Vผู้ถือเวเฟอร์เคลือบ SIC ของ Etek Semiconductor มักจะใช้ในการแก้ไขและสนับสนุนเวเฟอร์ในระหว่างการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ มันเป็นประสิทธิภาพสูงผู้ให้บริการเวเฟอร์ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยการเคลือบชั้นของซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) บนพื้นผิวของพื้นผิวผลิตภัณฑ์สามารถป้องกันสารตั้งต้นจากการกัดกร่อนและปรับปรุงความต้านทานการกัดกร่อนและความแข็งแรงเชิงกลของผู้ให้บริการเวเฟอร์เพื่อให้มั่นใจถึงความมั่นคงและข้อกำหนดที่แม่นยำของกระบวนการประมวลผล
Sic Coated Wafer Holderมักจะใช้เพื่อแก้ไขและสนับสนุนเวเฟอร์ในระหว่างการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ มันเป็นผู้ให้บริการเวเฟอร์ประสิทธิภาพสูงที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยการเคลือบเลเยอร์ของซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC)บนพื้นผิวของสารตั้งต้นผลิตภัณฑ์สามารถป้องกันพื้นผิวจากการกัดกร่อนได้อย่างมีประสิทธิภาพและปรับปรุงความต้านทานการกัดกร่อนและความแข็งแรงเชิงกลของผู้ให้บริการเวเฟอร์สร้างความมั่นใจว่าข้อกำหนดด้านความมั่นคงและความแม่นยำของกระบวนการประมวลผล
ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) มีจุดหลอมเหลวประมาณ 2,730 ° C และมีค่าการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยมประมาณ 120 - 180 W/m · K คุณสมบัตินี้สามารถกระจายความร้อนในกระบวนการอุณหภูมิสูงอย่างรวดเร็วและป้องกันความร้อนสูงเกินไประหว่างเวเฟอร์และผู้ให้บริการ ดังนั้นผู้ถือเวเฟอร์เคลือบ SIC จึงมักใช้กราไฟท์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) เป็นสารตั้งต้น
เมื่อรวมกับความแข็งที่สูงมากของ SIC (ความแข็งของ Vickers ประมาณ 2,500 HV) การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ที่สะสมโดยกระบวนการ CVD สามารถสร้างการเคลือบที่มีความหนาแน่นสูงและแข็งแกร่งซึ่งช่วยเพิ่มความต้านทานการสึกหรอของผู้ถือเวเฟอร์
ตัวยึดเวเฟอร์เคลือบ SIC ของ Vetek Semiconductor ทำจากกราไฟท์เคลือบ SIC และเป็นองค์ประกอบสำคัญที่ขาดไม่ได้ในกระบวนการ epitaxy เซมิคอนดักเตอร์ที่ทันสมัย มันผสมผสานการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยมอย่างชาญฉลาดของกราไฟท์ (การนำความร้อนอยู่ที่ประมาณ 100-400 W/m · K ที่อุณหภูมิห้อง) และความแข็งแรงเชิงกลและความต้านทานการกัดกร่อนทางเคมีที่ยอดเยี่ยมและความเสถียรทางความร้อนของซิลิกอนคาร์ไบด์
ผู้ถือการออกแบบผู้ตรวจสอบครั้งเดียวนี้สามารถควบคุมไฟล์ได้อย่างแม่นยำกระบวนการ epitaxialพารามิเตอร์ซึ่งช่วยในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีคุณภาพสูงและมีประสิทธิภาพสูง การออกแบบโครงสร้างที่เป็นเอกลักษณ์ของมันทำให้มั่นใจได้ว่าเวเฟอร์นั้นได้รับการจัดการด้วยความระมัดระวังและแม่นยำที่สุดตลอดกระบวนการดังนั้นจึงมั่นใจได้ว่าคุณภาพที่ยอดเยี่ยมของชั้น epitaxial และปรับปรุงประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์สุดท้าย
ในฐานะผู้นำของจีนsic เคลือบผู้ผลิตและผู้นำ Wafer ผู้ถือ Vetek Semiconductor สามารถให้บริการผลิตภัณฑ์และบริการทางเทคนิคที่กำหนดเองตามข้อกำหนดของอุปกรณ์และกระบวนการของคุณเราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้เป็นหุ้นส่วนระยะยาวของคุณในประเทศจีน.
คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของการเคลือบ CVD SIC คุณสมบัติ ค่าทั่วไป โครงสร้างผลึก FCC βเฟส polycrystalline ส่วนใหญ่ (111) มุ่งเน้น ความหนาแน่นของการเคลือบ SIC 3.21 g/cm³ ความแข็งเคลือบ 2500 Vickers Hardness (500 กรัมโหลด) ขนาดเกรน 2 ~ 10 มม. ความบริสุทธิ์ทางเคมี 99.99995% ความจุความร้อน 640 J ·กก.-1· K-1 อุณหภูมิระเหิด 2700 ℃ ความแข็งแรงของการโค้งงอ 415 MPa RT 4 จุด โมดูลัสของ Young 430 GPA 4PT BEND, 1300 ℃ การนำความร้อน 300W · m-1· K-1 การขยายตัวทางความร้อน (CTE) 4.5 × 10-6K-1
ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
โทร
+86-18069220752
อีเมล
anny@veteksemi.com
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek