แผ่นเซรามิกที่มีรูพรุน

แผ่นเซรามิก sic ที่มีรูพรุนเป็นโครงสร้างที่มีรูพรุนวัสดุเซรามิกที่ทำจากซิลิกอนคาร์ไบด์เป็นองค์ประกอบหลักและรวมกับกระบวนการเผาแบบพิเศษ ความพรุนของมันสามารถปรับได้ (โดยปกติ 30%-70%) การกระจายขนาดรูขุมขนนั้นสม่ำเสมอมีความต้านทานอุณหภูมิสูงที่ยอดเยี่ยมความเสถียรทางเคมีและการซึมผ่านของก๊าซที่ยอดเยี่ยมและใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์การสะสมไอสารเคมี (CVD) การกรองก๊าซอุณหภูมิสูง

และสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับแผ่นเซรามิก sic ที่มีรูพรุนโปรดตรวจสอบบล็อกนี้

แผ่นเซรามิก sic ที่มีรูพรุนคุณสมบัติทางกายภาพที่ยอดเยี่ยม

●ความต้านทานอุณหภูมิสูงมาก:

จุดหลอมเหลวของเซรามิก SIC สูงถึง 2700 ° C และยังสามารถรักษาเสถียรภาพของโครงสร้างได้สูงกว่า 1600 ° C ซึ่งอยู่ไกลเกินกว่าเซรามิกอลูมินาแบบดั้งเดิม (ประมาณ 2,000 ° C) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเหมาะสำหรับกระบวนการอุณหภูมิสูงเซมิคอนดักเตอร์

●ประสิทธิภาพการจัดการความร้อนที่ยอดเยี่ยม:

✔การนำความร้อนสูง: การนำความร้อนของ SIC หนาแน่นอยู่ที่ประมาณ 120 W/(M · K) แม้ว่าโครงสร้างที่มีรูพรุนจะช่วยลดค่าการนำความร้อนได้เล็กน้อย แต่ก็ยังดีกว่าเซรามิกส่วนใหญ่และรองรับการกระจายความร้อนที่มีประสิทธิภาพ

✔ค่าสัมประสิทธิ์การขยายความร้อนต่ำ (4.0 ×10⁻⁶/° C): เกือบจะไม่มีการเสียรูปที่อุณหภูมิสูงหลีกเลี่ยงความล้มเหลวของอุปกรณ์ที่เกิดจากความเครียดจากความร้อน

●เสถียรภาพทางเคมีที่ยอดเยี่ยม

ความต้านทานการกัดกร่อนของกรดและอัลคาไล (โดยเฉพาะอย่างยิ่งที่โดดเด่นในสภาพแวดล้อม HF) ความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันของอุณหภูมิสูงเหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมที่รุนแรงเช่นการแกะสลักและการทำความสะอาด

●คุณสมบัติเชิงกลที่โดดเด่น

✔ความแข็งสูง (Mohs Hardness 9.2, รองจาก Diamond เท่านั้น), ความต้านทานการสึกหรอที่แข็งแกร่ง

✔ความแข็งแรงของการดัดสามารถเข้าถึง 300-400 MPa และการออกแบบโครงสร้างรูขุมขนคำนึงถึงความแข็งแรงของน้ำหนักเบาและกลไก

●โครงสร้างรูพรุนที่ใช้งานได้

พื้นที่ผิวจำเพาะที่เฉพาะเจาะจงสูง: เพิ่มประสิทธิภาพการแพร่กระจายของก๊าซเหมาะกับแผ่นกระจายก๊าซปฏิกิริยา

✔รูพรุนที่ควบคุมได้: เพิ่มประสิทธิภาพการเจาะของเหลวและประสิทธิภาพการกรองเช่นการสร้างฟิล์มแบบสม่ำเสมอในกระบวนการ CVD

บทบาทเฉพาะในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

●สนับสนุนกระบวนการอุณหภูมิสูงและฉนวนกันความร้อน

เป็นแผ่นรองรับเวเฟอร์มันถูกใช้ในอุปกรณ์อุณหภูมิสูง (> 1200 ° C) เช่นเตาเผาและเตาหลอมเพื่อหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนของโลหะ

โครงสร้างที่มีรูพรุนมีทั้งฉนวนและฟังก์ชั่นสนับสนุนลดการสูญเสียความร้อน

●การกระจายก๊าซที่สม่ำเสมอและการควบคุมปฏิกิริยา

ในอุปกรณ์การสะสมไอสารเคมี (CVD) เป็นแผ่นกระจายก๊าซรูขุมขนจะใช้ในการขนส่งก๊าซปฏิกิริยาอย่างสม่ำเสมอ (เช่นSIH₄, NH₃) เพื่อปรับปรุงความสม่ำเสมอของการสะสมของฟิล์มบาง

ในการแกะสลักแบบแห้งโครงสร้างที่มีรูพรุนปรับการกระจายพลาสม่าและปรับปรุงความแม่นยำในการแกะสลัก

●ส่วนประกอบหลักของ Chuck (ESC)

Porous SIC ใช้เป็นสารตั้งต้นชัคไฟฟ้าสถิตซึ่งได้รับการดูดซับสูญญากาศผ่าน micropores แก้ไขเวเฟอร์อย่างแม่นยำและทนต่อการทิ้งระเบิดในพลาสมาและมีอายุการใช้งานที่ยาวนาน

●ส่วนประกอบที่ทนต่อการกัดกร่อน

ใช้สำหรับเยื่อบุโพรงของอุปกรณ์แกะสลักเปียกและการทำความสะอาดมันต่อต้านการกัดกร่อนด้วยกรดที่แข็งแรง (เช่นHno₄, HNO₃) และอัลคาลิสที่แข็งแกร่ง (เช่น KOH)

●การควบคุมความสม่ำเสมอของสนามความร้อน

ในเตาหลอมการเจริญเติบโตของซิลิกอนคริสตัลเดี่ยว (เช่นวิธี Czochralski) เป็นโล่ความร้อนหรือการสนับสนุนเสถียรภาพความร้อนสูงของมันใช้เพื่อรักษาสนามความร้อนที่สม่ำเสมอและลดข้อบกพร่องของตาข่าย

●การกรองและการทำให้บริสุทธิ์

โครงสร้างที่มีรูพรุนสามารถสกัดกั้นสารปนเปื้อนของอนุภาคและใช้ในระบบส่งก๊าซ/ของเหลวเป็นพิเศษเพื่อให้แน่ใจว่ากระบวนการสะอาด

ข้อดีของวัสดุดั้งเดิม