สินค้า

CVD SIC Coated Wafer Wafer ของ Veteksemicon เป็นวิธีแก้ปัญหาที่ทันสมัยสำหรับกระบวนการ epitaxial เซมิคอนดักเตอร์นำเสนอความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ (≤100ppB, ICP-E10 ที่ได้รับการรับรอง) และความเสถียรทางความร้อน/สารเคมี ออกแบบด้วยเทคโนโลยี CVD ที่แม่นยำรองรับเวเฟอร์ 6”/8”/12” ทำให้มั่นใจได้ว่ามีความเครียดจากความร้อนน้อยที่สุดและทนต่ออุณหภูมิสูงถึง 1600 ° C

SIC Coated Planetary Vexceptor ของเราเป็นองค์ประกอบหลักในกระบวนการอุณหภูมิสูงของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การออกแบบของมันผสมผสานพื้นผิวกราไฟท์กับการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพการเพิ่มประสิทธิภาพที่ครอบคลุมของประสิทธิภาพการจัดการความร้อนความเสถียรทางเคมีและความแข็งแรงเชิงกล

แผ่นเซรามิก sic ที่มีรูพรุนของเราเป็นวัสดุเซรามิกที่มีรูพรุนที่ทำจากซิลิกอนคาร์ไบด์เป็นองค์ประกอบหลักและประมวลผลโดยกระบวนการพิเศษ พวกเขาเป็นวัสดุที่ขาดไม่ได้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์, การสะสมไอสารเคมี (CVD) และกระบวนการอื่น ๆ

แหวนปิดผนึก SIC ของเราสำหรับ epitaxy เป็นส่วนประกอบการปิดผนึกประสิทธิภาพสูงโดยใช้คอมโพสิตกราไฟท์หรือคาร์บอนคาร์บอนที่เคลือบด้วยซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ที่มีความบริสุทธิ์สูงโดยการสะสมไอสารเคมี (CVD) ซึ่งรวมกันความคงตัวของความร้อน

เรือควอตซ์ที่มีความบริสุทธิ์สูงของเราทำจากควอตซ์หลอมรวม (เนื้อหาSIO₂≥ 99.99%) ด้วยความต้านทานที่ยอดเยี่ยมต่อสภาพแวดล้อมที่รุนแรงค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำและวงจรชีวิตที่ยาวนานมันได้กลายเป็นกุญแจสำคัญที่ไม่สามารถถูกแทนที่ได้ในเซมิคอนดักเตอร์และอุตสาหกรรมพลังงานใหม่

วงแหวนโฟกัสสำหรับการแกะสลักเป็นองค์ประกอบสำคัญเพื่อให้แน่ใจว่ากระบวนการและเสถียรภาพของกระบวนการ ส่วนประกอบเหล่านี้ประกอบขึ้นอย่างแม่นยำในห้องสูญญากาศเพื่อให้ได้การตัดเฉือนที่สม่ำเสมอของโครงสร้างระดับนาโนบนพื้นผิวเวเฟอร์ผ่านการควบคุมการกระจายพลาสมาที่แม่นยำอุณหภูมิขอบและความสม่ำเสมอของสนามไฟฟ้า