ข่าว

ข่าวอุตสาหกรรม

เทคโนโลยีการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวสามแบบ SIC11 2024-12

เทคโนโลยีการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวสามแบบ SIC

วิธีการหลักสำหรับการปลูกผลึกเดี่ยว SIC คือ: การขนส่งไอทางกายภาพ (PVT), การสะสมไอสารเคมีอุณหภูมิสูง (HTCVD) และการเจริญเติบโตของสารละลายอุณหภูมิสูง (HTSG)
แอปพลิเคชันและการวิจัยของเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์ในสาขาโซลาร์เซลล์ - Vetek Semiconductor02 2024-12

แอปพลิเคชันและการวิจัยของเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์ในสาขาโซลาร์เซลล์ - Vetek Semiconductor

ด้วยการพัฒนาของอุตสาหกรรมโซลาร์เซลล์แสงอาทิตย์เตาเผาและเตาเผา LPCVD เป็นอุปกรณ์หลักสำหรับการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งส่งผลโดยตรงต่อประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพโดยตรง จากประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ที่ครอบคลุมและค่าใช้จ่ายในการใช้งานวัสดุเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์มีข้อได้เปรียบในด้านเซลล์แสงอาทิตย์มากกว่าวัสดุควอตซ์ การประยุกต์ใช้วัสดุเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ในอุตสาหกรรมไฟฟ้าโซลาร์เซลล์สามารถช่วยให้องค์กรไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ลดต้นทุนการลงทุนวัสดุเสริมปรับปรุงคุณภาพของผลิตภัณฑ์และความสามารถในการแข่งขัน แนวโน้มในอนาคตของวัสดุเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ในสนามไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ส่วนใหญ่ไปสู่ความบริสุทธิ์ที่สูงขึ้นความสามารถในการรับน้ำหนักที่แข็งแกร่งความสามารถในการโหลดที่สูงขึ้นและต้นทุนที่ลดลง
กระบวนการเคลือบ CVD TaC สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว SiC เผชิญกับความท้าทายอะไรบ้างในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์27 2024-11

กระบวนการเคลือบ CVD TaC สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว SiC เผชิญกับความท้าทายอะไรบ้างในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์

บทความวิเคราะห์ความท้าทายเฉพาะที่ต้องเผชิญโดยกระบวนการเคลือบ CVD TAC สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC ในระหว่างการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์เช่นแหล่งวัสดุและการควบคุมความบริสุทธิ์การเพิ่มประสิทธิภาพพารามิเตอร์กระบวนการการยึดเกาะ เช่นเดียวกับโซลูชั่นอุตสาหกรรมที่สอดคล้องกัน
เหตุใดการเคลือบ Tantalum Carbide (TAC) จึงเหนือกว่าการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ในการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC? - Vetek Semiconductor25 2024-11

เหตุใดการเคลือบ Tantalum Carbide (TAC) จึงเหนือกว่าการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ในการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC? - Vetek Semiconductor

จากมุมมองการใช้งานของการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว SIC บทความนี้เปรียบเทียบพารามิเตอร์ทางกายภาพพื้นฐานของการเคลือบ TAC และการเคลือบ SIC และอธิบายข้อได้เปรียบพื้นฐานของการเคลือบ TAC ผ่านการเคลือบ SIC ในแง่ของความต้านทานอุณหภูมิสูงความเสถียรทางเคมีที่แข็งแกร่ง ต้นทุนลดลง
มีอุปกรณ์วัดอะไรบ้างในโรงงาน Fab? - Vetek Semiconductor25 2024-11

มีอุปกรณ์วัดอะไรบ้างในโรงงาน Fab? - Vetek Semiconductor

มีอุปกรณ์วัดหลายประเภทในโรงงาน Fab อุปกรณ์ทั่วไปรวมถึงอุปกรณ์การวัดกระบวนการพิมพ์หิน, อุปกรณ์การวัดกระบวนการแกะสลัก, อุปกรณ์การวัดกระบวนการสะสมฟิล์มบาง, อุปกรณ์การวัดกระบวนการยาสลบ, อุปกรณ์การวัดกระบวนการ CMP, อุปกรณ์ตรวจจับอนุภาคเวเฟอร์และอุปกรณ์การวัดอื่น ๆ
การเคลือบ TaC ช่วยยืดอายุการใช้งานของส่วนประกอบกราไฟท์ได้อย่างไร - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์22 2024-11

การเคลือบ TaC ช่วยยืดอายุการใช้งานของส่วนประกอบกราไฟท์ได้อย่างไร - เวเทค เซมิคอนดักเตอร์

การเคลือบ Tantalum Carbide (TAC) สามารถยืดอายุของชิ้นส่วนกราไฟท์ได้อย่างมีนัยสำคัญโดยการปรับปรุงความต้านทานอุณหภูมิสูงความต้านทานการกัดกร่อนคุณสมบัติเชิงกลและความสามารถในการจัดการความร้อน ลักษณะความบริสุทธิ์สูงช่วยลดการปนเปื้อนของสิ่งเจือปนปรับปรุงคุณภาพการเจริญเติบโตของคริสตัลและเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน มันเหมาะสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และแอพพลิเคชั่นการเจริญเติบโตของคริสตัลในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและมีการกัดกร่อนสูง
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept