Gallium Nitride (GAN) เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ bandgap กว้างที่มีคุณสมบัติทางกายภาพที่ยอดเยี่ยมเช่นการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูงสนามไฟฟ้าที่สลายตัวสูงและความเร็วอิเล็กตรอนที่อิ่มตัวสูง มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์ออพโตอิเล็กทรอนิกส์ (เช่นไดโอดเปล่งแสงเลเซอร์ไดโอด) และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงานความถี่สูง (เช่นแอมพลิฟายเออร์พลังงาน) ซิลิคอน (SI) เป็นวัสดุพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปซึ่งมีข้อดีของต้นทุนต่ำขนาดใหญ่และความเข้ากันได้กับกระบวนการวงจรรวมที่ใช้ซิลิกอนที่มีอยู่ ดังนั้นการเติบโตของชั้น epitaxial gan ใน SI จึงเป็นหัวข้อการวิจัยที่มีค่ามาก Aixtron G5+ Series เป็นหนึ่งในอุปกรณ์การเจริญเติบโตของ GaN epitaxial ที่ร้อนแรงที่สุดในปัจจุบันซึ่งมีส่วนประกอบที่สำคัญมากมายและส่วนประกอบเพดานเป็นหนึ่งในองค์ประกอบที่สำคัญ
ส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ ทำจาก SGL Graphite ฟังก์ชั่นหลักคือการควบคุมอุณหภูมิและตรวจสอบให้แน่ใจว่าการไหลของความร้อนต่ำสุดผ่านเวเฟอร์
●การควบคุมความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ: ส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ ช่วยให้การกระจายอุณหภูมิสม่ำเสมอตลอดทั้งห้องปฏิกิริยา ในกระบวนการเจริญเติบโตของ epitaxial เซมิคอนดักเตอร์ความสม่ำเสมอของอุณหภูมิเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการเติบโตของชั้น epitaxial คุณภาพสูง ช่วยให้มั่นใจได้ว่าอุณหภูมิพื้นผิวเดียวกันสามารถรับได้ในเวเฟอร์หรือส่วนประกอบดาวเทียมทั้งหมดซึ่งจะทำให้มั่นใจได้ว่าอัตราการเติบโตและคุณภาพของวัสดุ epitaxial ในทุกสถานที่จึงปรับปรุงผลผลิตกระบวนการ ● เพิ่มประสิทธิภาพสภาพแวดล้อมการเติบโต: เป็นส่วนหนึ่งของห้องปฏิกิริยาส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ จะสร้างสภาพแวดล้อมการเจริญเติบโตที่มั่นคงพร้อมกับส่วนประกอบอื่น ๆ มันสามารถลดการสูญเสียความร้อนและทำให้อุณหภูมิในห้องปฏิกิริยามีเสถียรภาพมากขึ้นซึ่งเอื้อต่อการควบคุมเงื่อนไขสำหรับการเจริญเติบโตของ epitaxial อย่างแม่นยำและลดข้อบกพร่องของชั้น epitaxial และประสิทธิภาพที่ไม่สม่ำเสมอที่เกิดจากความผันผวนของอุณหภูมิ
●การควบคุมความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ:
ส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ ช่วยให้การกระจายอุณหภูมิสม่ำเสมอตลอดทั้งห้องปฏิกิริยา ในกระบวนการเจริญเติบโตของ epitaxial เซมิคอนดักเตอร์ความสม่ำเสมอของอุณหภูมิเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการเติบโตของชั้น epitaxial คุณภาพสูง ช่วยให้มั่นใจได้ว่าอุณหภูมิพื้นผิวเดียวกันสามารถรับได้ในเวเฟอร์หรือส่วนประกอบดาวเทียมทั้งหมดซึ่งจะทำให้มั่นใจได้ว่าอัตราการเติบโตและคุณภาพของวัสดุ epitaxial ในทุกสถานที่จึงปรับปรุงผลผลิตกระบวนการ
● เพิ่มประสิทธิภาพสภาพแวดล้อมการเติบโต:
เป็นส่วนหนึ่งของห้องปฏิกิริยาส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ จะสร้างสภาพแวดล้อมการเจริญเติบโตที่มั่นคงพร้อมกับส่วนประกอบอื่น ๆ มันสามารถลดการสูญเสียความร้อนและทำให้อุณหภูมิในห้องปฏิกิริยามีเสถียรภาพมากขึ้นซึ่งเอื้อต่อการควบคุมเงื่อนไขสำหรับการเจริญเติบโตของ epitaxial อย่างแม่นยำและลดข้อบกพร่องของชั้น epitaxial และประสิทธิภาพที่ไม่สม่ำเสมอที่เกิดจากความผันผวนของอุณหภูมิ
ส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ เป็นหนึ่งในผลิตภัณฑ์หลักในอุตสาหกรรมที่เปิดตัวโดย Vetek Semiconductor การเลือก Vetek Semiconductor หมายถึงการเป็นพันธมิตรกับ บริษัท ที่มุ่งมั่นที่จะผลักดันขอบเขตของนวัตกรรมการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ ด้วยความสำคัญอย่างยิ่งต่อคุณภาพประสิทธิภาพและความพึงพอใจของลูกค้าเราจึงส่งมอบผลิตภัณฑ์ที่ไม่เพียง แต่ตรงตามความต้องการที่เข้มงวดของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ให้เราช่วยให้คุณบรรลุประสิทธิภาพความน่าเชื่อถือและความสำเร็จที่มากขึ้นในการดำเนินงานของคุณด้วยโซลูชันส่วนประกอบเพดาน Aixtron G5+ ขั้นสูงของเรา
คุณสมบัติทั่วไป หน่วย มาตรฐานทดสอบ ค่า ขนาดเกรนเฉลี่ย μm ISO 13320 10 ความหนาแน่นจำนวนมาก g/ซม.3 จาก IEC 60413/204 1.83 รูพรุนแบบเปิด ฉบับที่ จาก 66133 10 เส้นผ่านศูนย์กลางทางเข้ารูขุมขนขนาดกลาง μm จาก 66133 1.8 สัมประสิทธิ์การซึมผ่าน (อุณหภูมิโดยรอบ) ซม.2/s จาก 51935 0.06 Rockwell Hardness HR5/100 \ จาก IEC 60413/303 90 ความต้านทาน μΩm จาก IEC 60413/402 13 ความแข็งแรงของการโค้งงอ MPA จาก IEC 60413/501 60 แรงอัด MPA จาก 51910 130 โมดูลัสแบบไดนามิกของความยืดหยุ่น MPA จาก 51915 11.5 x 103 การขยายตัวทางความร้อน (20-200 ℃) K-1 จาก 51909 4.2x10-6 การนำความร้อน (20 ℃) Wm-1K-1 จาก 51908 105 เนื้อหาเถ้า PPM จาก 51903 \
ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
โทร
+86-18069220752
อีเมล
anny@veteksemi.com
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek