วิธี PVT มักจะใช้ในการปลูกผลึกเดี่ยวซิลิกอนคาร์ไบด์ในอุตสาหกรรม ผง SIC นั้นเต็มไปด้วยก้นของเบ้าหลอมกราไฟท์และผลึกเมล็ด SIC จะถูกยึดติดอยู่ภายในฝาครอบเบ้าหลอมกราไฟท์ที่มีระยะทางที่แน่นอนจากพื้นผิววัตถุดิบจากนั้นก็วางกราไฟท์เบ้าหลอมไว้ในตัวทำความร้อนกราไฟท์โดยรวม โดยการปรับอุณหภูมิของความรู้สึกอ่อนนุ่มของกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงภายนอกวัตถุดิบ SIC จะถูกวางไว้ในเขตอุณหภูมิสูงและผลึกเมล็ด SIC อยู่ในเขตอุณหภูมิต่ำตามลำดับ
ในกระบวนการนี้พื้นที่สนามความร้อนที่ประกอบด้วยเบ้าหลอมและวัสดุฉนวนกันความร้อนโดยรอบเป็นพื้นที่ที่สำคัญที่สุดสำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC ห้องเจริญเติบโตของคริสตัลสามารถถึงอุณหภูมิที่สูงมาก (สูงถึง 3,000 ℃) ที่อุณหภูมิสูงนี้ Vetek Semiconductor ความบริสุทธิ์กราไฟท์ที่อ่อนนุ่มสามารถทนต่ออุณหภูมิสูงเช่นนี้และที่อุณหภูมิสูงนั้นไม่ตอบสนองกับการระเหิด sic
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.