ผง SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงสำหรับการเติบโตของคริสตัล SiC

1. คุณสมบัติที่สำคัญ

· ระดับความบริสุทธิ์สูง:ความสามารถด้านความบริสุทธิ์สูงถึง 99.9999% (เกรด 6N)

· สิ่งเจือปนของโลหะต่ำเป็นพิเศษ:การปนเปื้อนของโลหะปริมาณน้อยที่ปรับให้เหมาะสมที่สุดสำหรับการเติบโตของผลึก SiC

· ความโปร่งใสเต็มรูปแบบ:มีข้อมูลการทดสอบ GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) เต็มรูปแบบสำหรับทุกชุด

· ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่เสถียร:พฤติกรรมการระเหิดที่สม่ำเสมอและคาดการณ์ได้สูงในระหว่างการเติบโตของ PVT

· การกระจายขนาดอนุภาคที่ควบคุม:Granulometry ได้รับการตรวจสอบอย่างระมัดระวังเพื่อรักษาความหนาแน่นของการบรรจุที่สม่ำเสมอ

· สูตรเฉพาะ:ขนาดอนุภาคที่กำหนดเองและเส้นโค้งการกระจายตามคำขอ

· มาตรฐานคุณภาพเซมิคอนดักเตอร์:ผลิตอย่างเข้มงวดภายใต้ระบบการจัดการคุณภาพเกรดเซมิคอนดักเตอร์

2. ภาพผลิตภัณฑ์

3. ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

4. การใช้งาน

· การเติบโตของคริสตัล PVT SiC:แท่ง SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าและกึ่งฉนวน

· พื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์:สารตั้งต้นเวเฟอร์และวัตถุดิบการประมวลผลแบบ epitaxis

· ส่วนประกอบระบายความร้อนระดับสูง:ส่วนประกอบเซรามิกขั้นสูงและการเคลือบตัวรับ

· การใช้งานด้านการวิจัยและพัฒนา:การวิจัยอิเล็กทรอนิกส์กำลังและอุปกรณ์ความถี่สูงยุคใหม่

5. เหตุใดจึงเลือก VeTek Semiconductor

· การทำให้บริสุทธิ์ที่เป็นกรรมสิทธิ์:เทคนิคการทำให้บริสุทธิ์ขั้นสูงที่ให้ความบริสุทธิ์สูงถึง 6N สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว

· การควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวด:การประกันคุณภาพโดยเฉพาะพร้อมการควบคุมการปนเปื้อนระดับเซมิคอนดักเตอร์ที่เข้มงวด

· ความยืดหยุ่นในการปรับแต่ง:การกำหนดขนาดอนุภาคแบบกำหนดเองที่ยืดหยุ่นเพื่อให้พอดีกับข้อกำหนดจำเพาะของเบ้าหลอมเตา PVT ที่แตกต่างกัน

· ห่วงโซ่อุปทานที่มั่นคง:ความสามารถในการจัดหาที่เชื่อถือได้รับประกันการส่งมอบการผลิตจำนวนมากในระยะยาวอย่างมีเสถียรภาพ

· ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค:การสนับสนุนด้านเทคนิคที่สมบูรณ์แบบซึ่งปรับให้เหมาะกับกระบวนการการเติบโตของคริสตัลเฉพาะของคุณ