แหวนรองรับเคลือบ SiC

เวเทค เซมิคอนดักเตอร์ผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ชั้นนำในประเทศจีนมีความเชี่ยวชาญในการผลิตผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายรวมถึงแหวนรองรับ SIC, การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ CVD, การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์, SiC จำนวนมาก, ผง SiC และวัสดุ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง ความทุ่มเทของเราอยู่ที่การให้ความช่วยเหลือด้านเทคนิคอย่างครอบคลุมและความละเอียดของผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมที่สุดซึ่งออกแบบมาเพื่อภาคเซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะ โปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติมและความช่วยเหลือ

เวเทค เซมิคอนดักเตอร์ของแหวนรองรับ SICเป็นวัสดุทนต่ออุณหภูมิสูงรุ่นใหม่ ในฐานะที่เป็นสารเคลือบที่ทนต่อการกัดกร่อนการเคลือบที่ทนต่อการเกิดออกซิเดชันและการเคลือบที่ทนต่อการสึกหรอได้สามารถใช้ในสภาพแวดล้อมที่สูงกว่า 1650 ℃และใช้กันอย่างแพร่หลายในสนามเซมิคอนดักเตอร์

ลักษณะคุณภาพสูงของแหวนรองรับ SICมีบทบาทสำคัญมากในการเติบโตของ epitaxial ของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม

รักษาความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ: วงแหวนรองรับที่เคลือบ SiC มีค่าการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม และสามารถกระจายอุณหภูมิได้สม่ำเสมอในระหว่างการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว ซึ่งจะช่วยลดการไล่ระดับความร้อนและความเค้นบนพื้นผิวเวเฟอร์ ซึ่งจะช่วยปรับปรุงคุณภาพของชั้นเอพิแทกเซียล

ความเสถียรทางเคมีขั้นสุดยอด: ในระหว่างกระบวนการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวแหวนรองรับ SICสามารถต้านทานการโจมตีทางเคมีจากก๊าซปฏิกิริยา ยืดอายุของวงแหวนรองรับ และรักษาความสมบูรณ์ของกระบวนการ ความเสถียรทางเคมีนี้ช่วยลดความเสี่ยงของการปนเปื้อนและปรับปรุงความบริสุทธิ์และประสิทธิภาพของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

ตำแหน่งที่แม่นยำ: แหวนรองรับการเคลือบ SIC สามารถรักษาตำแหน่งที่แม่นยำของเวเฟอร์ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญในการบรรลุการสะสมของชั้นสม่ำเสมอ การวางตำแหน่งที่แม่นยำนี้ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความหนาแน่นของความหนาและคุณภาพของชั้น epitaxial

คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของการเคลือบ CVD SiC:

ตัวแทนจำหน่าย:

ภาพรวมของห่วงโซ่อุตสาหกรรม epitaxy ชิปเซมิคอนดักเตอร์: