ข่าว

การเคลือบด้วยสูญญากาศรวมถึงการระเหยของวัสดุฟิล์มการขนส่งสูญญากาศและการเติบโตของฟิล์มบาง ๆ ตามวิธีการระเหยไอน้ำของวัสดุที่แตกต่างกันและกระบวนการขนส่งการเคลือบสูญญากาศสามารถแบ่งออกเป็นสองประเภท: PVD และ CVD

บทความนี้จะอธิบายพารามิเตอร์ทางกายภาพและคุณลักษณะผลิตภัณฑ์ของกราไฟท์ที่มีรูพรุนของ VeTek Semiconductor ตลอดจนการใช้งานเฉพาะในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์

บทความนี้วิเคราะห์ลักษณะของผลิตภัณฑ์และสถานการณ์การใช้งานของการเคลือบ Tantalum Carbide และการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์จากหลายมุมมอง

การสะสมของฟิล์มบางมีความสำคัญในการผลิตชิปสร้างอุปกรณ์ไมโครโดยการวางฟิล์มที่มีความหนาต่ำกว่า 1 ไมครอนผ่าน CVD, ALD หรือ PVD กระบวนการเหล่านี้สร้างส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ผ่านฟิล์มนำไฟฟ้าและฉนวนสลับกัน

กระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์เกี่ยวข้องกับแปดขั้นตอน: การประมวลผลเวเฟอร์, ออกซิเดชัน, การพิมพ์หิน, การแกะสลัก, การสะสมฟิล์มบาง, การเชื่อมต่อโครงข่าย, การทดสอบและบรรจุภัณฑ์ ซิลิคอนจากทรายถูกแปรรูปเป็นเวเฟอร์ออกซิไดซ์ลวดลายและแกะสลักสำหรับวงจรที่มีความแม่นยำสูง

บทความนี้อธิบายว่าสารตั้งต้น LED เป็นแอปพลิเคชันที่ใหญ่ที่สุดของไพลินเช่นเดียวกับวิธีการหลักในการเตรียมผลึกไพลิน: การปลูกคริสตัลแซฟไฟร์โดยวิธี Czochralski การปลูกผลึกไพลินโดยวิธีการแลกเปลี่ยนความร้อน

บทความอธิบายการไล่ระดับอุณหภูมิในเตาเผาเดี่ยว มันครอบคลุมสนามความร้อนแบบคงที่และแบบไดนามิกในระหว่างการเจริญเติบโตของคริสตัลอินเทอร์เฟซของเหลวที่เป็นของแข็งและบทบาทของการไล่ระดับอุณหภูมิในการทำให้แข็งตัว

กระบวนการไทโกะนั้นใช้เวเฟอร์ซิลิคอนโดยใช้หลักการความได้เปรียบทางเทคนิคและต้นกำเนิดของกระบวนการ

เตาแบบ epitaxial sic ขนาด 8 นิ้วและการวิจัยกระบวนการ homoepitaxial

บทความนี้วิเคราะห์คุณสมบัติของวัสดุของเวเฟอร์ซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์ เช่น ซิลิคอน, GaAs, SiC และ GaN

บทความนี้ส่วนใหญ่จะอธิบายเทคโนโลยี epitaxial อุณหภูมิต่ำที่ใช้ GAN รวมถึงโครงสร้างผลึกของวัสดุที่ใช้ GAN, 3. ความต้องการเทคโนโลยี epitaxial และโซลูชั่นการใช้งาน, ข้อได้เปรียบของเทคโนโลยี epitaxial อุณหภูมิต่ำตามหลักการ PVD

บทความนี้แนะนำโครงสร้างโมเลกุลและคุณสมบัติทางกายภาพของ TAC เป็นครั้งแรกและมุ่งเน้นไปที่ความแตกต่างและการประยุกต์ใช้ Tantalum Carbide และ CVD Tantalum Carbide รวมถึงผลิตภัณฑ์เคลือบ TAC ที่เป็นที่นิยมของ Vetek Semiconductor

บทความนี้แนะนำลักษณะผลิตภัณฑ์ของการเคลือบ CVD TAC กระบวนการของการเตรียมการเคลือบ CVD TAC โดยใช้วิธี CVD และวิธีพื้นฐานสำหรับการตรวจจับสัณฐานวิทยาพื้นผิวของการเคลือบ CVD TAC ที่เตรียมไว้

บทความนี้จะแนะนำคุณลักษณะของผลิตภัณฑ์การเคลือบ TaC ซึ่งเป็นกระบวนการเฉพาะในการเตรียมผลิตภัณฑ์เคลือบ TaC โดยใช้เทคโนโลยี CVD แนะนำการเคลือบ TaC ที่ได้รับความนิยมมากที่สุดของ Veteksemicon และวิเคราะห์เหตุผลในการเลือก Veteksemicon โดยย่อ

บทความนี้วิเคราะห์เหตุผลว่าทำไมการเคลือบ SIC เป็นวัสดุหลักที่สำคัญสำหรับการเติบโตของ sic epitaxial และมุ่งเน้นไปที่ข้อได้เปรียบเฉพาะของการเคลือบ SIC ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

วัสดุนาโนซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC) เป็นวัสดุที่มีมิติอย่างน้อยหนึ่งมิติที่ระดับนาโนเมตร (1-100nm) วัสดุเหล่านี้สามารถเป็นศูนย์-หนึ่ง-สองหรือสามมิติและมีการใช้งานที่หลากหลาย