตของ epitaxial ด้วยการใช้ประโยชน์จากการเคลือบบาร์เรล SIC ประสิทธิภาพและความสอดคล้องของการเติบโตของ epitaxial สามารถปรับปรุงได้เพื่อให้มั่นใจว่าการเติบโตของชั้น epitaxial คุณภาพสูง

คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของการเคลือบ CVD SiC

โครงสร้างคริสตัลฟิล์ม CVD SIC

มันเป็นเซมิคอนดักเตอร์ร้านผลิต SiC Coated Barrel Susceptor