เวเทค เซมิคอนดักเตอร์ผู้ให้บริการเวเฟอร์ SIC แนวนอน/เรือมีจุดหลอมเหลวที่สูงมาก (ประมาณ 2700 ° C) ซึ่งช่วยให้ผู้ให้บริการเวเฟอร์ SIC แนวนอน/เรือไปทำงานอย่างเสถียรในสภาพแวดล้อมที่อุณหภูมิสูงโดยไม่มีการเสียรูปหรือการย่อยสลาย คุณลักษณะนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการต่าง ๆ เช่นการตกตะกอนของการหลอมด้วยอุณหภูมิสูงหรือการสะสมไอสารเคมี (CVD)
ที่ตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน/เรือมีบทบาทโดยเฉพาะในกระบวนการบรรทุกพาหะเวเฟอร์ดังต่อไปนี้:
การแบกและการสนับสนุนเวเฟอร์ซิลิคอน: เรือเวเฟอร์ SIC แนวนอนส่วนใหญ่ใช้เพื่อพกพาและสนับสนุนเวเฟอร์ซิลิคอนในระหว่างการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ มันสามารถจัดเวเฟอร์ซิลิคอนหลายแห่งเข้าด้วยกันเพื่อให้แน่ใจว่าพวกเขายังคงอยู่ในตำแหน่งที่ดีและเสถียรภาพตลอดกระบวนการประมวลผลทั้งหมด
ความร้อนและความเย็นสม่ำเสมอ: เนื่องจากค่าการนำความร้อนสูงของ SIC เรือเวเฟอร์สามารถกระจายความร้อนให้กับเวเฟอร์ซิลิคอนทั้งหมดได้อย่างมีประสิทธิภาพ สิ่งนี้จะช่วยให้เกิดการทำความร้อนอย่างสม่ำเสมอหรือการระบายความร้อนของเวเฟอร์ซิลิคอนในระหว่างการประมวลผลอุณหภูมิสูงเพื่อให้มั่นใจถึงความสม่ำเสมอและความน่าเชื่อถือของกระบวนการประมวลผล
ป้องกันการปนเปื้อน: ความเสถียรทางเคมีของ SIC ช่วยให้สามารถทำงานได้ดีในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีฤทธิ์กัดกร่อนซึ่งจะช่วยลดการสัมผัสของเวเฟอร์ซิลิคอนไปยังสารปนเปื้อนหรือสารตั้งต้นที่เป็นไปได้
ในความเป็นจริงเรือเวเฟอร์ SIC ในแนวนอนสามารถมีบทบาทข้างต้นเนื่องจากลักษณะผลิตภัณฑ์ที่เป็นเอกลักษณ์:
ความเสถียรทางเคมีที่ยอดเยี่ยม: วัสดุ SiC มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเยี่ยมต่อตัวกลางสารเคมีหลายชนิด ในกระบวนการแปรรูปก๊าซหรือของเหลวที่มีฤทธิ์กัดกร่อน SiC Wafer Boat สามารถต้านทานการกัดกร่อนของสารเคมีได้อย่างมีประสิทธิภาพ และปกป้องเวเฟอร์ซิลิคอนจากการปนเปื้อนหรือความเสียหาย
การนำความร้อนสูง: การนำความร้อนสูงของ SIC ช่วยกระจายความร้อนอย่างสม่ำเสมอในกระบวนการของผู้ให้บริการและลดการสะสมความร้อน สิ่งนี้สามารถปรับปรุงความแม่นยำของการควบคุมอุณหภูมิในระหว่างการประมวลผลที่แม่นยำและตรวจสอบให้แน่ใจว่ามีความร้อนสม่ำเสมอหรือความเย็นของเวเฟอร์ซิลิคอน
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำของวัสดุ SiC หมายความว่าการเปลี่ยนแปลงมิติของ SiC Wafer Boat มีขนาดเล็กมากในระหว่างการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ ซึ่งช่วยรักษาความเสถียรของมิติในระหว่างการประมวลผลที่อุณหภูมิสูง และป้องกันการเสียรูปหรือการเคลื่อนตัวของตำแหน่งของเวเฟอร์ซิลิคอนที่เกิดจากการขยายตัวเนื่องจากความร้อน
คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของตัวพาเวเฟอร์ SiC แนวนอน:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.