เบ้าหลอมคาร์บอนที่เป็นแก้วของ Veteksemicon ใช้เทคโนโลยีการเผาไหม้อุณหภูมิสูงขั้นสูงและสารตั้งต้นของพอลิเมอร์จะถูกประมวลผลที่ 3000 ° C ในสภาพแวดล้อมก๊าซเฉื่อย มันมีทั้งความหนาแน่นของแก้วและความต้านทานอุณหภูมิสูงของเซรามิกข้อดีหลักรวมถึง:
✔ ความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ: ปริมาณสิ่งเจือปนน้อยกว่า 2ppm (เช่นสิ่งสกปรกโลหะเช่นอลูมิเนียมและเหล็ก) ซึ่งตรงกับความต้องการของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เกรด ✔ ความต้านทานอุณหภูมิสูง: สามารถใช้งานได้อย่างเสถียรสูงถึง 3000 ° C ในก๊าซสูญญากาศหรือก๊าซเฉื่อยและความแข็งแรงจะเพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น (ความแข็งแรงที่ 2400 ° C เป็นสองเท่าของอุณหภูมิปกติ) ✔ เป็นศูนย์ความพรุนและการต่อต้านการซึมผ่าน: ไม่มีรูขุมขนแบบเปิดและค่าสัมประสิทธิ์การซึมผ่านของก๊าซต่ำถึง10⁻⁹cm²/s ซึ่งสามารถหลีกเลี่ยงการเกิดออกซิเดชันหรือการปนเปื้อนของโลหะหลอมเหลว ✔ การนำไฟฟ้าและความร้อนที่ยอดเยี่ยม: การนำความร้อน 6.3 W/(M · K), ความต้านทาน45μΩ· M, เหมาะสำหรับกระบวนการทำความร้อนเหนี่ยวนำความถี่สูง ✔ ความต้านทานการกัดกร่อนทางเคมี: ทนต่อกรดที่แข็งแรงอัลคาลีที่แข็งแรงและการกัดกร่อนเกลือหลอมเหลวไม่มีการไหลของอนุภาคทำให้มั่นใจได้ถึงความสะอาดของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
✔ ความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ: ปริมาณสิ่งเจือปนน้อยกว่า 2ppm (เช่นสิ่งสกปรกโลหะเช่นอลูมิเนียมและเหล็ก) ซึ่งตรงกับความต้องการของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เกรด
✔ ความต้านทานอุณหภูมิสูง: สามารถใช้งานได้อย่างเสถียรสูงถึง 3000 ° C ในก๊าซสูญญากาศหรือก๊าซเฉื่อยและความแข็งแรงจะเพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น (ความแข็งแรงที่ 2400 ° C เป็นสองเท่าของอุณหภูมิปกติ)
✔ เป็นศูนย์ความพรุนและการต่อต้านการซึมผ่าน: ไม่มีรูขุมขนแบบเปิดและค่าสัมประสิทธิ์การซึมผ่านของก๊าซต่ำถึง10⁻⁹cm²/s ซึ่งสามารถหลีกเลี่ยงการเกิดออกซิเดชันหรือการปนเปื้อนของโลหะหลอมเหลว
✔ การนำไฟฟ้าและความร้อนที่ยอดเยี่ยม: การนำความร้อน 6.3 W/(M · K), ความต้านทาน45μΩ· M, เหมาะสำหรับกระบวนการทำความร้อนเหนี่ยวนำความถี่สูง
✔ ความต้านทานการกัดกร่อนทางเคมี: ทนต่อกรดที่แข็งแรงอัลคาลีที่แข็งแรงและการกัดกร่อนเกลือหลอมเหลวไม่มีการไหลของอนุภาคทำให้มั่นใจได้ถึงความสะอาดของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
ผลิตภัณฑ์เบ้าหลอมคาร์บอนที่เป็นแก้วของ Veteksemicon ครอบคลุมการเชื่อมโยงที่สำคัญของกระบวนการทั้งหมดในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์โดยทั่วไปรวมถึง:
1) Single crystal silicon growth: การเคลือบฉนวนที่ใช้สำหรับเตาหลอมการเจริญเติบโตของคริสตัล SIC ปรับปรุงความเสถียรของสนามความร้อนและลดการใช้พลังงาน 20% ลักษณะความบริสุทธิ์สูงหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนของซิลิคอนละลายและลดข้อบกพร่องของตาข่าย 2) การฝังไอออนและกระบวนการแกะสลัก: ในฐานะที่เป็นอิเล็กโทรดและก๊าซ diffuser สำหรับระบบการแกะสลักพลาสมามันช่วยให้มั่นใจได้ว่าการปล่อยและความสอดคล้องของกระบวนการสม่ำเสมอ ลักษณะการทิ้งระเบิดต่อต้านไอออนช่วยยืดอายุการใช้งานอุปกรณ์ 3) โลหะและการถลุงโลหะผสม: ภาชนะบรรจุอุดมคติสำหรับทองคำที่หลอมเหลวแพลเลเดียมและโลหะผสมไทเทเนียมพื้นผิวที่ไม่เปียกจะช่วยลดการสูญเสียวัสดุ เหมาะสำหรับการทำให้บริสุทธิ์และการขึ้นรูปของโลหะหายากที่ใช้งานสูง (เช่นแกลเลียมและอินเดียม) คำเตือน- ตรึงกางเขนคาร์บอนแก้วไม่สามารถใช้เพื่อละลายโลหะผสมโครเมียม-โมลต์-โมลิบเดน ในทำนองเดียวกันพวกเขาไม่สามารถใช้เพื่อละลายคาร์ไบด์ได้อย่างง่ายดายเช่นซิลิกอนหรือทังสเตน 4) บรรจุภัณฑ์และการทดสอบขั้นสูง: ในฐานะผู้ให้บริการถ่ายโอนเวเฟอร์ (เวเฟอร์จำลอง) และตัวสะท้อนความร้อนช่วยให้มั่นใจได้ถึงความเสถียรของกระบวนการอุณหภูมิสูง
1) Single crystal silicon growth:
การเคลือบฉนวนที่ใช้สำหรับเตาหลอมการเจริญเติบโตของคริสตัล SIC ปรับปรุงความเสถียรของสนามความร้อนและลดการใช้พลังงาน 20%
ลักษณะความบริสุทธิ์สูงหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนของซิลิคอนละลายและลดข้อบกพร่องของตาข่าย
2) การฝังไอออนและกระบวนการแกะสลัก:
ในฐานะที่เป็นอิเล็กโทรดและก๊าซ diffuser สำหรับระบบการแกะสลักพลาสมามันช่วยให้มั่นใจได้ว่าการปล่อยและความสอดคล้องของกระบวนการสม่ำเสมอ
ลักษณะการทิ้งระเบิดต่อต้านไอออนช่วยยืดอายุการใช้งานอุปกรณ์
3) โลหะและการถลุงโลหะผสม:
ภาชนะบรรจุอุดมคติสำหรับทองคำที่หลอมเหลวแพลเลเดียมและโลหะผสมไทเทเนียมพื้นผิวที่ไม่เปียกจะช่วยลดการสูญเสียวัสดุ
เหมาะสำหรับการทำให้บริสุทธิ์และการขึ้นรูปของโลหะหายากที่ใช้งานสูง (เช่นแกลเลียมและอินเดียม)
คำเตือน- ตรึงกางเขนคาร์บอนแก้วไม่สามารถใช้เพื่อละลายโลหะผสมโครเมียม-โมลต์-โมลิบเดน ในทำนองเดียวกันพวกเขาไม่สามารถใช้เพื่อละลายคาร์ไบด์ได้อย่างง่ายดายเช่นซิลิกอนหรือทังสเตน
4) บรรจุภัณฑ์และการทดสอบขั้นสูง:
ในฐานะผู้ให้บริการถ่ายโอนเวเฟอร์ (เวเฟอร์จำลอง) และตัวสะท้อนความร้อนช่วยให้มั่นใจได้ถึงความเสถียรของกระบวนการอุณหภูมิสูง
ในฐานะผู้จัดหาวัตถุดิบชั้นนำของจีน Veteksemicon มีข้อได้เปรียบหลักดังต่อไปนี้:
✔ การผลิตอิสระแบบเต็มกระบวนการ ตั้งแต่การเกิดพอลิเมอไรเซชันวัตถุดิบไปจนถึงการเผาอุณหภูมิสูงกระบวนการทั้งหมดสามารถควบคุมได้เพื่อให้แน่ใจว่าแบทช์มีความสอดคล้อง กำลังการผลิตมวลครอบคลุมการเคลือบแบบบาง ๆ ระดับ5μmไปยังไม้กางเขนขนาดใหญ่ (เช่นเส้นผ่านศูนย์กลาง 132 มม. ความสูง 273 มม. ข้อมูลจำเพาะ) ✔ Customized processing capabilities รองรับการปรับแต่งขนาดที่ไม่ได้มาตรฐาน (เช่นไม้กางเขนรูปทรงพิเศษ, หลอด, ฟิล์ม) โดยมีความแม่นยำในการยอมรับ± 0.2 มม. ✔ การสำรองเทคโนโลยีการวิจัยและพัฒนา ร่วมมือกับสถาบันวิจัยทางวิทยาศาสตร์ของสถาบันวิทยาศาสตร์แห่งจีนเพื่อพัฒนาคาร์บอนนาโนแก้ว (ความแข็งแรงสูงถึง 3GPA) และขยายการประยุกต์ใช้อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขนาดเล็ก จัดวางทุ่งที่เกิดขึ้นใหม่เช่นแผ่นสองขั้วเซลล์เชื้อเพลิงและหัวฉีดหางและอวกาศเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมข้ามพรมแดนของวัสดุ
✔ การผลิตอิสระแบบเต็มกระบวนการ
ตั้งแต่การเกิดพอลิเมอไรเซชันวัตถุดิบไปจนถึงการเผาอุณหภูมิสูงกระบวนการทั้งหมดสามารถควบคุมได้เพื่อให้แน่ใจว่าแบทช์มีความสอดคล้อง
กำลังการผลิตมวลครอบคลุมการเคลือบแบบบาง ๆ ระดับ5μmไปยังไม้กางเขนขนาดใหญ่ (เช่นเส้นผ่านศูนย์กลาง 132 มม. ความสูง 273 มม. ข้อมูลจำเพาะ)
✔ Customized processing capabilities
รองรับการปรับแต่งขนาดที่ไม่ได้มาตรฐาน (เช่นไม้กางเขนรูปทรงพิเศษ, หลอด, ฟิล์ม) โดยมีความแม่นยำในการยอมรับ± 0.2 มม.
✔ การสำรองเทคโนโลยีการวิจัยและพัฒนา
ร่วมมือกับสถาบันวิจัยทางวิทยาศาสตร์ของสถาบันวิทยาศาสตร์แห่งจีนเพื่อพัฒนาคาร์บอนนาโนแก้ว (ความแข็งแรงสูงถึง 3GPA) และขยายการประยุกต์ใช้อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขนาดเล็ก
จัดวางทุ่งที่เกิดขึ้นใหม่เช่นแผ่นสองขั้วเซลล์เชื้อเพลิงและหัวฉีดหางและอวกาศเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมข้ามพรมแดนของวัสดุ
ที่อยู่
ถนน Wangda, ถนน Ziyang, เขต Wuyi, เมือง Jinhua, จังหวัดเจ้อเจียง, จีน
โทร
+86-18069220752
อีเมล
anny@veteksemi.com
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek