แหวนครอบเวเฟอร์กราไฟท์เคลือบ TaC

ข้อได้เปรียบทางเทคนิคหลัก

• ทนทานต่อสารเคมีเป็นพิเศษ: ออกแบบมาให้ทนต่อก๊าซกัดกร่อนที่รุนแรง (H₂, NH₃, HCl) ที่อุณหภูมิระหว่าง 1200°C ถึง 2000°C

• การจับคู่การขยายตัวทางความร้อน: กระบวนการ CVD ที่เป็นเอกสิทธิ์ของเราทำให้มั่นใจได้ว่าการเคลือบ TaC มี CTE (สัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน) ที่ได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสมที่สุด ซึ่งตรงกับซับสเตรตกราไฟท์ ป้องกันการหลุดลอกหรือการแตกร้าวในระหว่างการหมุนเวียนด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว

• การควบคุมอนุภาคที่เหนือกว่า: ด้วยการปิดผนึกกราไฟท์ที่มีรูพรุนอย่างสมบูรณ์ ชั้น TaC จะกำจัดการไหลของอนุภาค ซึ่งจะเพิ่มผลผลิตเวเฟอร์ของคุณโดยตรงและลดการหยุดทำงานของเครื่องปฏิกรณ์

• อายุการใช้งานยาวนานขึ้น: พื้นผิวที่ทนทานต่อการสึกหรอสูง ทนทานต่อรอบการทำความสะอาดซ้ำๆ โดยมีต้นทุนการเป็นเจ้าของ (CoO) ต่ำกว่าอย่างเห็นได้ชัด เมื่อเทียบกับทางเลือกอื่นที่ไม่เคลือบผิวหรือเคลือบ SiC

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บนหน้าตัดด้วยกล้องจุลทรรศน์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์ของวงแหวนครอบเวเฟอร์กราไฟท์เคลือบ TaC

เหตุใดจึงเลือกแหวนครอบ TaC ของเรา

เราเข้าใจดีว่าในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ความน่าเชื่อถือเท่ากับความสามารถในการทำกำไร วงแหวนครอบเวเฟอร์เคลือบกราไฟท์เคลือบ TaC ของเราได้รับการทดสอบเป็นกลุ่มเพื่อดูความหนาแน่นและความบริสุทธิ์ของสารเคลือบ ไม่ว่าคุณจะเปลี่ยนจากการผลิตเวเฟอร์ขนาด 6 นิ้วเป็น 8 นิ้ว หรือเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ MOCVD ที่อุณหภูมิสูง วงแหวนของเราก็มอบเกราะป้องกันความร้อนและสารเคมีที่จำเป็นสำหรับเอพิแทกซีระดับโลก