4 °นอกแกน p-type sic wafer

ในฐานะผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์มืออาชีพในประเทศจีน VeTek Semiconductor ชนิด p นอกแกน 4°SiC เวเฟอร์หมายถึงเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H (SiC) ที่เบี่ยงเบน 4° จากทิศทางผลึกหลักของคริสตัล (โดยปกติจะเป็นแกน c) เมื่อทำการตัดและผ่านการเติมสารประเภท P โดยปกติผลิตภัณฑ์นี้จะใช้ในการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังและอุปกรณ์ความถี่วิทยุ (RF) ในห่วงโซ่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ และมีข้อได้เปรียบของผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยม

ผ่านการตัดนอกแกน Vetek Semiconductor 4 ° OFF Axis P-type Sic Wafer สามารถลดความคลาดเคลื่อนและข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นได้อย่างมีประสิทธิภาพในระหว่างการเจริญเติบโตของชั้น epitaxial ซึ่งจะช่วยปรับปรุงคุณภาพของเวเฟอร์ นอกจากนี้การวางแนวปิดแกน 4 °ช่วยให้การขยายชั้น epitaxial ที่สม่ำเสมอและปราศจากข้อบกพร่องมากขึ้นปรับปรุงคุณภาพของชั้น epitaxial และโดยทั่วไปเหมาะสำหรับการผลิตอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูง

นอกจากนี้ ผลิตภัณฑ์ SiC Wafer ชนิด p-type แบบ 4° ของ VeTek Semiconductor ยังสามารถทำให้เวเฟอร์มีช่องพาหะของรูได้มากขึ้น และสร้างเป็นเซมิคอนดักเตอร์ประเภท P โดยการเติมสารเจือปนจากตัวรับสารโด๊ป (เช่น อลูมิเนียมหรือโบรอน) เวเฟอร์ 4H-SiC ชนิด P มักใช้ในการผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้าที่ต้องใช้เลเยอร์ชนิด P เซมิคอนดักเตอร์ประเภทนี้มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม

เมื่อเปรียบเทียบกับโพลีมอร์ฟอื่นๆ เช่น 6H-SiC4H-SICมีการเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอนที่สูงขึ้นและความแข็งแรงของสนามไฟฟ้าที่แตกหักและเหมาะสำหรับสถานการณ์ความถี่สูงและพลังงานสูง นอกจากนี้วัสดุ 4H-SIC มีความต้านทานแรงดันสูงและอุณหภูมิสูงที่ยอดเยี่ยมและสามารถทำงานได้ตามปกติในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

2 นิ้ว 4 นิ้ว 4 °นอกแกน p-type sic wafer มาตรฐานที่เกี่ยวข้องกับขนาด：

6 นิ้ว 4°off axis p-type SiC Wafer ขนาดมาตรฐานที่เกี่ยวข้อง：

4 °นอกแกน P-type sic wafer วิธีการตรวจจับและคำศัพท์：

VeTek Semiconductor มีพื้นผิว 4H-SiC ชนิด p-type นอกแกน 4° อยู่แล้วตั้งแต่ 2~6 นิ้ว.พื้นผิวถูกเจือด้วยอะลูมิเนียมและปรากฏเป็นสีน้ำเงิน ความต้านทานอยู่ในช่วง 0.1 ถึง 0.7Ω•ซม. 

หากคุณมีข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์สำหรับ 4 °นอกแกน P-type sic wafer ยินดีต้อนรับที่จะปรึกษาเรา